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企业商机 - 深圳市南科功率半导体有限公司
  • 上海场效应晶体三极管供应 发布时间:2024.06.19

    三极管的应用:①稳压功能,三极管还具有稳压功能,可以用于稳定电压。通过调整三极管的工作状态,可以使电路的输出电压保持稳定。在稳压电源、电池充电器中应用较多。除了以上应用外,三极管还可以用于振荡器、调制...

  • 合理的热设计余量,这个就不多说了,各个企业都有自己的降额规范,严格执行就可以了,不行就加散热器。MOSFET发热原因分析,做电源设计,或者做驱动方面的电路,难免要用到MOS管。MOS管有很多种类,也有...

  • 东莞晶体二极管市场价格 发布时间:2024.06.18

    反向偏置(Reverse Bias),在阳极侧施加相对阴极负的电压,就是反向偏置,所加电压为反向偏置。这种情况下,因为N型区域被注入空穴,P型区域被注入电子,两个区域内的主要载流子都变为不足,因此结合...

  • 频率倍增用二极管,频率倍增用二极管英文名称为Frequency doubled diode,对二极管的频率倍增作用而言,有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃(即急变)二极管的频率倍增。频率倍增用的变容...

  • 徐州功率三极管哪家好 发布时间:2024.06.17

    三极管主要参数,三极管的参数有很多,可以分成三大类:直流参数、交流参数、极限参数。1、直流参数,共发射极直流放大倍数:共发射极电路中,没有交流输入时,集电极电流与基极电流之比;集电极-基极反向截至电流...

  • 东莞家用电器二极管哪家好 发布时间:2024.06.17

    稳压二极管和普通二极管电性能区别,稳压二极管和普通二极管在电性能方面也存在明显差异。稳压二极管的电性能主要表现在稳定的工作电压、稳定的反向阻断电压和低动态电阻等方面。这使得稳压二极管在需要高精度控制电...

  • 东莞发光二极管供应商 发布时间:2024.06.17

    瞬态抑制二极管(TVS管),瞬态电压抑制二极管英文名称为Transient Voltage Suppressor,简称TVS,它是一种高效保护器件的一种二极管。当瞬态电压抑制二极的两极受到反向瞬态高能...

  • 南京半导体场效应管厂家 发布时间:2024.06.17

    雪崩失效分析(电压失效),底什么是雪崩失效呢,简单来说MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOSFET漏源之间,导致的一种失效模式。简而言之就是由于就是M...

  • 深圳单向导电二极管价格 发布时间:2024.06.17

    二极管是否损坏如何判断:(1)极性的判别,将万用表置于R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大(为反...

  • 佛山变容二极管工作原理 发布时间:2024.06.16

    二极管的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。二极管工作原理(正向导电,反向不导电),晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成了空间...

  • 硅管二极管批发 发布时间:2024.06.16

    20世纪初,由于无线电接收器探测器的需要,热离子二极管(真空管)和固态二极管(半导体二极管)大约在相同的时间分别研发。直到20世纪50年代之前,真空管二极管在收音机中都更为常用。这是因为早期的点接触式...

  • 耗尽型场效应管行价 发布时间:2024.06.16

    MOSFET的特性和作用:MOS管导作用,MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于SiO2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生电场从而导致源source和drain是...

  • 中山键型二极管市场价格 发布时间:2024.06.16

    工作原理:晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而...

  • 广州开关二极管厂商 发布时间:2024.06.16

    二极管的反向特性:当外加反向电压时,所加的反向电压加强了内电场对多数载流子的阻挡,所以二极管中几乎没有电流通过。但是这时的外电场能促使少数载流子漂移,所以少数载流子形成很小的反向电流。由于少数载流子数...

  • 中山光敏三极管加工 发布时间:2024.06.16

    三极管的参数。三极管主要性能参数:直流参数: 1、共射直流电流放大系数β;2、ICBO是发射极开路时,集电结的反向饱和电流;3、ICEO是基极开路时,集电极与发射极之间的穿透电流。交流参数: 1、共射...

  • 增强型场效应管厂家精选 发布时间:2024.06.16

    场效应管产品特性:(1)转移特性:栅极电压对漏极电流的控制作用称为转移特性。(2)输出特性: UDS与ID的关系称为输出特性。(3)结型场效应管的放大作用:结型场效应管的放大作用一般指的是电压放大作用...

