2025年3月10日至12日中国上海国际先进陶瓷博览会

注射成型过程中由于工艺参数控制不当，或者是喂料本身缺陷，以及模具设计不合理等因素，容易造成诸如欠注、断裂、孔洞、变形、毛边等各种缺陷。结合具体过程，对常见的注射缺陷进行分析，并加以控制，以提高生产率和喂料的利用率。1、欠注缺陷，指喂料在充模过程中不能充满整个模腔。一般在刚开始注射时产生，可能是由喂料温度或模具温度过低、加料量不足、喂料粘度过大等因素引起的。通过增加预塑时间升高喂料温度、升高模具温度、加大进料量、升高注射温度降低喂料粘度等措施可以消除此缺陷。2、断裂缺陷断裂。一般发生在脱模中，往往是脆断。主要是因为模具温度太低，或者是保压和冷却时间过长，使得坯体温度大幅下降，引起的收缩太大使坯体紧紧箍在下部凸模上，在模具顶出机构的强烈冲击下，很容易引起脆断。通过适当升高模温以及减少保压和冷却时间，在脱模过程中可以避免断裂。3、孔洞缺陷，孔洞，指在生坯的横截面上可以发现的孔隙。有的是一个近圆形的小孔，有的就发展为几乎贯穿生坯坯体的中心通孔，这是常见的缺陷，注射成型样品不同部位产生的气孔的原因也不一样。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。中國‌國際先進陶瓷展览会，为行业搭建品质的全产业链创新互动平台。2025年3月10日上海世博展览馆！2025年3月10日至12日中国上海国际先进陶瓷博览会

陶瓷注射成型技术作为一种新兴的精密制造技术，有着其不可比拟的独特优势。成为国内外精密陶瓷零部件中具有优势的先進制备技术。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。五展联动孕育无限发展商机IACE CHINA 2025将与第17届中國‌國際粉末冶金及硬质合金展览会（PM CHINA）、2025上海国际线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEX CHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。本届展会（2025年）展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！2025年3月10日至12日中国上海国际先进陶瓷博览会2025年3月10日，让我们相聚中國‌國際先進陶瓷展览会，共商共享，共创未来。探索先進制造的万千可能。

碳化硅半导体属于高度技术密集型行业，具有较高的技术、人才、资金、资源和认证壁垒，高度依赖于技术及生产经验。受日益旺盛的需求影响，目前各路资本争相投资，碳化硅产业成为热门赛道。大量资本的涌入加剧了碳化硅的行业竞争。同时，全球碳化硅半导体行业市场集中度较高，市场份额主要被美国、欧洲、日本等國‌家和地区的企业占据，国内企业未来将面临國際先进企业和国内新进入者的双重竞争。若竞争过早进入白热化，会对大批初创科技型碳化硅企业的成长造成致命打击。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！

目前，陶瓷注射成型技术开始向精密化发展，研究与开发的重点由过去的高温非氧化物陶瓷(如氮化硅、碳化硅)扩展为氧化物陶瓷(如氧化锆、氧化铝)、功能陶瓷、生物陶瓷产品，种类越来越多，其主要应用领域如下。一、光通讯用精密陶瓷部件主要有光纤连接器用氧化锆多晶陶瓷插芯和陶瓷套管。因为其尺寸小、精度高、内孔直径只有125微米，因此只能采用注射成型。目前光纤连接器所需陶瓷插芯和陶瓷套管主要由中国制造，而日本京瓷、东陶、Adamand等国外公司生产的产品在不断减少。光纤连接器用陶瓷插芯与套管二、生物陶瓷制品主要包括人造陶瓷牙齿、种植牙陶瓷固定螺杆、人工关节、固定牙冠套、牙齿正畸用陶瓷托槽等，如图3所示。据世界卫生组织统计，牙齿畸形并发率约为49%，在美国50-60%的家庭都会进行牙齿正畸，必须配带牙齿矫形托槽。采用陶瓷注射成型生产的该类产品尺寸精度高且性能良好，在国内的市场前景开阔。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。先進制造业新发展格局“中國‌國際先進陶瓷展览会：展会将于2025年3月10日上海世博展览馆开幕。

碳化硅外延制作方法包括化学气相沉积法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脉冲激光淀积和升华法（PLD）等。其中CVD法较为普及，该方法能精确控制生长条件，包括气体源流量、温度和压力，从而精确控制外延层的厚度、掺杂浓度和类型，重复性良好，设备适中，为目前主流技术。液相外延法和分子束外延法虽理论上可行，但外延制作的质量、效率和成本均不如CVD法，不适合商业化应用。碳化硅外延设备的密闭性、气压、气体通入时间、配比和沉积温度均需精确控制。器件耐压提升，厚度和掺杂浓度均匀性的控制难度增加；外延层厚度增加，控制均匀性和缺陷密度的难度增加。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！云集中外杰出供应商的中國‌國際先進陶瓷展览会！2025年3月10-12日，新之联伊丽斯诚邀您相聚上海！先进陶瓷技术专题论坛

2025年3月10-12日，让我们相聚中國‌國際先進陶瓷展览会，共同探索先進陶瓷行业的万千可能！2025年3月10日至12日中国上海国际先进陶瓷博览会

在半导体制造领域，增大晶片尺寸是提高半导体产品竞争力的关键途径。对于同一规格的芯片，随着晶圆尺寸增加，边缘管芯（Die）数量占比缩小，晶圆利用率大幅增加。按晶圆面积测算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积是6英寸晶圆面积的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积则是4英寸晶圆面积的近4.3倍。根据Wolfspeed测算，一片8英寸碳化硅晶片可以产出845颗32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片产出的近2倍；边缘管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圆利用率，将进一步降低碳化硅芯片单位成本。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！2025年3月10日至12日中国上海国际先进陶瓷博览会