提供具有边框结构的基板结构、半导体晶圆、以及晶圆制作方法。根据本申请的一实施例，提供一种承载半导体组件的基板结构，其特征在于，包含：一晶圆层，具有相对应的一***表面与一第二表面，其中该第二表面具有向该***表面凹陷的一中心凹陷区域，该中心凹陷区域位于该第二表面当中，使得该晶圆层的一边框结构区域环绕在该第二表面周围；以及一金属层，具有相对应的一第三表面与一第四表面，该第三表面完全贴合于该第二表面。在一实施例中，为了弥补较薄晶圆层的结构强度，其中该第二表面更包含具有向该***表面凹陷的一***环状凹陷区域，该***环状凹陷区域与该中心凹陷区域位于该第二表面当中，使得该晶圆层在该***环状凹陷区域与该中心凹陷区域之间形成环状的一***内框结构区域。在一特定实施例中，为了更弥补较薄晶圆层的结构强度，其中该第二表面更具有向该***表面凹陷的第二环状凹陷区域，该第二环状凹陷区域位于该第二表面当中，使得该晶圆层在该第二环状凹陷区域与该中心凹陷区域之间形成环状的一第二内框结构区域，该***环状凹陷区域完全包含环状的该***内框结构区域，该***内框结构区域完全包围该第二环状凹陷区域，该第二环状凹陷区域完全包围该第二内框结构区域。进口半导体晶圆产品的价格。天水半导体晶圆诚信为本
图3为依据本发明另一实施方式的半导体晶圆干燥设备的剖视图。具体实施方式以下将以附图公开本发明的多个实施方式。为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明的部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。附图与说明书中尽可能使用相同的元件符号表示相同或相似的部分。除非另外定义，否则本文使用的所有术语(包含技术以及科学术语)对于所属领域中的技术人员通常理解的涵义。还应理解到，诸如常用的字典中定义的术语的解读，应使其在相关领域与本发明中具有一致的涵义，且将不以理想化或过度正式的意义解释，除非明确如此定义。请参照图1，其为依据本发明一实施方式的半导体晶圆干燥设备100的剖视图。半导体晶圆干燥设备100是用以干燥半导体晶圆200，半导体晶圆200为包含半导体材料的圆形薄片，其常用于集成电路的制造。在本实施方式中，如图1所示，半导体晶圆干燥设备100包含基座110、壳体120以及微波产生器130。基座110被配置成承载半导体晶圆200。壳体120以金属制成。大连标准半导体晶圆为了提高颗粒去除效率(pre)。
如图28c所示。电压衰减电路26090的衰减率的设置范围在5-100之间，推荐20。电压衰减可以用如下公式表达：vout＝(r2/r1)*vin假设r1＝200k,r2＝r3＝r4＝10k,vout＝(r2/r1)*vin＝vin/20其中，vout是电压衰减电路26090输出的振幅值，vin是电压衰减电路26090输入的振幅值，r1、r2、r3、r4是两个运算放大器28102及28104的电阻。图29a至图29c揭示了根据本发明的一个实施例的如图26所示的整形电路26092的示例。参考图26所示，电压衰减电路26090的输出端连接整形电路26092。电压衰减电路26090输出的波形输入到整形电路26092，整形电路26092将电压衰减电路26090输出的正弦波转化为方波以便主控制器26094处理。如图29a所示，整形电路26092包括窗口比较器29102及或门29104。当vcal-图30a至图30c揭示了根据本发明的一个实施例的如图26及图27所示的主控制器26094的示例。如图30a所示，主控制器26094包括脉冲转换模块30102和周期测量模块30104。脉冲转换模块30102用来将τ1时间的脉冲信号转换为高电平信号，τ2时间的低电平信号保持不变，如图30b-30c所示。图30a示意了脉冲转换模块30102的电路符号，其中，clk_sys为50mhz时钟信号，pulse_in为输入信号，pulse_out为输出信号。
