对于DDR2和DDR3,时钟信号是以差分的形式传输的,而在DDR2里,DQS信号是以单端或差分方式通讯取决于其工作的速率,当以高度速率工作时则采用差分的方式。显然,在同样的长度下,差分线的切换时延是小于单端线的。根据时序仿真的结果,时钟信号和DQS也许需要比相应的ADDR/CMD/CNTRL和DATA线长一点。另外,必须确保时钟线和DQS布在其相关的ADDR/CMD/CNTRL和DQ线的当中。由于DQ和DM在很高的速度下传输,所以,需要在每一个字节里,它们要有严格的长度匹配,而且不能有过孔。差分信号对阻抗不连续的敏感度比较低,所以换层走线是没多大问题的,在布线时优先考虑布时钟线和DQS。DDR4物理层一致性测试;机械DDR测试协议测试方法
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大部分的DRAM都是在一个同步时钟的控制下进行数据读写,即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根据时钟采样方式的不同,又分为SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 。SDR SDRAM只在时钟的上升或者下降沿进行数据采样,而DDR SDRAM在时钟的上升和下降 沿都会进行数据采样。采用DDR方式的好处是时钟和数据信号的跳变速率是一样的,因 此晶体管的工作速度以及PCB的损耗对于时钟和数据信号是一样的。 PCI-E测试DDR测试安装DDR有那些测试解决方案;
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什么是DDR?
DDR是双倍数据速率(DoubleDataRate)。DDR与普通同步动态随机内存(DRAM)非常相象。普通同步DRAM(现在被称为SDR)与标准DRAM有所不同。标准的DRAM接收的地址命令由二个地址字组成。为节省输入管脚,采用了复用方式。地址字由行地址选通(RAS)锁存在DRAM芯片。紧随RAS命令之后,列地址选通(CAS)锁存第二地址字。经过RAS和CAS,存储的数据可以被读取。同步动态随机内存(SDRDRAM)将时钟与标准DRAM结合,RAS、CAS、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。根据时钟指示,可以预测数据和其它信号的位置。因而,数据锁存选通可以精确定位。由于数据有效窗口的可预计性,所以可将内存划分成4个组进行内部单元的预充电和预获取。通过突发模式,可进行连续地址获取而不必重复RAS选通。连续CAS选通可对来自相同行的数据进行读取。
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要注意的是,由于DDR的总线上存在内存控制器和内存颗粒两种主要芯片,所以DDR的信号质量测试理论上也应该同时涉及这两类芯片的测试。但是由于JEDEC只规定了对于内存颗粒这一侧的信号质量的要求,因此DDR的自动测试软件也只对这一侧的信号质量进行测试。对于内存控制器一侧的信号质量来说,不同控制器芯片厂商有不同的要求,目前没有统一的规范,因此其信号质量的测试还只能使用手动的方法。这时用户可以在内存控制器一侧选择测试点,并借助合适的信号读/写分离手段来进行手动测试。 DDR测试眼图测试时序测试抖动测试;
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DDR的信号仿真验证由于DDR芯片都是采用BGA封装,密度很高,且分叉、反射非常严重,因此前期的仿真是非常必要的。是借助仿真软件中专门针对DDR的仿真模型库仿真出的通道损耗以及信号波形。仿真出信号波形以后,许多用户需要快速验证仿真出来的波形是否符合DDR相关规范要求。这时,可以把软件仿真出的DDR的时域波形导入到示波器中的DDR测试软件中,并生成相应的一致性测试报告,这样可以保证仿真和测试分析方法的一致,并且便于在仿真阶段就发现可能的信号违规。 DDR平均速率以及变化情况;机械DDR测试协议测试方法
什麽是DDR内存?如何测试?机械DDR测试协议测试方法
9.DIMM之前介绍的大部分规则都适合于在PCB上含有一个或更多的DIMM,独有例外的是在DIMM里所要考虑到去耦因素同在DIMM组里有所区别。在DIMM组里,对于ADDR/CMD/CNTRL所采用的拓扑结构里,带有少的短线菊花链拓扑结构和树形拓扑结构是适用的。
10.案例上面所介绍的相关规则,在DDR2PCB、DDR3PCB和DDR3-DIMMPCB里,都已经得到普遍的应用。在下面的案例中,我们采用MOSAID公司的控制器,它提供了对DDR2和DDR3的操作功能。在SI仿真方面,采用了IBIS模型,其存储器的模型来自MICRONTechnolgy,Inc。对于DDR3SDRAM的模型提供1333Mbps的速率。在这里,数据是操作是在1600Mbps下的。对于不带缓存(unbufferedDIMM(MT_DDR3_0542cc)EBD模型是来自MicronTechnology,下面所有的波形都是采用通常的测试方法,且是在SDRAMdie级进行计算和仿真的。 机械DDR测试协议测试方法