高校光刻机干涉测量应用

光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂层平台（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG所有光刻设备平台均为300mm，可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中，并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装：在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口；在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂；负侧壁，带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间；用于LIGA结构的高纵横比结构，用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果；西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上，展示了膏分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力；MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。光刻机是一种用于制造集成电路和其他微纳米器件的关键设备。高校光刻机干涉测量应用

IQAligner®■晶圆规格高达200mm/300mm■某一时间内（弟一次印刷/对准）>90wph/80wph■顶/底部对准精度达到±0.5µm/±1.0µm■接近过程100/%无触点■可选Ergoload磁盘，SMIF或者FOUP■经准的跳动补偿，实现ZUI佳的重叠对准■手动装载晶圆的功能■IR对准能力–透射或者反射IQAligner®NT■零辅助桥接工具-双基片，支持200mm和300mm规格■无以伦比的吞吐量（弟一次印刷/对准）>200wph/160wph■顶/底部对准精度达到±250nm/±500nm■接近过程100/%无触点■暗场对准能力/全场青除掩模（FCMM）■经准的跳动补偿，实现ZUI佳的重叠对准■智能过程控制和性能分析框架软件平台实验室光刻机用途是什么光刻机利用光学原理将光线聚焦在光刻胶上，通过光刻胶的曝光和显影过程，将芯片设计图案转移到硅片上。

EVG也提供量产型掩模对准系统。对于在微米范围内的光刻图形，掩模对准器是ZUI具成本效益的技术，与其他解决方案相比，每层可节省30％以上的成本，这对用户来说是至关重要的。EVG的大批量制造系统旨在以ZUI佳的成本效率与ZUI高的技术标准相结合，并由卓YUE的全球服务基础设施提供支持。ZUI重要的是，大焦深曝光光学系统完美匹配大批量生产中的厚抗蚀剂，表面形貌和非平面基片的图形。在全球范围内，我们为许多客户提供了量产型的光刻机系统，得到了他们的无数好评。

EVG®620NT掩模对准系统（半自动/自动）特色：EVG®620NT提供国家的本领域掩模对准技术在蕞小化的占位面积，支持高达150毫米晶圆尺寸。技术数据：EVG620NT以其多功能性和可靠性而著称，在蕞小的占位面积上结合了先进的对准功能和蕞优化的总体拥有成本，提供了蕞先近的掩模对准技术。它是光学双面光刻的理想工具，可以提供半自动或自动配置以及可选的全覆盖Gen2解决方案，以满足大批量生产要求和制造标准。拥有操作员友好型软件，蕞短的掩模和工具更换时间以及高/效的全球服务和支持，使它成为任何制造环境的理想解决方案。所有系统均支持原位对准验证的软件，可以提高手动操作系统的对准精度和可重复性。

HERCULES光刻轨道系统技术数据：对准方式：上侧对准：≤±0.5µm；底侧对准：≤±1,0µm；红外校准：≤±2,0µm/具体取决于基材先进的对准功能：手动对准；自动对准；动态对准。对准偏移校正：自动交叉校正/手动交叉校正；大间隙对准。工业自动化功能：盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理曝光源：汞光源/紫外线LED光源曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿：全自动软件控制；非接触式曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR实时远程访问，诊断和故障排除EVG与研究机构合作超过35年，能够深入了解他们的独特需求。芯片光刻机有谁在用

EVG光刻机关注未来市场趋势 - 例如光子学 、光学3D传感- 并为这些应用开发新的方案和调整现有的解决方案。高校光刻机干涉测量应用

EVG®150--光刻胶自动处理系统

EVG®150是全自动化光刻胶处理系统中提供高吞吐量的性能与在直径承晶片高达300毫米。EVG150设计为完全模块化的平台，可实现自动喷涂/旋转/显影过程和高通量性能。EVG150可确保涂层高度均匀并提高重复性。具有高形貌的晶片可以通过EVG的OmniSpray技术进行均匀涂覆，而传统的旋涂技术则受到限制。EVG®150特征：晶圆尺寸可达300毫米多达六个过程模块可自定义的数量-多达二十个烘烤/冷却/汽化堆多达四个FOUP装载端口或盒式磁带装载 高校光刻机干涉测量应用