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    配气准度要求以配气允差和分析允差来表征;比较通用的有SE2MI配气允差标准,但各公司均有企业标准。组分的**低浓度为10-6级,组分数可多达20余种。配制方法可采用重量法,然后用色谱分析校核,也可按标准传递程序进行传递。3、电子气体(Electronicgases)：半导体工业用的气体统称电子气体。按其门类可分为纯气、高纯4_6m+p-_4气和半导体特殊材料气体三大类。特殊材料气体主要用于外延、掺杂和蚀刻工艺；高纯气体主要用作稀释气和运载气。电子气体是特种气体的一个重要分支。电子气体按纯度等级和使用场合，可分为电子级、LSI(大规模集成电路)级、VLSI(超大规模集成电路)级和ULSI(特大规模集成电路)级。4.外延气体(Cpita***algases)：在仔细选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种,即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅,主要用于外延硅淀积,多晶硅淀积,淀积氧化硅膜,淀积氮化硅膜,太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。5.蚀刻气体(Etchinggases)：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉。四川乙烷标准气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。四川二氧化氮标准气体供应

    △S:相邻两次称量的时间间隔(min);实际测定时,记录一系列称量和时间数据,用上式计算渗透率并求其平均值。或以称量数据为纵坐标,时间为横坐标,绘制渗透率的特性曲线,所得直线的斜率即为渗透率。(2)渗透管动态配气装置用已知渗透率的渗透管配制标准气体的装置如图6所示。740)">将渗透管放在气体发生瓶中,再将气体发生瓶放入恒温水浴中,恒温水浴的温度要与测定渗透率时的温度相同(一般为25±1℃),这样就可不作温度校正。稀释气(压缩空气)经硅胶、活性炭和氢氧化钠净化器2除去水分和杂质后,再经流量控制阀和流量计3进入气体发生瓶7(即混合器)中,将渗透出来的气体分子带出,就得到标准气体。标准气体的浓度可由下式求出(在25℃和一个大气压下)。740)">式中:z:所配标准气体的浓度(ppm);G:渗透管的渗透率(Lg/min);M:液体的摩尔质量(g/mol);Q:稀释气体的流量(L/min);VM:配气状态下气体的摩尔体积(L/mol)。福建便携式气体采购成都乙烯标准气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。

    是判定标准气体质量的依据。标准气体不确定度的定义[5]作为定量属性的不确定皮概念在***意义上是指测量结果的不肯定．也可以理解为：测量结果带有的一个参数，用以表征合理赋予被测盘值的分散性。测盐不确定度一般包含若干分盐，其中一些分量可用测量列结果的统计分布评定，并以实验标准偏差来表征，也被称为A类分量、A类评定或A类不确定度；另一些分量也可用标准偏差来表征的成分，是基于经验或其它信息的取定概率分布估算出来的，被称为B类分量、B类评定或8类不确定度．而展伸不确定度般**多给出二位有效数字，中间计算的不确定度可多取位。在实际工作中理解不确定度的商念、正确运用估计不确定度的方法，往往可以使我们得到个有意义的测量结果。标准气体在进样中的注意事项[6]标准气体的特殊性，对采样有着特殊的要求，很多使用者由于采样的不规范，使得数据偏差很大，在这里我提供样品取样应该注意的几个方面：1、取样管线的选择，由于胶管使用起来很方便，很多传统的进样管线都采用此类，但是众所周知，胶管对大部分有机气体，和含硫类的气体吸附性非常强，而且它的渗透性也很强，所以使用各类胶管来采样是不可取的，对分析数据造成很大偏差。

    动态配气技术就是能连续不断的配制和供给一定浓度的标准气体。用动态配气技术配制标准气体时,首先需要一个能连续不断供给原料气的气源,作为这种配气方法的气源有钢瓶标准气和渗透管等。1.钢瓶气动态配气法在消防实际工作中,所用标准气体的浓度有时需要大,有时需要小。钢瓶标准气虽有不同浓度的规格供应,但购置各种浓度的标准气体,不仅代价太高,而且不一定能及时办到。较好的办法是购置一个浓度较高的标准气瓶,需要低浓度标准气体时,用钢瓶标准气作原料气,压缩空气(由低压空气钢瓶或空压机供给)作稀释气,将它们按图4连接,就可从取气口得到所需浓度的标准气体。740)">所配制的标准气体的浓度,可用改变原料气及稀释气的流量比进行调节,并可按下式计算:740)">式中:z:所配标准气体的浓度(ppm);L:钢瓶标准气的浓度(ppm);Qs:钢瓶标准气的流量(Lömin);Qa:压缩空气的流量(Lömin;用此法配气时,在压缩空气的管路中应安装选择性过滤器(净化器),以除去空气中影响配气纯度的杂质。此外配气出口的总流量应略大于用气口的流量,以保证所配气体的浓度与纯度。2.渗透管动态配气法(1)渗透管及渗透率的测定渗透管是动态配气法中的另一种气源,其结构见图5。740)">。二氧化碳标准气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。

    主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氯化硼和乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气体(如氩气和氮气)在源柜中混合,混合后气流连续流入扩散炉内环绕晶片四周,在晶片表面沉积上化合物掺杂剂,进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅。7.熏蒸气体(SterilizingGases)：具有**作用的气体称熏蒸气体。常用的气体品种有环氧乙烷、磷烷、溴甲烷、溴甲醛、环氧丙烷等。其**原理是利用烷化作用,使微生物**内维持生命不可缺少的物质惰化。**经常使用的是以不同比例配制的环氧乙烷和二氧化碳的混合气,根据用途不同,环氧乙烷的含量可以是10%、20%和30%等。也可采用环氧乙烷和氟利昂12的混合气,环氧乙烷与氟利昂11和氟利昂12的混合气等。**效果与各组分浓度、温度、湿度、时间和压力等因素有关。熏蒸气体可以用于卫生材料、医疗器具、化妆品原料、动物饲料、粮食、纸钞、香辣8.焊接保护气体(WeldingGases)：气体保护焊由于具有焊接质量好,效率高,易实现自动化等***而得以迅速发展。焊接保护气体可以是单元气体,也有二元、三元混合气。采用焊接保护气的目的在于提高焊缝质量,减少焊缝加热作用带宽度,避免材质氧化。单元气体有氩气、二氧化碳,二元混合气有氩和氧。重庆乙烯标准气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。福建二氧化氮标准气体生产厂家

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    CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种,即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅,主要用于外延硅淀积,多晶硅淀积,淀积氧化硅膜,淀积氮化硅膜,太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。5.蚀刻气体(Etchinggases)：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉,而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来,这样便在基片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是,图形边缘整齐,线条清晰,图形变换差小,且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体,通常多为氟化物气体,例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强、工艺控制精确、方便、无脱胶现象、无基片损伤和沾污,所以其应用范围日益***。6.掺杂气体(DopantGases)：在半导体器件和集成电路制造中,将某种或某些杂质掺入半导体材料内,以使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率,用来制造PN结、电阻、埋层等。掺杂工艺所用的气体掺杂源被称为掺杂气体。四川二氧化氮标准气体供应