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青海显示行业陶瓷靶材

来源: 发布时间:2023年08月30日

光伏领域对靶材的使用主要是薄膜电池和HJT光伏电池。以HJT电池片为例,在HJT电池片结构中具有TCO薄膜层,该薄膜承担着透光以及导电的重要作用。应用PVD技术,使离子和靶材表面的原子离开靶材,在基底上形成透明导电薄膜。以钙钛矿电池结构为例,钙钛矿电池是由多层薄膜以及玻璃等构成。例如ITO薄膜就需要光伏靶材进行制备。薄膜较为常用的溅射靶材包括铝靶、铜靶、钼靶、铬靶以及ITO靶、AZO靶(氧化铝锌)等,ITO靶材是当前太阳能电池主要的溅射靶材。薄膜电池中透明导电膜至关重要,承担着透光和导电的双重作用。从ITO靶材的优势来看,氧化铟锡(ITO)是N型半导体材料,具有高导电率、高可见光透过率、较强的机械硬度和良好的化学稳定性等优点。因此,在光伏领域中,ITO靶材为原材料所制成的ITO薄膜具有较好的光学特性和电学特性。靶材是制备薄膜的主要材料之一。青海显示行业陶瓷靶材

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主要PVD方法的特点:(3)溅射镀膜:在溅射镀膜过程中,溅射靶材需要安装在机台中完成溅射反应,溅射机台专业性强、精密度高,市场长期被美国、日本跨国集团垄断。(4)终端应用:1)半导体芯片:单元器件中的介质层、导体层与保护层需要钽、钨、铜、铝、钛等金属。2)平板显示器件:为了保证大面积膜层的均匀性,提高生产率和降低成本,溅射技术镀膜需要钼、铝、ITO等材料;3)薄膜太阳能电池——第三代,溅射镀膜工艺是被优先选用的制备方法,靶材是不可或缺的原材料;4)计算机储存器:磁信息存储、磁光信息存储和全光信息存储等。在光盘、机械硬盘等记录媒体,需要用铬基、钴基合金等金属材料。北京镀膜陶瓷靶材市场价通常靶材变黑引起中毒的因素靶材中毒主要受反应气体和溅射气体比例的影响。

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研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.

ITO薄膜作为一种重要的透明导电氧化物半导体材料,因具有良好的导电性能及光透射率广泛应用于液晶显示、太阳能电池、静电屏蔽、电致发光等技术中,用氧化铟+氧化锡烧结体作为靶材,直流磁控反应溅射法制备ITO薄膜与用铟锡合金靶相比,具有沉积速度快,膜质优良,工艺易控等优点成为目前的主流?但是,此法成膜过程中会经常发生??靶材表面黑色化,生成黑色不规则球状节瘤,本文称此现象为靶材毒化,毒化使溅射速率下降,膜质劣化,迫使停机清理靶材表面后才能继续正常溅射,严重影响了镀膜效率。

靶材绑定背板流程:一、什么是绑定绑定是指用焊料将靶材与背靶焊接起来。主要有三种的方式:压接、钎焊和导电胶。靶材绑定常用钎焊,钎料常用In、Sn、In–Sn,一般使用软钎料的情况下,要求溅射功率小于20W/㎝2。二、为什么要绑定 1、防止靶材受热不匀碎裂,例如ITO、SiO2、陶瓷等脆性靶材及烧结靶材;2、节省成本,防止变形,如靶材太贵,可将靶材做薄些,绑定背靶以防止变形。三、背靶的选择 1、常用无氧铜,导电性好,无氧铜的导热性比紫铜好;2、厚度适中,一般建议背靶厚度3mm左右。太厚,消耗部分磁强;太薄,容易变形。四、绑定过程 1、绑定前将靶材和背靶表面预处理2、将靶材和背靶放置在钎焊台上,升温到绑定温度3、将靶材和背靶金属化4、粘接靶材和背靶5、降温和后处理五、绑定靶材使用的注意事项1、溅射温度不宜太高2、电流要缓慢加大3、循环冷却水应低于35摄氏度4、适宜的靶材致密度。 HJT电池靶材有望快速实现国产替代国产靶材厂商有望在HJT电池时代实现靶材上的弯道超车。

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磁控溅射时靶材表面变黑我们可以想到的1、可能靶材是多孔的,(细孔)在孔中有一些有机污染物(极端可能性);2、可能靶材有点粗糙,用纸巾用异丙醇擦拭,粗糙的表面在目标表面保留了一些细薄的组织纤维,这可能是碳污染的来源;3、沉积速率可能相当高,并产生非常粗糙的沉积物;4、基板与靶材保持非常接近,在目前的溅射条件下(功率、压力、子靶材距离)有一些发热,气体中有一些污染;5、真空室漏气或漏水,真空室内有挥发的成分,没有充入氩气,充入空气或其他气体,可能引起中毒,这些成分与靶材反应,变成黑色物质覆盖靶材表面。靶材是半导体、显示面板、异质结光伏领域等的关键材料,存在工艺不可替代性。重庆镀膜陶瓷靶材价格咨询

靶材的纯度越高,薄膜的性能就越好。青海显示行业陶瓷靶材

陶瓷靶材陶瓷靶材按化学组成,可分为氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物陶瓷靶材和硫化物陶瓷靶材等.陶瓷靶材是比较脆的靶材,通常陶瓷靶材都会绑定背板一起使用,背板除了在溅射过程中可支撑陶瓷靶材,还可以在溅射过程中起到热传递的作用.陶瓷靶材的种类很多,应用范围广,主要用于微电子领域,显示器用,存储等领域.陶瓷靶材作为非金属薄膜产业发展的基础材料,已得到空前的发展.陶瓷靶材的制备工艺难点主要有:超大尺寸陶瓷靶材制备技术、如何抑制溅射过程中微粒的产生、如何保证陶瓷靶材的相结构及组织均匀性、尽量提高陶瓷靶材的致密度及减少含气量等.陶瓷靶材的特性要求:(1)纯度:陶瓷靶材的纯度对溅射薄膜的性能影响很大,纯度越高,溅射薄膜的均匀性和批量产品的质量的一致性越好.随着微电子产业的发展,对成膜面积的薄膜均匀性要求十分严格,其纯度必须大于4N.平面显示用的ITO靶材In2O3和Sn2O3的纯度都大于4N.(2)密度:为了减少陶瓷靶材的气孔,提高薄膜性能,要求溅射陶瓷靶材具有高密度.靶材越密实,溅射颗粒的密度月底,放电现场就越弱,薄膜的性能也越好.(3)成分与结构均匀性:为保证溅射薄膜均匀,在复杂的大面积镀膜应用中,必须做到靶材成分与结构均匀性好.青海显示行业陶瓷靶材

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