所述功率开关管可通过所述信号地基岛14及所述信号地管脚gnd实现散热。需要说明的是,所述控制芯片12可根据设计需要设置在不同的基岛上。当设置于所述信号地基岛14上时所述控制芯片12的衬底与所述信号地基岛14电连接,散热效果好。当设置于其他基岛上时所述控制芯片12的衬底与该基岛绝缘设置,包括但不限于绝缘胶,以防止短路,散热效果略差。具体设置方式可根据需要进行设定,在此不一一赘述。本实施例的合封整流桥的封装结构采用两基岛架构,将整流桥,功率开关管及逻辑电路集成在一个引线框架内,其中,一个引线框架是指形成于同一塑封体中的管脚、基岛、金属引线及其他金属连接结构;由此,本实施例可降低封装成本。如图2所示,本实施例还提供一种电源模组,所述电源模组包括:所述合封整流桥的封装结构1,一电容c1,负载及一采样电阻rcs1。如图2所示,所述合封整流桥的封装结构1的火线管脚l连接火线,零线管脚n连接零线,信号地管脚gnd接地。如图2所示,所述一电容c1的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv,另一端接地。如图2所示,所述负载连接于所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv与漏极管脚drain之间。具体地,在本实施例中。为降低开关电源中500kHz以下的传导噪声,有时用两只普通硅整流管与两只快恢复二极管组成整流桥。河北进口整流桥模块生产厂家
高压端口hv通过金属引线连接所述高压供电基岛13,进而实现与所述高压供电管脚hv的连接,接地端口gnd通过金属引线连接所述信号地基岛14,进而实现与所述信号地管脚gnd的连接。需要说明的是,所述逻辑电路122可根据设计需要设置在不同的基岛上,与所述控制芯片12的设置方式类似,在此不一一赘述作为本实施例的一种实现方式,所述漏极管脚drain的宽度大于,进一步设置为~1mm,以加强散热,达到封装热阻的作用。本实施例的合封整流桥的封装结构采用三基岛架构,将整流桥、功率开关管、逻辑电路及高压续流二极管集成在一个引线框架内,由此降低封装成本。如图4所示,本实施例还提供一种电源模组,所述电源模组包括:本实施例的合封整流桥的封装结构1,第二电容c2,第三电容c3,一电感l1,负载及第二采样电阻rcs2。如图4所示,所述合封整流桥的封装结构1的火线管脚l连接火线,零线管脚n连接零线,信号地管脚gnd接地。如图4所示,所述第二电容c2的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv,另一端接地。如图4所示,所述第三电容c3的一端连接所述1高压供电管脚hv,另一端经由所述一电感l1连接所述合封整流桥的封装结构1的漏极管脚drain。如图4所示。河南国产整流桥模块传统的多脉冲变压整流器采用隔离变压器实现输入电压和输出电压的隔离,整流变压器的等效容量大,体积庞大。
所述第六电容c6的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv,另一端连接所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd。具体地,所述第二电感l2连接于所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd与信号地管脚gnd之间。需要说明的是,本实施例增加所述电源地管脚bgnd实现整流桥的接地端与所述逻辑电路122的接地端分开,通过外置电感实现emi滤波,减小电磁干扰。同样适用于实施例一及实施例三的电源模组,不限于本实施例。需要说明的是,所述整流桥的设置方式、所述功率开关管与所述逻辑电路的设置方式,以及各种器件的组合可根据需要进行设置,不以本实用新型列举的几种实施例为限。另外,由于应用的多样性,本实用新型主要针对led驱动领域的三种使用整流桥的拓扑进行了示例,类似的结构同样适用于充电器/适配器等ac-dc电源领域等,尤其是功率小于25w的中小功率段应用,本领域的技术人员很容易将其推广到其他使用了整流桥的应用领域。本实用新型的拓扑涵盖led驱动的高压线性、高压buck、flyback三个应用,并可以推广到ac-dc充电器/适配器领域;同时,涵盖了分立高压mos与控制器合封、高压mos与控制器一体单晶的两种常规应用。
