在一实施例中，为了保护该金属层，并且降低物理应力与热应力的影响，该基板结构更包含：一树酯层，具有相对应的一第五表面与一第六表面，其中该第五表面的形状相应于该第四表面。在一实施例中，为了让基板结构所承载的半导体组件的设计简化，其中该边框结构区域依序包含***边结构区域、第二边结构区域、第三边结构区域与第四边结构区域，该***边结构区域与该第三边结构区域的宽度相同。在一特定实施例中，为了让基板结构所承载的半导体组件的设计更加简化，其中该***边结构区域、该第二边结构区域、该第三边结构区域与该第四边结构区域的宽度相同。在一实施例中，为了让基板结构适应所承载的半导体组件的不同设计，其中该边框结构区域依序包含***边结构区域、第二边结构区域、第三边结构区域与第四边结构区域，该***边结构区域与该第三边结构区域的宽度不同。在一特定实施例中，为了让基板结构适应所承载的半导体组件的具有更大的设计弹性，其中该***边结构区域、该第二边结构区域、该第三边结构区域与该第四边结构区域的宽度均不相同。在一实施例中，为了配合大多数矩形芯片的形状，其中该中心凹陷区域是矩形。在一实施例中，为了配合大多数方形芯片的形状。半导体级4-12inc晶圆片。汕头半导体晶圆厂家供应
该晶圆制作方法1500可以用于制作本申请所欲保护的其他基板结构，而不只限于基板结构1000。步骤1510：提供晶圆。该晶圆可以是图13或14所示的晶圆1300或1400。在图16a当中，可以看到晶圆层820的剖面。图16a的晶圆层820的上表面，是图10a实施例所说的第二表面822。步骤1520：根据所欲切割芯片的大小与图样，涂布屏蔽层。在图16b当中，可以看到屏蔽层1610的图样，形成在晶圆层820的上表面。而每一个芯片预定区域的屏蔽层1610的图样，至少要在该芯片的周围形成边框区域。当所欲实施的基板结构如同图8a~10b所示的基板结构800~1000，或是具有内框结构时，则屏蔽层1610的图样可以涵盖这些内框结构的区域。在一实施例当中，上述的屏蔽层可以是光阻层(photoresistlayer)，也可以是其他如氮化硅之类的屏蔽层。步骤1530：对晶圆进行蚀刻。蚀刻的方式可以包含湿式蚀刻、干式蚀刻、电浆蚀刻、反应离子蚀刻(rie,reactiveionetching)等。如图16c所示，蚀刻的深度可以约为该晶圆层820厚度的一半，但本申请并不限定蚀刻步骤的厚度。在步骤1530之后，形成芯片边缘的边框结构与/或芯片内部的方框结构。利用两个步骤1520与1530，可以形成该晶圆上所有芯片的晶圆层的全部边框结构与内框结构。汕头半导体晶圆厂家供应半导体晶圆量大从优..
本实用新型涉及一种半导体晶圆湿法清洗治具。背景技术：湿法清洗是半导体生产中被***接受和使用，作为半导体制造过程中，由于其成本低，可靠性高等优点被***使用。通常的湿法清洗过程是将需要清洗的晶圆放置到特定的花篮中，然后将承载晶圆的花篮放置于相应的清洗烧杯中，清洗烧杯中盛放可以清洗晶圆的溶液，根据不同的清洗要求，清洗烧杯会放置在带有加热或者超声功能的清洗槽内。传统的晶圆清洗花篮通常将晶圆竖直放置，通过卡槽固定，此种方式存在如下缺陷：由于标准晶圆清洗花篮的卡槽通常设计的较窄，人为操作取、放片时手易抖动、位置把握不准等因素，晶圆容易和卡槽周边发生碰撞、挤压，造成晶圆破碎。如果在设计时增大花篮卡槽宽度的话，运输和清洗操作过程中晶圆在卡槽内容易大幅度晃动，产生较大的冲击力，同样会造成晶圆破碎。为了解决这一问题，出现了一些水平放置清洗花篮，晶圆在花篮中水平放置，可以避免竖直放置型花篮容易导致晶圆破损的问题。现有水平放置清洗花篮通常被设计为特定尺寸的圆形花篮，但是随着半导体技术的发展，在产品流线中一般会有多种尺寸、多种不同形状的晶圆同时流片，传统方法只能定制不同尺寸的花篮进行使用，这增加了设备的持有成本。
