pco.edge 4.2 bi UV用于薄膜分析

（文献部分内容摘抄）

椭圆偏振光谱法是一种无损的光学表面表征技术。它通过以倾斜入射角度照射偏振电磁辐射来探测样品，光子能量通常在电磁波谱的紫外部分到红外部分之间。椭圆偏振光谱一般检测探测光束的偏振椭圆的任何变化--因此得名“椭圆偏振光谱”，这种变化可能发生在探测光束从样品表面反射时。这种变化几乎是由覆盖样品表面的任何薄膜引入的，因此，椭圆偏振光谱的主要应用之一是确定薄膜的厚度，范围通常在0.1nm到20 um之间。

特别是成像椭偏仪将传统的椭偏仪与光学显微镜相结合，从而使椭偏仪研究的横向分辨率降至1um。因此，它非常适合于研究结构化或非常小的样品，如二维材料的MEMs、FETs、生物芯片或薄片。

近年来，人们对使用宽带隙半导体如碳化硅(Sic)、氮化(GaN)等的高功率电子学越来越感兴趣。为了表征这些材料，重要的是要用光子能量高于材料带隙的电磁辐射探测样品。由于较短波长具有较高的光子能量，因此比较好在尽可能短的波长下进行椭偏研究。

作为成像椭偏仪的一些的生产商已经使用CCD和CMOS相机技术超过20年。关于紫外线范围，到目前为止，他们的产品由于缺乏适当的、科学级的、高灵敏度、低噪声的探测器而受到限制，因此只能使用下述方法进行250 nm以下的研究精密的背照式小型CMOS相机。

随着pco.edge 4.2 bi UV的出现，edge 4.2紫外线相机完全改变了这种情况。作为一种低光照应用，成像椭偏仪尤其受益于sCMOS技术的超高灵敏度和极低的噪声水平。结合事实上，pco.edge 4.2 bi UV紫外线额外的特点一个非常好的响应在紫外光谱的光，这次，有可能建立一个成像椭球仪的工作在190 nm至1000 nm的波长范围。

成像椭偏仪 EP4是一个模块化设备，可配备多种光源、探测器和样品处理系统。可以对小样本以及直径达300毫米的硅片进行研究。

德国/ Excelitas PCO 公司的pco.edge 4.2 bi UV相机，具备超高灵敏度、极低的噪声水平、光谱响应敏捷的优点，将紫外实验过程完美记录，为实验提供强而有力的图像数据支持。

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