二极管(英语:Diode),是一种具有不对称电导的双电极电子元件。理想的二极管在正向导通时两个电极(阳极和阴极)间拥有零电阻,而反向时则有无穷大电阻,即电流只允许由单一方向流过二极管。肖特基二极管,基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间trr特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。使用二极管时,需要注意正向电压不超过其额定值,以避免损坏。肇庆晶体二极管制造商
二极管应用:1.续流,在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。2.检波,检波二极管的主要作用是把高频信号中的低频信号检出。它们的结构为点接触型。其结电容较小,工作频率较高,一般都采用锗材料制成。3.阻尼,阻尼二极管多用在高频电压电路中,能承受较高的反向击穿电压和较大的峰值电流,一般用在电视机电路中,常用的阻尼二极管有2CN1、2CN2、BSBS44等。4.显示,用于VCD、DVD、计算器等显示器上。5.稳压,这种管子是利用二极管的反向击穿特性制成的,在电路中其两端的电压保持基本不变,起到稳定电压的作用。常用的稳压管有2CW55、2CW56等。6.触发,触发二极管又称双向触发二极管(DIAC)属三层结构,具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅;在电路中作过压保护等用途。东莞键型二极管价位在选型二极管时,需考虑反向击穿电压、反向恢复时间和较大耗散功率等参数。
值得注意的是,随着电子技术的不断发展,稳压二极管和普通二极管也在不断升级和优化。新型的稳压二极管具有更高的精度和更低的功耗,能够满足更高要求的电路应用;而新型普通二极管则具有更快的响应速度和更高的可靠性,能够更好地适应复杂的电路环境。总之,稳压二极管和普通二极管作为电子工程中常用的元件,它们在功能、结构、电性能和应用场景等方面都存在着明显的差异。了解这些差异有助于我们更好地选择和使用这两种元件,从而构建出稳定、可靠的电路系统。同时,随着技术的不断进步,我们可以期待这两种元件在未来能够发挥更加出色的性能,为电子工程领域的发展做出更大的贡献。
二极管反向区也分两个区域:当VBR<V<0时,反向电流很小,且基本不随反向电压的变化而变化,此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时,反向电流急剧增加,VBR称为反向击穿电压。在反向区,硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡,反向饱和电流也很小;锗二极管的反向击穿特性比较软,过渡比较圆滑,反向饱和电流较大。从击穿的机理上看,硅二极管若|VBR|≥7 V时,主要是雪崩击穿;若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿,当在4 V~7 V之间两种击穿都有,有可能获得零温度系数点。使用时应注意极性,接法错误会导致器件损坏。
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。整流二极管用于将交流电信号转换为直流电信号,常用于电源和电视机等设备中。东莞键型二极管价位
在使用二极管时,应注意其极性,避免反向接入导致电路故障。肇庆晶体二极管制造商
半导体二极管的参数介绍如下:1、反向电流IR:指管子末击穿时的反向电流, 其值愈小,则管子的单向导电性愈好。由于温度增加,反向电流会急剧增加,所以在使用二极管时要注意温度的影响。2、正向压降VD:在规定的正向电流下,二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下,约0.6~0.8V;锗二极管约0.2~0.3V。3、动态电阻rd:反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然,rd与工作电流的大小有关,即:rd=△VD/△ID。4、极间电容CJ:二极管的极间电容包括势垒电容和扩散电容,在高频运用时必须考虑结电容的影响。二极管不同的工作状态,其极间电容产生的影响效果也不同。肇庆晶体二极管制造商