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    CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种,即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅,主要用于外延硅淀积,多晶硅淀积,淀积氧化硅膜,淀积氮化硅膜,太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。5.蚀刻气体(Etchinggases)：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉,而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来,这样便在基片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是,图形边缘整齐,线条清晰,图形变换差小,且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体,通常多为氟化物气体,例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强、工艺控制精确、方便、无脱胶现象、无基片损伤和沾污,所以其应用范围日益***。6.掺杂气体(DopantGases)：在半导体器件和集成电路制造中,将某种或某些杂质掺入半导体材料内,以使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率,用来制造PN结、电阻、埋层等。掺杂工艺所用的气体掺杂源被称为掺杂气体。福建二氧化碳标准气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。四川乙炔标准气体厂家有哪些

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    实验室之间的比对、**比对应由牵头实验室与二、三个提名比对实验室与二、三个提名比对实验室拟定详细的比对技术方案。比对的技术方案应包括：1、样品的详细描述；2、运输过程的注意事项；3、比对实验室在接收样品时应采取的措施；4、比对开始前应进行的检验，如压力等；5、比对分析时使用标准的条件；6、比对结果的说明；7、如何估处不确定度；8、参加比对的每个标准对SI单的溯源性；9、比对结果与牵头实验室沟通的时间表；10、比对经费；11、比对结果的报告格式。标准气体比对结果编辑参加比对的实验室必须尽可能快地向牵头实验室报告比对结果，**迟在比对测量完成后六个星期将测量结果、不确定度以及所需信息，以技术方案中给出的比对结果的报告格式交给牵头单位。标准气体注意事项编辑1、可燃气体的限从安全的角度出发，在制备标准气体之前，必须对标准气体混合的可行性进行研究。特别要考虑各组分气体的极限，在制备由可燃气体和氢气（或氧气）组成的标准气体时，要注意组分气体含量是否超过限的问题。否则在制备过程中，可能发生**。限是可燃性气体的重要技术数据。在配制含有可燃气体组分的标准气体前，必须了解该组分的限。四川乙炔标准气体厂家有哪些