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先进陶瓷产业发展高峰论坛

来源: 发布时间:2024年12月16日

目前,陶瓷注射成型技术开始向精密化发展,研究与开发的重点由过去的高温非氧化物陶瓷(如氮化硅、碳化硅)扩展为氧化物陶瓷(如氧化锆、氧化铝)、功能陶瓷、生物陶瓷产品,种类越来越多,其主要应用领域如下。一、光通讯用精密陶瓷部件主要有光纤连接器用氧化锆多晶陶瓷插芯和陶瓷套管。因为其尺寸小、精度高、内孔直径只有125微米,因此只能采用注射成型。目前光纤连接器所需陶瓷插芯和陶瓷套管主要由中国制造,而日本京瓷、东陶、Adamand等国外公司生产的产品在不断减少。光纤连接器用陶瓷插芯与套管二、生物陶瓷制品主要包括人造陶瓷牙齿、种植牙陶瓷固定螺杆、人工关节、固定牙冠套、牙齿正畸用陶瓷托槽等,如图3所示。据世界卫生组织统计,牙齿畸形并发率约为49%,在美国50-60%的家庭都会进行牙齿正畸,必须配带牙齿矫形托槽。采用陶瓷注射成型生产的该类产品尺寸精度高且性能良好,在国内的市场前景开阔。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。行业精英齐聚一堂,为行业发展注入新动能。2025年3月10-12日中國‌國際先進陶瓷展览会!诚邀您莅临!先进陶瓷产业发展高峰论坛

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在需要高功率的场景中,常将多颗SiC功率半导体封装到模块中,实现芯片互连和与其他电路的连接。SiC功率模块封装包括芯片、绝缘基板、散热基板等组件。按封装芯片类型,可分为混合模块和全SiC模块,前者是替换硅基IGBT中的二极管,后者全用SiC芯片,两者在效率、尺寸和成本上有差异;按拓扑方式,可分为三相模块、半桥模块等封装形式;按散热方式,可分为单面冷却和双面冷却;按封装外壳类型,可分为转模塑封结构和HPD(gao压聚乙烯塑料)框架结构。随着需求多样化,定制化模块逐渐流行。目前,SiC功率模块多沿用传统硅基IGBT封装结构,难以发挥SiC材料特性,面临可靠性和成本等挑战。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观!3月6-8日先进陶瓷与增材制造展览会“中國‌國際先進陶瓷展览会”分享行业前沿技术:2025年3月10-12日上海世博展览馆。诚邀您莅临参观!

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碳化硅是通过键能很高的共价键结合的晶体。碳化硅是用石英沙(SiO2)加焦碳直接加热至高温还原而成,其烧结工艺主要有热压和反应烧结两种。由于碳化硅表面有一层薄氧化膜,因此很难烧结,需添加烧结助剂促进烧结,常加的助剂有硼、碳、铝等。碳化硅的特点是高温强度高,有很好的耐磨损、耐腐蚀、抗蠕变性能,其热传导能力很强,仅次于氧化铍陶瓷。碳化硅陶瓷常用于制造火箭喷嘴、浇注金属的喉管、热电偶套管、炉管、燃气轮机叶片及轴承,泵的密封圈、拉丝成型模具等。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!

“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。无压烧结在常压下进行烧结,主要包括常规无压烧结、两步法烧结、两段法烧结。1、常规无压烧结将陶瓷坯体通过加热装置加热到一定温度,经保温后冷却到室温以制备陶瓷的方法。常规烧结采用高温长时间、等烧结速率进行,此方法需要较高的烧结温度(超过1000℃)和较长的保温时间。如果烧结温度较低,则不能够形成足够的液相填充坯体里的气孔,材料晶界结合不好并且材料中存在较大的孔洞,此时材料的电性能较差;烧结温度过高,可能导致晶界的移动速度过快,出现晶粒异常增大现象。2、两步法烧结烧结流程为:陶瓷坯体通过加热装置加热到一定温度后不进行保温,立即以很快的速度降温到相对较低的温度进行长时间的保温。与常规烧结方法相比,两步烧结法巧妙地通过控制温度的变化,在抑制晶界迁移(这将导致晶粒长大)的同时,保持晶界扩散(这是坯体致密化的动力)处于活跃状态,来实现晶粒不长大的前提下达到烧结的目的。3、两段法烧结在相对较低的温度下保温一段时间,然后再在较高的温度下保温,后自然冷却。用此工艺可以降低烧结温度和缩短烧结时间,此方式可以用于烧结细晶钛酸钡陶瓷。“中國‌國際先進陶瓷展”覆盖先進陶瓷全产业链,云集中外杰出企业亮相展会,2025年3月10日上海世博馆见!

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碳化硅单晶材料按电学性能分导电型和半绝缘型,而导电型对应同质外延,半绝缘型对应异质外延。同质外延制成SBD(肖特基势垒二极管)、MOSFET(缩写为MOS,金属氧化物半导体场效应晶体管)等功率器件,适用于电子电力领域如新能源汽车、轨道交通、智能电网、光伏发电等;在导电型SiC衬底上生长SiC外延层可制得SiC外延片,用于各类功率器件。异质外延制成HEMT(高电子迁徙率晶体管)等微波射频器件,适用于高频、高温环境如5G通讯、雷达、國‌防jun工等领域;在半绝缘型SiC衬底上生长GaN外延层可制得SiC基GaN外延片用于GaN射频器件。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!“中國‌國際先進陶瓷展览会:2025年3月10-12日上海世博展览馆,让我们相聚上海,共同见证盛会开幕!先进陶瓷产业发展高峰论坛

“中國‌國際先進陶瓷展览会”创新应用和解决方案:2025年3月10-12日上海世博展览馆。诚邀您莅临参观!先进陶瓷产业发展高峰论坛

国内碳化硅衬底产品以4英寸和6英寸为主,少数企业实现8英寸量产,与國際厂商仍有一定差距。我国碳化硅产业起步较晚,国内厂商与国外企业在碳化硅衬底产品上存在差距。国内以4英寸和6英寸为主,而國際厂商如Wolfspeed、意法半导体在2023年已能够大批量稳定供应8英寸衬底。国内碳化硅衬底企业天岳先進2024年5月披露,公司8英寸导电型衬底产品已经实现批量交货,将推动头部客户向8英寸转型,但8英寸产品品质和良率与國際厂商还有一定差距。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!五展联动;第17届中國‌國際粉末冶金及硬质合金展览会(PMCHINA)、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会(MMICCHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会(AMCHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会(POWDEXCHINA)同期同地举办。五展联动,串联相关产业链,吸引更多的观众群体,形成既汇聚更多参展企业同台竞技,又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。诚邀您莅临参观!先进陶瓷产业发展高峰论坛

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