正向偏置(Forward Bias),二极管的阳极侧施加正电压,阴极侧施加负电压,这样就称为正向偏置,所加电压为正向偏置。如此N型半导体被注入电子,P型半导体被注入空穴。这样一来,让多数载流子过剩,耗尽层缩小、消灭,正负载流子在PN接合部附近结合并消灭。整体来看,电子从阴极流向阳极(电流则是由阳极流向阴极)。在这个区域,电流随着偏置的增加也急遽地增加。伴随着电子与空穴的再结合,两者所带有的能量转变为热(和光)的形式被放出。能让正向电流通过的必要电压被称为开启电压,特定正向电流下二极管两端的电压称为正向压降。二极管于PN结的半导体材构成,通过控制电场分布实现流的单向导通。南通二极管批发价格
半导体二极管的参数包括较大整流电流IF、反向击穿电压VBR、较大反向工作电压VRM、反向电流IR、较高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下:1、较大整流电流IF:是指管子长期运行时,允许通过的较大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热,电流太大,发热量超过限度,就会使PN结烧坏。例如2APl较大整流电流为16mA。2、反向击穿电压VBR:指管子反向击穿时的电压值。击穿时,反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至因过热而烧坏。一般手册上给出的较高反向工作电压约为击穿电压的一半,以确保管子安全运行。例如2APl较高反向工作电压规定为2OV, 而反向击穿电压实际上大于40V。深圳收音机二极管市场价格正确选择二极管型号和参数对于电路的稳定性和可靠性至关重要。
快恢复二极管英文名称为Fast Recovery Diodes,简称FRD,是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。快恢复二极管的外形和普通二极管相同,原理图和PCB库的参照整流二极管。
二极管特性及参数:1、二极管伏安特性,导通后分电压值约为 0.7 V(硅管)或0.3V(锗管)(LED 约为 1-2 V,电流 5-20 mA)。反向不导通,但如果达到反向击穿电压,那将导通(超过反向较大电压可能烧坏)。正向电压很小时不导通(0.5 V 以上时才导通)。2、主要参数:较大整流电流 I_FIF: 表示长期运行允许的较大正向平均电流,超出可能因结温过高烧坏。较高反向工作电压 U_RUR:允许施加的较大反向电压,超出可能击穿。(U_RUR 通常为击穿电压的一半)。反向电流 I_RIR: 未击穿时的反向电流,越小导电性越好。较高工作频率 f_MfM: 上线截止频率。因结电容作用,超出可能不能很好体现的单向导电性。二极管的价格相对较低,适合大规模生产和应用。
早期的二极管包含“猫须晶体("Cat's Whisker" Crystals)”以及真空管(英国称为“热游离阀(Thermionic Valves)”)。现今较普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。正向性,外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。二极管的工作原理基于PN结的特性,当正向偏置时导通,反向偏置时截止。南通二极管批发价格
二极管还可以用于设计逆变器、振荡器、继电器、光电设备等电子器件。南通二极管批发价格
下面对二极管伏安特性曲线加以说明:正向特性,二极管两端加正向电压时,就产生正向电流,当正向电压较小时,正向电流极小(几乎为零),这一部分称为死区,相应的A(A′)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压),硅管约为0.5V,锗管约为0.1V,如图中OA(OA′)段。当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V,锗管约为0.2~0.3V,如图中AB(A′B′)段。二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过较大值,否则将烧坏PN结。南通二极管批发价格