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包括但不限于高压供电基岛13或漏极基岛15)或不同基岛(包括但不限于高压供电基岛13及漏极基岛15)，在此不一一赘述。作为本实施例的一种实现方式，如图5所示，所述整流桥设置于火线基岛16及零线基岛17上。具体地，所述整流桥采用两个n型二极管及两个p型二极管实现，其中，第五整流二极管dz5及第六整流二极管dz6为n型二极管，所述第七整流二极管dz7及第八整流二极管dz8为p型二极管。所述第五整流二极管dz5的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述火线基岛16上，正极通过金属引线连接所述信号地管脚gnd。所述第六整流二极管dz6的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述零线基岛17上，正极通过金属引线连接所述信号地管脚gnd。所述第七整流二极管dz7的正极通过导电胶或锡膏粘接于所述火线基岛16上，负极通过金属引线连接所述高压供电管脚hv。所述第八整流二极管dz8的正极通过导电胶或锡膏粘接于所述零线基岛17上，负极通过金属引线连接所述高压供电管脚hv。作为本实施例的一种实现方式，如图5所示，所述控制芯片12包括功率开关管及逻辑电路。所述功率开关管的漏极作为所述控制芯片12的漏极端口d，源极连接所述逻辑电路的采样端口，栅极连接所述逻辑电路的控制信号输出端(输出逻辑控制信号)。按整流变压器的类型可以分为传统的多脉冲变压整流器和自耦式多脉冲变压整流器。河南整流桥模块商家

1)、整流桥壳体表面散热热阻a)整流桥正面壳体的散热热阻:同不带散热器的强迫风冷一样:b)整流桥背面壳体的散热热阻:假设忽约整流桥与壳体的接触热阻，则:;选择散热器与环境间热阻的典型值为:于是:则整流桥通过壳体表面散热的总热阻为:2)、流桥通过引脚散热的热阻:此时的热阻同整流桥不带散热器进行强迫风冷时的情形一样，于是有:于是我们可以得到，在整流桥带散热器进行强迫风冷时的散热总热阻为上述两个传热途径的并联热阻:仔细分析上述的计算过程和各个传热途径的热阻数值，我们可以得出在整流桥带散热器进行强迫风冷时的如下结论:①在上述的三个传热途径中(整流桥正面传热、整流桥背面通过散热器的传热和整流桥通过引脚的传热)，整流桥背面通过散热器的传热热阻小，而通过壳体正面的传热热阻大，通过引脚的热阻居中;②比较整流桥散热的总热阻和通过背面散热器传热的热阻数值可以发现:通过壳体背面散热器传热热阻与整流桥的总热阻十分相当。其实该结论也说明了，在此种情况下，整流桥的主要传热途径是通过壳体背面的散热器来进行的，也就是整流桥上绝大部分的损耗是通过散热器来排放的，而通过其它途径(引脚和壳体正面)的散热量是很少的。安徽优势整流桥模块销售外部采用绝缘朔料封装而成，大功率整流桥在绝缘层外添加锌金属壳包封，增强散热性能。

本实用新型涉及半导体器件领域，特别是涉及一种合封整流桥的封装结构及电源模组。背景技术：目前照明领域led驱动照明正在大规模代替节能灯的应用，由于用量十分巨大，对于成本的要求比较高。随着系统成本的一再降低，主流的拓扑架构基本已经定型，很难再从外圈节省某个元器件，同时芯片工艺的提升对于高压模拟电路来说成本节省有限，基本也压缩到了。目前的主流的小功率交流led驱动电源方案一般由整流桥、芯片(含功率mos器件)、高压续流二极管、电感、输入输出电容等元件组成，系统中至少有三个不同封装的芯片，导致芯片的封装成本高，基本上占到了芯片成本的一半左右，因此，如何节省封装成本，已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种合封整流桥的封装结构及电源模组，用于解决现有技术中芯片封装成本高的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种合封整流桥的封装结构，所述合封整流桥的封装结构至少包括：塑封体，设置于所述塑封体边缘的火线管脚、零线管脚、高压供电管脚、信号地管脚、漏极管脚、采样管脚。

