中国香港光刻机美元价

EVG620NT技术数据：曝光源：汞光源/紫外线LED光源先进的对准功能：手动对准/原位对准验证自动对准动态对准/自动边缘对准对准偏移校正算法EVG620NT产量:全自动：弟一批生产量：每小时180片全自动：吞吐量对准：每小时140片晶圆晶圆直径（基板尺寸）：高达150毫米对准方式：上侧对准：≤±0.5µm底侧对准：≤±1,0µm红外校准：≤±2,0µm/具体取决于基材键对准：≤±2,0µmNIL对准：≤±3.0µm曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿：全自动软件控制曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制：操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR实时远程访问，诊断和故障排除工业自动化功能：盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理纳米压印光刻技术：SmartNIL®EVG的掩模对准目标是适用于高达300mm的不同的厚度，尺寸，形状的晶圆和基片。中国香港光刻机美元价

IQAligner®NT特征：零辅助桥接工具-双基板概念，支持200mm和300mm的生产灵活性吞吐量>200wph（手次打印）间端对准精度：顶侧对准低至250nm背面对准低至500nm宽带强度>120mW/cm²（300毫米晶圆）完整的明场掩模移动（FCMM）可实现灵活的图案定位并兼容暗场掩模对准非接触式原位掩膜到晶圆接近间隙验证超平坦和快速响应的温度控制晶片卡盘，出色的跳动补偿手动基板装载能力返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统远程技术支持和GEM300兼容性智能过程控制和数据分析功能[FrameworkSoftwarePlatform]用于过程和机器控制的集成分析功能设备和过程性能根踪功能并行/排队任务处理功能智能处理功能发生和警报分析智能维护管理和跟踪北京HVM光刻机我们用持续的技术和市场领导地位证明了自己的实力，包括EVG在使用各种非标准抗蚀剂方面的无人可比的经验。

EVGroup企业技术总监ThomasGlinsner博士证实：“我们看到支持晶圆级光学器件的设备需求正在急剧增加。”“JIN从今年年初开始，我们就向大型WLO制造商交付了多个用于透镜成型和堆叠以及计量的系统，以进行大批量生产。此类订单进一步巩固了EVG在该领域市场LINGDAOZHE的地位，同时创造了新兴应用程序中有大量新机会。”业界LINGXIAN的设备制造商ZUI近宣布了扩大其传感领域业务目标的计划，以帮助解决客户日益激进的上市时间窗口。根据市场研究和策略咨询公司YoleDéveloppement的说法，下一代智能手机中正在设计十多种传感器。其中包括3D感测相机，指纹传感器，虹膜扫描仪，激光二极管发射器，激光测距仪和生物传感器。总体而言，光纤集线器预计将从2016年的106亿美元增长到2021年的180亿美元，复合年增长率超过11％*。

这使得可以在工业水平上开发新的设备或工艺，这不仅需要高度的灵活性，而且需要可控和可重复的处理。EVG在要求苛刻的应用中积累了多年的旋涂和喷涂经验，并将这些知识技能整合到EVG100系列中，可以利用我们的工艺知识为客户提供支持。光刻胶处理设备有：EVG101光刻胶处理，EVG105光刻胶烘焙机，EVG120光刻胶处理自动化系统；EVG150光刻胶处理自动化系统。如果您需要了解每个型号的特点和参数，请联系我们，我们会给您提供蕞新的资料。或者访问岱美仪器的官网获取相关信息。HERCULES平台是“一站式服务”平台。

EVG®120--光刻胶自动化处理系统EVG®120是用于当洁净室空间有限，需要生产一种紧凑的，节省成本光刻胶处理系统。新型EVG120通用和全自动光刻胶处理工具能够处理各种形状和尺寸达200mm/8“的基板。新一代EVG120采用全新的超紧凑设计，并带有新开发的化学柜，可用于外部存储化学品，同时提供更高的通量能力，针对大批量客户需求进行了优化，并准备在大批量生产（HVM）中使用EVG120为用户提供了一套详尽的好处，这是其他任何工具所无法比拟的，并保证了蕞高的质量各个应用领域的标准，拥有成本却非常低。HERCULES对准精度：上侧对准：≤±0.5µm；底侧对准：≤±1,0µm；红外校准：≤±2,0µm/具体取决于基材。中国香港光刻机美元价

EVG已经与研究机构合作超过35年，能深入了解他们的独特需求。中国香港光刻机美元价

光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂层平台（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG所有光刻设备平台均为300mm，可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中，并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装：在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口；在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂；负侧壁，带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间；用于LIGA结构的高纵横比结构，用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果；西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上，展示了膏分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力；MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。中国香港光刻机美元价