但本领域普通技术人员可以理解到，晶圆制作方法1500的各个步骤不*可以对一整个晶圆进行，也可以针对单一个芯片进行。在一实施例当中，如果要让内框结构的晶圆层厚度小于边框结构的晶圆层厚度，可以反复执行步骤1520与1530。在***次执行步骤1520时，屏蔽层的图样*包含边框区域。***次执行蚀刻步骤1530时，蚀刻的深度到达内框结构的厚度。接着，第二次执行步骤1530，屏蔽层的图样包含了内框区域。接着，第二次的蚀刻步骤1530可以将晶圆层蚀刻到一半的高度。如此一来，就有厚薄不一的边框结构与方框结构。步骤1540：去除晶圆上的屏蔽层。如图16d所示，屏蔽层1610已经被去除。本领域普通技术人员可以理解到，去除屏蔽层是公知的技术，不在此详述。步骤1550：在晶圆上制造一或多层金属层。本步骤可以在蚀刻后的第二表面822上制造该金属层。步骤1550可以使用多种工法的其中之一来进行。这些工法包含溅射(sputter)、蒸镀或化学气相沉积(cvd,chemicalvapordeposition)、电镀(plating)或是涂布法。金属层可以包含一或多层金属层，该金属层可以包含单一金属、合金或金属化合物。举例来说，该金属层可以包含钛镍银镍合金(tiniagni)、镍铝合金(alni)、铝铜钴合金(alcuni)、钛铜镍合金。国内半导体晶圆 代工公司。
ticuni)、钛合金、钒镍合金、银合金、镍合金、铜合金、纯钴，也可以包含铝、钛、镍、银、镍、铜各种金属的合金。本领域普通技术人员可以理解到，可以根据该芯片所实作的制作工艺不同，成本不同，以及其所要应用的环境与规格不同，调整上述金属层310的成分与厚薄。在一实施例中，该第三表面313与第四表面314的厚度，介于25-50um之间。在另一实施例当中，两者介于6-30um之间。如图3所示，该第三表面313与第四表面314的**大距离，出现在芯片的中间处，也就是半导体组件层130的元器件投影在该***表面321的相应之处。如此，在芯片中间的金属层310增厚，可以降低金属层310的电阻值，进一步减少半导体元器件的电流路径的总电阻值。以便减少消耗功率，降低热耗损，增进芯片的使用寿命。请参考图4所示，其为根据本申请一实施例的半导体基板的结构400的一剖面示意图。图4所示的结构400所包含的各组件，如果符号与图3所示的结构300所包含的组件相同者，则可以适用图3所示实施例的叙述。和图3所示的结构300相比，图4的结构400更加包含了一环氧树酯(epoxyresin)层或树酯层440。环氧树酯又称作人工树酯、人造树酯、树酯胶，其得名于其结构上的环氧基。开封怎么样半导体晶圆?洛阳半导体晶圆来电咨询
什么才可以称为半导体晶圆？天水半导体晶圆诚信为本
其中该中心凹陷区域是矩形。进一步的，为了配合大多数方形芯片的形状，其中该中心凹陷区域是方形。进一步的，为了让基板区域的电阻值降低，其中在该边框结构区域的该***表面至该第二表面的距离，大于或等于在该凹陷区域的该***表面至该第二表面的距离的两倍。进一步的，为了让基板区域的电阻值降低，其中在该边框结构区域的该***表面至该第二表面的距离，大于或等于在该***环状凹陷区域或该中心凹陷区域的该***表面至该第二表面的距离的两倍。进一步的，为了让基板区域的电阻值降低，其中在该边框结构区域的该***表面至该第二表面的距离，大于或等于在该***内框结构区域的该***表面至该第二表面的距离。进一步的，为了节省金属层的厚度以便节省成本，其中该第四表面具有向该第三表面凹陷的一金属层凹陷区域，该金属层凹陷区域在该第二表面的投影区域位于该中心凹陷区域当中。进一步的，为了设计与制作的方便，其中该金属层凹陷区域与该凹陷区域的形状相应，该金属层凹陷区域的面积小于该中心凹陷区域的面积。根据本申请的一方案，提供一种半导体晶圆，其特征在于，其中该半导体晶圆当中预定切割出一***芯片区域，该***芯片区域包含如所述的半导体组件的基板结构。进一步的。天水半导体晶圆诚信为本
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