硅基芯片研发中有哪些关键技术需要突破？

无锡珹芯电子科技有限公司2024-06-07

硅基芯片研发中的一个关键技术突破是提升晶体管密度和性能。随着半导体工艺的进步，晶体管已经进入纳米尺度，接近物理极限。为了继续提高芯片的性能，研究人员正在探索新型晶体管结构，如FinFET、Gate-All-Around (GAA)等，以及新型半导体材料，如硅锗、氮化镓等，以实现更高的晶体管密度和更低的功耗。

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无锡珹芯电子科技有限公司 2024-06-09

另一个关键技术突破是提升芯片的互连技术和封装技术。随着芯片中晶体管数量的增加，互连延迟和功耗也随之增加，成为限制芯片性能的关键因素。为了解决这一问题，研究人员正在开发新型互连技术，如硅光子互连、三维封装等，以降低互连延迟和功耗，提高芯片的整体性能。

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无锡珹芯电子科技有限公司 2024-06-12

硅基芯片研发中的第三个关键技术突破是提升芯片的能效和可靠性。随着云计算、大数据等应用的快速发展，数据中心对能效和可靠性的要求越来越高。为了满足这些要求，研究人员正在开发新型低功耗设计技术，如黑暗硅技术、近似计算等，以降低芯片的功耗。同时，研究人员也在开发新型可靠性增强技术，如电路内置自修复技术、容错计算等，以提高芯片的可靠性。通过这些技术突破，硅基芯片将能够更好地满足未来应用的需求。

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