先进陶瓷技术展

碳化硅下游应用场景众多，包括新能源车、充电桩、光伏、储能、轨道交通、智能电网、航空航天等，而下游的需求放量情况会影响碳化硅的市场规模体量，比如新能源车的产销量、充电桩的配套数量、光伏的装机量等。虽然碳化硅衬底和器件工艺逐渐成熟，价格有所下降，但碳化硅功率器件价格仍远高于硅基器件。下游应用领域需平衡碳化硅器件高价格与性能优势带来的综合成本，短期内将限制碳化硅器件在功率器件领域的渗透率，大规模应用仍存挑战。若下游存在放量不及预期的情况，将对上游碳化硅企业研发、生产造成不利影响。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！“中國‌國際先進陶瓷展”多方位展示企业智造实力，搭建行业共享共赢的商贸平台，2025年3月10-12日上海见！先进陶瓷技术展

相比硅器件，SiC MOSFET在耐压、导通电阻、开关频率等方面具有较好的优势。耐压方面，SiC MOSFET在6500V时仍能保持高性能，而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在开关频率超过1kHz时，硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）损耗较高，而SiC MOSFET开关损耗相比可降低多达80%，整体功率损耗降低66%。导通电阻方面，SiC MOSFET芯片面积则更小，如在900V导通电阻下，硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET还具有高性能体二极管，可减少器件数量和占位面积。SiC MOSFET的工作结温和热稳定性更高，可达200℃或更高，适用于汽车市场，其高耐温性可降低系统散热要求和导通电阻偏移。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！先进陶瓷技术展深耕行业市场，开拓业务网络，新之联伊丽斯诚邀您相聚2025年3月10日中國‌國際先進陶瓷展览会！

刻蚀技术是SiC器件研制的关键，刻蚀精度、损伤和表面残留物对器件性能至关重要。目前，SiC刻蚀多采用干法刻蚀，其中电感耦合等离子体（ICP）刻蚀因其低压高密度的特点，具有刻蚀速率高、器件损伤小、操作简单等優点，而广泛应用。此外，刻蚀中的掩膜材料、蚀刻选择、混合气体、侧壁控zhi、蚀刻速率和侧壁粗糙度等需针对SiC材料特性开发。刻蚀环节主要挑战包括实现更小尺寸器件结构、提高深宽比和形貌圆滑度，以及从浅沟槽向深沟槽的转变等。主流的SiCICP刻蚀设备厂商包括德国Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美国AMAT、英国牛津仪器、日本Samco及爱发科，及我国北方华创、中國电科48所、中微半导体、中科院微电子所、珠海恒格微电子、稷以科技等。北方华创在SiC器件领域具备完整的刻蚀解决方案，其SiC器件刻蚀机出货量的市占率较高。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！

“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。诚邀您莅临参观！氧化锆陶瓷因具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损等优良的性能，应用于各个领域中。常压下纯氧化锆有三种晶型，由于晶型转变产生体积变化，造成开裂。加入适量稳定剂，使氧化锆从高温冷却至室温过程中尽可能多的保留四方相，控制并提高对增韧有贡献的四方到单斜相的有效转变。氧化钇稳定氧化锆由于其综合性能好，成为应用较广的氧化锆材料。有研究表明，Y2O3含量在2.5mol%时抗弯强度好；在2mol%时断裂韧性da。本文主要以Y2O3含量在2~2.5mol%的氧化钇稳定氧化锆为原料，制备出综合性能较高的氧化锆陶瓷，并探讨成型和烧结工艺对氧化锆陶瓷性能的影响，从而为生产提供理论依据，进而生产出高性能的氧化锆结构陶瓷。中國‌國際先進陶瓷展览会将于2025年3月10-12日在上海隆重举办，行业人士齐聚一堂，共襄盛会！

碳化硅外延制作方法包括化学气相沉积法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脉冲激光淀积和升华法（PLD）等。其中CVD法较为普及，该方法能精确控制生长条件，包括气体源流量、温度和压力，从而精确控制外延层的厚度、掺杂浓度和类型，重复性良好，设备适中，为目前主流技术。液相外延法和分子束外延法虽理论上可行，但外延制作的质量、效率和成本均不如CVD法，不适合商业化应用。碳化硅外延设备的密闭性、气压、气体通入时间、配比和沉积温度均需精确控制。器件耐压提升，厚度和掺杂浓度均匀性的控制难度增加；外延层厚度增加，控制均匀性和缺陷密度的难度增加。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！云集中外杰出供应商的中國‌國際先進陶瓷展览会！2025年3月10-12日，新之联伊丽斯诚邀您相聚上海！2025年3月10日-12日中国上海市国际先进陶瓷及粉末冶金展览会

聚焦前沿技术，展示品质产品，2025年3月10日，来“中國‌國際先進陶瓷展览会”，与行业精英面对面交流！先进陶瓷技术展

在半导体制造领域，增大晶片尺寸是提高半导体产品竞争力的关键途径。对于同一规格的芯片，随着晶圆尺寸增加，边缘管芯（Die）数量占比缩小，晶圆利用率大幅增加。按晶圆面积测算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积是6英寸晶圆面积的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积则是4英寸晶圆面积的近4.3倍。根据Wolfspeed测算，一片8英寸碳化硅晶片可以产出845颗32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片产出的近2倍；边缘管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圆利用率，将进一步降低碳化硅芯片单位成本。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！先进陶瓷技术展