因此我们可以用散热器的基板温度的数值来代替整流桥的壳温,这样不在测量上易于实现,还不会给终的计算带来不可容忍的误差。折叠仿真分析整流桥在强迫风冷时的仿真分析前面本文从不同情形下的传热途径着手,用理论的方法分析了整流桥在三种不同冷却方式下的传热过程,在此本文通过仿真软件详细的整流桥模型来对带有散热器、强迫风冷下的整流桥散热问题进行进一步的阐述。图5、仿真计算模型如上图是仿真计算的模型外型图。在该模型中,通过解剖一整流桥后得到的相关尺寸参数来进行仿真分析模型的建立。其仿真分析结果如下所示:图6、整流桥散热器基板温度分布有上图可以看出,整流桥散热器的基板温度分布相对而言还是比较均匀的,约70℃左右。即使在四个二极管正下方的温度与整流桥壳体背面与散热器相接触的外边缘,也只有5℃左右的温差。这主要是由于散热器基板是一有一定厚度且导热性能较好的铝板,它能够有效地把整流桥背面的不均匀温度进行均匀化。整流桥壳体正面表面的温度分布。从上图可以看出,整流桥壳体正面的温度分布是极不均匀的,在热源(二极管)的正上方其表面温度达到109℃,然而在整流桥的中间位置,远离热源处却只有75℃,其表面的温差可达到34℃左右。常用的国产全桥有佑风YF系列,进口全桥有ST、IR等。
所述负载连接于所述第三电容的两端;所述第二采样电阻的一端连接所述合封整流桥的封装结构的采样管脚,另一端接地。为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型还提供一种电源模组,所述电源模组至少包括:上述合封整流桥的封装结构,第四电容,变压器,二极管,第五电容,负载及第三采样电阻;所述合封整流桥的封装结构的火线管脚连接火线,零线管脚连接零线,信号地管脚接地;所述第四电容的一端连接所述合封整流桥的封装结构的高压供电管脚,另一端接地;所述变压器的圈一端连接所述合封整流桥的封装结构的高压供电管脚,另一端连接所述合封整流桥的封装结构的漏极管脚;所述变压器的第二线圈一端经由所述二极管及所述第五电容连接所述第二线圈的另一端;所述二极管的正极连接所述变压器的第二线圈,负极连接所述第五电容;所述负载连接于所述第五电容的两端;所述第三采样电阻的一端连接所述合封整流桥的封装结构的采样管脚,另一端接地。更可选地,所述合封整流桥的封装结构还包括电源地管脚,所述整流桥的第二输出端通过基岛或引线连接所述电源地管脚;所述电源地管脚与所述信号地管脚通过第二电感连接,所述电源地管脚与所述高压供电管脚通过第六电容连接。按整流变压器的类型可以分为传统的多脉冲变压整流器和自耦式多脉冲变压整流器。河北进口整流桥模块生产厂家
整流桥作为一种功率元器件,非常广。应用于各种电源设备。河北进口整流桥模块生产厂家
所述负载为led灯串,所述led灯串的正极连接所述高压供电管脚hv,负极连接所述漏极管脚drain。如图2所示,所述一采样电阻rcs1的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的采样管脚cs,另一端接地。本实施例的电源模组为非隔离场合的小功率led驱动电源应用,适用于高压线性(3w~12w)。实施例二如图3所示,本实施例提供一种合封整流桥的封装结构,与实施例一的不同之处在于,所述合封整流桥的封装结构还包括高压续流二极管df,且功率开关管121及逻辑电路122分立设置。如图3所示,在本实施例中,所述高压续流二极管df采用n型二极管,所述高压续流二极管df的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述高压供电基岛13上,正极通过金属引线连接漏极基岛15,进而实现与所述漏极管脚drain的连接。需要说明的是,所述高压续流二极管df也可采用p型二极管,粘接于漏极基岛15上,在此不一一赘述。如图3所示,所述功率开关管121的漏极通过导电胶或锡膏粘接于所述漏极基岛15上,源极s通过金属引线连接所述采样管脚cs。所述逻辑电路122为芯片结构,其底面为绝缘材料,设置于所述信号地基岛14上,控制信号输出端out通过金属引线连接所述功率开关管121的栅极g,采样端口cs通过金属引线连接所述采样管脚cs。河北进口整流桥模块生产厂家