大多数的整流全桥上均标注有“+”、“一”、“～”符号(其中“+”为整流后输出电压的正极，“一”为输出电压的负极，两个“～”为交流电压输入端)，很容易确定出各电极。检测时，可通过分别测量“+”极与两个“～”极、“一”极与两个“～”之间各整流二极管的正、反向电阻值(与普通二极管的测量方法相同)是否正常，即可判断该全桥是否损坏。若测得全桥内某只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该二极管已击穿或开路损坏。高压硅堆的检测高压硅堆内部是由多只高压整流二极管(硅粒)串联组成，检测时，可用万用表的R×lok挡测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆的正向电阻值大于200kfl，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已被击穿损坏。肖特基二极管的检测二端肖特基二极管可以用万用表Rl挡测量。正常时，其正向电阻值(黑表笔接正极)为～，反向电阻值为无穷大。若测得正、反向电阻值均为无穷大或均接近O，则说明该二极管已开路或击穿损坏。三端肖特基二极管应先测出其公共端，判别出是共阴对管，还是共阳对管，然后再分别测量两个二极管的正、厦向电阻值。整流桥堆全桥的极性判别方法极性的判别1)外观判别法。整流桥可以有4个单独的二极管连接而成。

整流桥是桥式整流电路的实物产品，那么实物产品该如何应用到实际电路中呢？一般来讲整流桥4个脚位都会有明显的极性说明，工程设计电路画板的时候已经将安装方式固定下来了，那么在实际应用过程中只需要，对应线路板的安装孔就好了。下面我们就工程画板时的方法也就是整流桥电路接法介绍给大家。整流桥接法整流桥连接方法主要分两种情况来理解，一个是实物产品与电路图的对应方式。如上图所示：左侧为桥式整流电路内部结构图，B3作为整流正极输出，C4作为整流负极输出，A1与A2共同作为交流输入端。右侧为整流桥实物产品图样式，A1与A2集成在了中间位置，正负极在**外侧。实际运用中我们只需要将实物C4负极脚位对应连接电路图C4点，实物B3正极脚位与电路图B3相连接。上诉方式即为整流桥实物产品与电路原理图的连接方式。整流桥连接方式第二个则是对于实物产品在电路中的接法。一般来说现在大多数电路采用高压整流方式居多，下面我们就重点介绍下高压整流桥的电路接法。整流桥前端是交流220V输入，进入整流桥AC交流端，由正极直流输出连接负载用电器正极，经负载用电器负极连接整流桥负极形成回路，完成整个电源整流的路径。特点是方便小巧。不占地方。安徽优势整流桥模块销售

该全波整流桥采用塑料封装结构（大多数的小功率整流桥都是采用该封装形式）。河南整流桥模块商家

使模块具有有效值为2．5kV以上的绝缘耐压。3、电力半导体芯片：超快恢复二极管(FRED)和晶闸管(SCR)芯片的PN结是玻璃钝化保护，并在模块制作过程中再涂有RTV硅橡胶，并灌封有弹性硅凝胶和环氧树脂，这种多层保护使电力半导体器件芯片的性能稳定可靠。半导体芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有经表面处理的钼片或直接用铝丝键合作为主电极的引出线，而部分连线是通过DBC板的刻蚀图形来实现的。根据三相整流桥电路共阳和共阴的连接特点，FRED芯片采用三片是正烧(即芯片正面是阴极、反面是阳极)和三片是反烧(即芯片正面是阳极、反面是阴极)，并利用DBC基板的刻蚀图形，使焊接简化。同时，所有主电极的引出端子都焊在DBC基板上，这样使连线减少，模块可靠性提高。4、外壳：壳体采用抗压、抗拉和绝缘强度高以及热变温度高的，并加有40％玻璃纤维的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料组成，它能很好地解决与铜底板、主电极之间的热胀冷缩的匹配问题，通过环氧树脂的浇注固化工艺或环氧板的间隔，实现上下壳体的结构连接，以达到较高的防护强度和气闭密封，并为主电极引出提供支撑。3整流桥模块的优点整流桥模块有着体积小、重量轻、结构紧凑、外接线简单、便于维护和安装等优点。河南整流桥模块商家