  • 江门场效应管 发布时间:2024.06.16

    绝缘栅场效应管:1、绝缘栅场效应管(MOS管)的分类:绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种。2、它是由金属、氧化物和半导体所组成,所以...

  • 收音机二极管检查方法 发布时间:2024.06.16

    二极管,二极管的主要功能就是单向导电,也就是电流只能从二极管的一个方向通过,反向电流就不让过!在我们日常生活中也有类似功能的物品,比如我们小时候经常见到的鱼篓盖子,通过这个盖子只能放鱼进去,鱼却无法再...

  • 佛山漏极场效应管注意事项 发布时间:2024.06.16

    场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名,场效应管[2]是常见的电子元件,属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、...

  • 广州三极管市价 发布时间:2024.06.16

    硅三极管比锗管反向漏电流小,输出特性平直、耐压比较高,温度特性较好。常用型号有:3DG系列高频小功率硅三极管、3DX系列硅低频管、3DA系列硅高频大功率管、3CG系列硅高频管、3CK系列开关三极管、3...

  • 宁波锗管二极管 发布时间:2024.06.15

    1874年,德国物理学家卡尔·布劳恩在卡尔斯鲁厄理工学院发现了晶体的整流能力。因此1906年开发出的头一代二极管——“猫须二极管”是由方铅矿等矿物晶体制成的。早期的二极管还包含了真空管,真空管二极管具...

  • 场效应管由源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)三个主要部分组成。在JFET中,栅极和通道之间通过PN结隔离;而在MOSFET中,栅极和通道之间由一层绝缘材料(通常是二氧化硅)隔离...

  • 嘉兴场效应管尺寸 发布时间:2024.06.15

    导通电阻(R_DS(on)):场效应管导通时的漏极与源极之间的电阻。它决定了电流通过器件时的压降和功耗,较小的导通电阻意味着较低的功耗和较高的电流驱动能力。较大漏极电流(I_D(max)):场效应管能...

  • 中山半导体三极管参考价 发布时间:2024.06.15

    三极管的应用:①稳压功能,三极管还具有稳压功能,可以用于稳定电压。通过调整三极管的工作状态,可以使电路的输出电压保持稳定。在稳压电源、电池充电器中应用较多。除了以上应用外,三极管还可以用于振荡器、调制...

  • 佛山源极场效应管市场价格 发布时间:2024.06.15

    雪崩失效分析(电压失效),底什么是雪崩失效呢,简单来说MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOSFET漏源之间,导致的一种失效模式。简而言之就是由于就是M...

  • 杭州三极管价格 发布时间:2024.06.15

    三极管的分类:1、按材质分: 硅管(导通压降0.7V)、锗管(导通压降0.3V)。2、按结构分: NPN 、 PNP。3、按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管。达林顿管:又叫复合管,将两个三极...

  • 温州金属半导体场效应管 发布时间:2024.06.15

    N沟道耗尽型MOSFET场效应管的基本结构:a.结构:N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似。b.区别:耗尽型MOS管在vGS=0时,漏——源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vG...

  • 嘉兴金属三极管 发布时间:2024.06.15

    三极管的应用:放大作用,三极管较主要的功能就是放大功能。通过控制输入信号的大小,三极管可以对电流进行放大,从而实现对信号的增强。其基于小电流控制大电流的原则,通过较小的基极电流IB来控制较大的集电极电...

  • 金属三极管厂商 发布时间:2024.06.15

    三极管,又叫做双极型三极管,是一种电流控制电流型半导体元器件,目前的三极管的主要用途是信号放大,或者作为电子开关使用。复合管(达林顿管),复合晶体管是将两个和更多个晶体管的集电极连在一起,而将头一只晶...

  • 南通场效应管市价 发布时间:2024.06.15

    导电沟道的形成:当vGS数值较小,吸引电子的能力不强时,漏——源极之间仍无导电沟道出现,如图1(b)所示。vGS增加时,吸引到P衬底表面层的电子就增多,当vGS达到某一数值时,这些电子在栅极附近的P衬...

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