对于该类探测器,基底由Si变为Ge时,其探测波段可从IR延伸到THz,在这里姑且将Si基与Ge基两类放在一起加以阐述。传统的非本征探测器是基于被掺杂的Ge或Si作为吸收材料制作而成的结构简单的PC探测器,主要有Ge:X[X=Hg、Ga、铍(Be)、锌(Zn)]、Si:Y[Y=Ga、砷(As)、铟(In)]等类型。这类探测器的响应范围取决于杂质元素在基底里的离化能量,一般可覆盖LWIR、VLWIR乃至THz波段,但需要在低温(<10K)下工作。由于响应波段很宽,非本征探测器被应用到了航天领域,然而困境也随之出现:在太空中核辐射对探测器响应的影响较大,需要减薄探测器吸收层来降低影响,但这样也会使量子效率降低红外热像仪的检测范围取决于它的镜头大小,通常可分为标准镜头、长焦镜头、广角镜头。PYROLINE 128N/256N红外热像仪用途
二、热探测器的分类热探测器一般分为测辐射热计、热电堆和热释电探测器三种类型。(1)测辐射热计这种探测器是由具有非常小热容量和大电阻温度系数的材料制成的,吸收IR后探测器的电阻会发生明显的变化,因此它们也被称为热敏电阻。常见的IR热辐射热计有以下几种类型:金属测辐射热计、半导体测辐射热计和微型室温硅测辐射热计(简称微测辐射热计),此外还有用于THz探测的测辐射热计。这些类型中,以微测辐射热计的技术**成熟、应用*****,它们在民用市场深受消费者的推崇,甚至在***市场也有一定的应用空间。氧化钒(Vox)与非晶Si是制作微测辐射热计**常用的材料。无人机**红外热像仪服务电话那么从***代热像仪到第四代热像仪之间,究竟发生了哪些翻天覆地的变化呢?
但这样也会使量子效率降低;为维持高量子效率,需提高摻杂浓度,而如此一来又会导致暗电流激增,严重破坏探测器性能。BIB探测器是解决以上困境的比较好解。BIB探测器是传统非本征探测器在结构上的一种巧妙升级,即在吸收层与一侧电极之间引入一层高纯度的本征基底材料作为阻挡层来抑制暗电流,这样可以保证在吸收层掺杂浓度**增加的同时,暗电流也能维持在很低的水平。不仅如此,掺杂浓度的增加也拓宽了探测器的响应范围。关于红外热像仪芯片材料体系介绍就到这儿,对半导体感兴趣的同学,欢迎阅读其他文章!
红外测温仪的工作原理就是根据辐射波长判断温度,根据不同温度有不同辐射从而计算温度,并以数值显示于屏幕。行人识别测温一体机也应用了红外测温技术,以该设备为例进行介绍红外测温。图普的设备可以同时完成行人识别与体温检测。其中行人识别通过双目识别技术完成,而体温检测也会同时进行,通过红外测温技术,对人体辐射红外能量进行测量,从而判定人体表面的温度。该测温过程的测温精度在±0.3℃内,测温误差小于1%,因而该设备的测温是非常精细的。红外热像仪就像咱们用手机拍照,画面内能拍下多少东西,和许多因素有关。
铅盐探测器一般指基于PbS和PbSe等IV-VI族半导体材料制作的PC探测器,它们中的PbS探测器早在二战期间就已经投入到***的实际应用之中。直至现在,红外热像仪因其低廉的生产成本与室温下优良的灵敏度等优势,这类探测器仍占据着一定比例的商用市场,许多**制造商对此均有涉足,如美国CalSensors、NewEngland Photodetectors、Thorlabs、TJT,西班牙New Infrared Technologies以及日本滨松(Hamamatsu)等。然而,由于银盐材料的介电常数很高,这类探测器的响应速度比一般的光子探测器都要慢,这一劣势很大程度上限制了相应的大规模FPA探测器的发展,截至2014年,铅盐FPA探测器像元达到了320x256中等规模。采用专业测温型机芯,外部加装双光防爆型护罩的红外热像仪,确保机芯的准确性和安全性。PYROLINE 128N/256N红外热像仪用途
红外热像仪的价格范围是多少?PYROLINE 128N/256N红外热像仪用途
(2)InSb探测器(PC&PV)InSb属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,它是**早应用于IR探测技术的材料之一,其生长技术已发展得非常成熟。在液氮温度下,InSb带隙所对应的波长稍稍大于5μm,此时InSb探测器的响应范围完美覆盖MIR波段,且探测率能在整个MIR波段维持很高的水平,因此InSb探测器在MIR波段探测方面有着举足轻重的地位。下图是InSb半导体材料及完成后的芯片。随着红外热像仪工作温度的上升,InSb探测器的量子效率可维持不变,直至160K才开始逐渐衰减。InSb FPA探测器被广泛应用到了***与天文领域,美国RVS(Raytheon Vision Systems)是这类探测器比较大且**出色的制造商。PYROLINE 128N/256N红外热像仪用途