硅三极管比锗管反向漏电流小,输出特性平直、耐压比较高,温度特性较好。常用型号有:3DG系列高频小功率硅三极管、3DX系列硅低频管、3DA系列硅高频大功率管、3CG系列硅高频管、3CK系列开关三极管、3CX系列硅低频管等。高频管和低频管(按特征频率分),特征频率fT小于3MHz的为低频管;大于3MHz的为高频管。目前多用硅材料制成三极管,特征频率一般都大于3MHz,因此高频管和低频管的界线已不那么明显。超高频低噪声管,一般用于超高频、高频放大电路,振荡和混频电路。具有正自动增益的管科用于电视机的前级中放,微波的噪声管科用于微波通信设备坐小信号放大。三极管有NPN和PNP两种类型,实现PN结控制电流的功能。广州三极管市价
三极管的工作原理。三极管的工作原理基于小电流控制大电流的原则,其工作机制像一个可控制的阀门。根据不同的工作状态和连接方式,三极管主要可以分为三种类型:共基极(CB)、共集电极(CC)和共发射极(CE)。共基极(CB):基极端子在输入和输出端子之间是公共的。共集电极(CC):集电极端子在输入和输出端子之间是公共的。共发射极(CE):发射极端子在输入和输出端子之间是公共的。三极管的3种状态:三极管有三种状态:截止状态、放大状态和饱和状态。我们可以把三极管想象成一个水管。东莞超频三极管供应商在放大电路中,通过小信号输入变化控制大信号输出。
如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流(叫做偏置电流,图2中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的,所以它被叫做基极偏置电阻),那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时,小信号就会导致基极电流的变化,而基极电流的变化,就会被放大并在集电极上输出。另一个原因就是输出信号范围的要求,如果没有加偏置,那么只有对那些增加的信号放大,而对减小的信号无效(因为没有偏置时集电极电流为0,不能再减小了)。而加上偏置,事先让集电极有一定的电流,当输入的基极电流变小时,集电极电流就可以减小;当输入的基极电流增大时,集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。
三极管的饱和状态,当三极管发射结正偏,集电结正偏时,三极管工作在饱和状态。在饱和状态下,三极管集电极电流ic的大小已经不受基极电流ib的控制,ic与ib不再成比例关系。饱和状态下的三极管基极电流ib变大时,集电极电流ic也不会变大了,这就相当于水龙头的开关已经开得比较大了,开关再开大时,流出的水流也不会再变大了。NPN型三极管是指由两块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成的三极管;也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中较重要的器件。三极管是电子电路中较重要的器件,它较主要的功能是电流放大和开关作用,它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号,当然这种转换仍然遵循能量守恒,它只是把电源的能量转换成信号的能量。在使用三极管时,需要正确连接其基极、发射极和集电极,以确保其正常工作。
极限参数:a.集电极较大允许电流ICM集电极较大允许电流是指当集电极电流IC增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的IC值。所以当集电极电流超过集电极较大允许电流时,虽然不致使管子损坏,但β值明显下降,影响放大质量。b.集电极—基极击穿电压U(BR)CBO集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时,集电结的反向击穿电压。c.发射极—基极反向击穿电压U(BR)EBO发射极—基极反向击穿电压是指当集电极开路时,发射结的反向击穿电压。d.集电极—发射极击穿电压U(BR)CEO集电极—发射极击穿电压是指当基极开路时,加在集电极和发射极之间的较大允许电压,使用时如果UCE>U(BR)CEO,管子就会被击穿。e.集电极较大允许耗散功率PCM集电极较大允许耗散功率是指管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的较大集电极耗散功率。三极管常于模拟和数字电路、功率放大器、振荡器等电子设备中。东莞平面三极管供应
三极管的输入电阻较高,可以减少对输入信号源的负载影响。广州三极管市价
三极管的开关功能,三极管的集电极电流在一定范围内随基极电流呈线性变化,这就是放大特性。当基极电流高过此范围时,三极管集电极电流会达到饱和值 (导通),基极电流低于此范围时,三极管会进入截止状态(断路), 这种导通或截止的特性在电路中还可起到开关作用。三极管的其他功能作用,三极管配合其他元件可以构成振荡器,把一只小功率可控硅和一只大功率三极管组合,就可得到一只大功率可控硅,主要作用是扩流两只三极管串联可直接代换调光台灯中的双向触发二极管,主要是代换功能,用三极管构成的电路可以模拟其它元器件,电阻分压器构成恒压源电路,晶体管用作恒压管,晶体管反相器。广州三极管市价