非脉冲模式)时晶圆上的通孔或槽确定没有被清洗干净；第四步是采用sems或元素分析工具如edx检测以上五片晶圆的通孔或槽内的可追踪的残留物状态。步骤一至步骤四可以重复数次以逐步缩短时间τ2直到观察到通孔或槽内的可追踪残留物。由于时间τ2被缩短，气泡的体积无法彻底缩小，从而将逐步堵塞图案结构并影响清洗效果，这个时间被称为临界冷却时间τc。知道临界冷却时间τc后，时间τ2可以设置为大于2τc以获得安全范围。更详细的举例如下：***步是选择10个不同的时间τ1作为实验设计(doe)的条件，如下表3所示的τ10，2τ10,4τ10,8τ10,16τ10,32τ10,64τ10,128τ10,256τ10,512τ10；第二步是选择时间τ2至少是10倍的512τ10，在***屏测试时**好是20倍的512τ10，如表3所示；第三步是确定一功率p0分别在具有特定的图案结构的晶圆上运行以上10个条件，此处，p0为运行连续模式(非脉冲模式)时晶圆上的通孔或槽确定没有被清洗干净；第四步是使用表3所示的上述条件处理等离子刻蚀后的10片具有通孔或槽的晶圆，选择等离子刻蚀后的晶圆的原因在于刻蚀过程中会在槽和通孔侧壁产生聚合物，这些位于通孔底部或侧壁上的聚合物难以用传统方法去除。半导体晶圆销售厂家、。
然后采用sems处理晶圆的截面检测10片晶圆上通孔或槽的清洗状态，数据如表3所示。从表3可以看出，对于#6晶圆，τ1＝32τ10，清洗效果达到**佳点，因此**佳时间τ1为32τ10。表3如果没有找到峰值，那么设置更宽的时间τ1重复步骤一至步骤四以找到时间τ1。找到**初的τ1后，设置更窄的时间范围τ1重复步骤一至步骤四以缩小时间τ1的范围。得知时间τ1后，时间τ2可以通过从512τ2开始减小τ2到某个值直到清洗效果下降以优化时间τ2。详细步骤参见表4，从表4可以看出，对于#5晶圆，τ2＝256τ10，清洗效果达到**优，因此**佳时间τ2为256τ10。表4图21a至图21c揭示了根据本发明的另一个实施例的清洗工艺。该清洗工艺与图20a-20d所示的相类似，不同在于该实施例中即使气泡达到了饱和点rs，电源仍然打开且持续时间为mτ1，此处，m的值可以是，推荐为2，取决于通孔和槽的结构以及所使用的清洗液。可以通过类似图20a-20d所示的方法通过实验优化m的值。图22a至22b揭示了根据本发明的利用声能清洗晶圆的一个实施例。在时间段τ1内，以声波功率p1作用于清洗液，当***个气泡的温度达到其内爆温度点ti，开始发生气泡内爆，然后，在温度从ti上升至温度tn(在时间△τ内)的过程中。天津12英寸半导体晶圆代工。汕头半导体晶圆厂家供应
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其中该中心凹陷区域是方形。在一实施例中，为了让基板区域的电阻值降低，其中在该边框结构区域的该***表面至该第二表面的距离，大于或等于在该凹陷区域的该***表面至该第二表面的距离的两倍。在一实施例中，为了让基板区域的电阻值降低，其中在该边框结构区域的该***表面至该第二表面的距离，大于或等于在该***环状凹陷区域或该中心凹陷区域的该***表面至该第二表面的距离的两倍。在一实施例中，为了让基板区域的电阻值降低，其中在该边框结构区域的该***表面至该第二表面的距离，大于或等于在该***内框结构区域的该***表面至该第二表面的距离。在一实施例中，为了节省金属层的厚度以便节省成本，其中该第四表面具有向该第三表面凹陷的一金属层凹陷区域，该金属层凹陷区域在该第二表面的投影区域位于该中心凹陷区域当中。在一实施例中，为了设计与制作的方便，其中该金属层凹陷区域与该凹陷区域的形状相应，该金属层凹陷区域的面积小于该中心凹陷区域的面积。根据本申请的一实施例，提供一种半导体晶圆，其特征在于，其中该半导体晶圆当中预定切割出一***芯片区域，该***芯片区域包含如所述的半导体组件的基板结构。在一实施例中。汕头半导体晶圆厂家供应
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