混合罐。标准气体分压法1、适用范围分压法适用于制备常温下是气体,含量在1~60%的标准混合气体2、所需设备配气设备:气瓶汇流排,压力表,阀门,真空泵,管道,气瓶卡具。标准气体扩散法1、适用范围扩散法适用于制备常温下是液体的有机气体2、所需设备配气设备:气瓶,阀门,流量控制阀,流量计,液体组分,分析仪表气瓶,卡具。标准气体容积法1、适用范围静态容积法适用于实验室制备多种小、少量的标准气体,压力接近大气压力。2、所需设备配气设备:气瓶,气瓶减压阀门,定体积管,压力计,真空泵。标准气体饱和法1、适用范围饱和法法适用于易于冷凝的气体和蒸汽。2、所需设备配气设备:气瓶,气瓶减压阀门,冷凝器,饱和器,恒温控制器,压力计,循环风机。标准气体流量法1、适用范围流量比法法是动态配气方法,是严格控制一定比例的组分气体和释稀释气体的流量,经混合而得到的标准气体。2、所需设备气瓶,气瓶减压阀门,单向阀,流量控制器,压力表,管道,机箱。标准气体稀释法1、适用范围稀释法法法是制备低含量标准气体的方法之一。2、所需设备气瓶,气瓶减压阀门,流量控制器,压力表,管道。标准气体体积法1、适用范围体积比法是简单的配气方法。重庆乙烯标准气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。甲烷标准气体采购
**经济基本都保持着两位数的增长,即便受到**金融危机的影响,2009年GDP也能保持8%以上的增长,2011年也达到9%以上。经济的增长会带来很多好处:首先,经济的发展给企业带来了蓬勃发展的机会,企业便会创造更多的利润,使企业有能力进行投资;其次,经济的快速发展必然带动相关产业的投资。经济的发展更使气体产业受益匪浅,气体相关产业扩大投资,必然要增加对气体的需求。所以说经济快速增长时期,也是进***体投资的**好时机。随着**经济的快速发展,作为国民经济基础工业要素之一的工业气体行业,在国民经济中的重要地位和作用日益凸显。2000年后,工业气体行业进入快速发展阶段,庞大的市场需求为**气体行业带来广阔的发展空间,未来我国工业气体行业将继续保持快速发展趋势。预计未来5年期间,**工业气体市场将保持至少11%的增长率,工业气体的应用领域十分***,传统行业主要为钢铁、化工,新兴的应用领域包括金属加工、煤化工、玻璃、电力、电子、医疗、公路养护、食品饮料等各行各业。2008年,钢铁、化工两个行业的占比为57%,有色以及其他行业对氧气的应用相对分散,总共占比为43%。到2015年。钢铁、化工两个行业的占比将下降到47%,而其他行业上升到53%。甲烷标准气体供应厂家成都气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。
氩气是无色、无味、单原子的惰性气体,原子量为39.948,密度为1.78kg/m3(空气密度为1.29kg/m3)。氩气的重量是空气的1.4倍,可在熔池上方形成一层稳定的气流层,具有良好的保护性能。另外在焊接过程中,产生的烟雾较少,便于控制焊接熔池和电弧。氩气是一种惰性气体,在常温下与其它物质均不发生化学反应,在高温下也不溶于液态金属中,故在焊接有色金属时更能显示其优越性氩气是一种单原子气体,在高温下,氩气直接离解为正离子和电子,因此能量损耗低,电弧燃烧稳定。同时分解后的正离子体积和质量较大,对阴极的冲击力很强,具有强烈的阴极破碎作用。氩气对电弧的冷却作用小,所以电弧在氩气中燃烧时,热量损耗小,稳定性比较好。氩气对电弧的热收缩效应较小,加上氩弧的电位梯度和电流密度不大,维持氩弧燃烧的电压较低,一般10V即可。故焊接时电弧拉长,其电压改变不大,电弧不易熄灭。这点对手工氩弧焊非常有利。氩气是制氧的副产品,因为氩气的沸点介于氧、氮之间,差值很小,所以在氩气中常残留一定数量的杂质。焊接用氩气按我国GB4842-84(氩气及其检验方法)标准要求,其纯度应达到99.99%。具体技术要求见下表,如果氩气中的杂质含量超过规定标准。
比较通用的有SE2MI配气允差标准,但各公司均有企业标准。组分的**低浓度为10级,组分数可多达20余种。配制方法可采用重量法,然后用色谱分析校核,也可按标准传递程序进行传递。3.大型乙烯厂,合成氨厂及其它石化企业,在装置开车,停车和正常生产过程中需要几十种纯气和几百种多组分标准混合气,用来校准,定标生产过程中使用的在线分析仪器和分析原料及产品质量的仪器。标准气体适用范围1、用于气体产品质量控制2、用于仪器仪表的检定与校准3、用于大气环境污染监测4、用于医疗卫生及临床化验5、用于建筑家居环境监测6、建立测量的溯源性7、保证测量结果准确一致8、进行量值的传递9、促进测量技术和质量监督工作的发展标准气体制备方法编辑标准气体称量法1、适用范围称量法是**标准化**推荐的方法,它只适用于组分之间、组分与气瓶内壁不发生反应的气体,以及在实验条件下完全处于气态的可凝结组分。2、所需设备配气设备:真空泵,真空计,高、低压力表,阀门,气瓶卡具,机箱。称重设备:高精密天平标准气体渗透法1、适用范围渗透法是适用于制备痕量的活泼气体。是动态配气方法。2、所需设备配气设备:渗透管,稳压阀。稳流系统,流量计,温度记录仪表,阀门,管道。重庆工业气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。
配气准度要求以配气允差和分析允差来表征;比较通用的有SE2MI配气允差标准,但各公司均有企业标准。组分的**低浓度为10-6级,组分数可多达20余种。配制方法可采用重量法,然后用色谱分析校核,也可按标准传递程序进行传递。3、电子气体(Electronicgases):半导体工业用的气体统称电子气体。按其门类可分为纯气、高纯4_6m+p-_4气和半导体特殊材料气体三大类。特殊材料气体主要用于外延、掺杂和蚀刻工艺;高纯气体主要用作稀释气和运载气。电子气体是特种气体的一个重要分支。电子气体按纯度等级和使用场合,可分为电子级、LSI(大规模集成电路)级、VLSI(超大规模集成电路)级和ULSI(特大规模集成电路)级。4.外延气体(Cpita***algases):在仔细选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种,即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅,主要用于外延硅淀积,多晶硅淀积,淀积氧化硅膜,淀积氮化硅膜,太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。5.蚀刻气体(Etchinggases):蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉。重庆乙炔标准气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。成都标准气体厂家有哪些
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CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种,即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅,主要用于外延硅淀积,多晶硅淀积,淀积氧化硅膜,淀积氮化硅膜,太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。5.蚀刻气体(Etchinggases):蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉,而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来,这样便在基片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是,图形边缘整齐,线条清晰,图形变换差小,且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体,通常多为氟化物气体,例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强、工艺控制精确、方便、无脱胶现象、无基片损伤和沾污,所以其应用范围日益***。6.掺杂气体(DopantGases):在半导体器件和集成电路制造中,将某种或某些杂质掺入半导体材料内,以使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率,用来制造PN结、电阻、埋层等。掺杂工艺所用的气体掺杂源被称为掺杂气体。甲烷标准气体采购