溅射靶材开裂原因生产中使用的冷却水温度与镀膜线实际水温存在差异,导致使用过程中靶材开裂。一般来说,轻微的裂纹不会对镀膜生产产生很大的影响。但当靶材有明显裂纹时,电荷很容易集中在裂纹边缘,导致靶材表面异常放电。放电会导致落渣、成膜异常、产品报废增加。陶瓷或脆性材料靶材始终含有固有应力。这些内应力是在靶材制造发展过程中可以产生的。此外,这些应力不会被退火过程完全消除,因为这是这些材料的固有特性。在溅射过程中,气体离子被轰击以将它们的动量传递给目标原子,提供足够的能量使其从晶格中逃逸。这种放热动量转移使靶材温度升高,在原子水平上可能达到极高的温度。这些热冲击将靶材中已经发展存在的内应力将会增加到许多倍。在这种情况下,如果不适当散热,靶材就可能会断裂。二、溅射靶材开裂应对事项为了防止靶材开裂,需要着重考虑的是散热。需要水冷却机构以从靶去除不需要的热能。另一个需要考虑的问题是功率的增加。短时间内施加过大的功率也会对目标造成热冲击。此外,我们建议将靶材粘合到背板上,这不仅为靶材提供了支撑,而且促进了靶材与水之间更好的热交换。如果目标有一个裂纹,但它是粘接到背板上,仍可以正常使用。江苏迪纳科精细材料股份有限公司是一家主要生产和销售陶瓷,金属,合金等各类型靶材。上海智能玻璃陶瓷靶材价钱
主要PVD方法的特点:(3)溅射镀膜:在溅射镀膜过程中,溅射靶材需要安装在机台中完成溅射反应,溅射机台专业性强、精密度高,市场长期被美国、日本跨国集团垄断。(4)终端应用:1)半导体芯片:单元器件中的介质层、导体层与保护层需要钽、钨、铜、铝、钛等金属。2)平板显示器件:为了保证大面积膜层的均匀性,提高生产率和降低成本,溅射技术镀膜需要钼、铝、ITO等材料;3)薄膜太阳能电池——第三代,溅射镀膜工艺是被优先选用的制备方法,靶材是不可或缺的原材料;4)计算机储存器:磁信息存储、磁光信息存储和全光信息存储等。在光盘、机械硬盘等记录媒体,需要用铬基、钴基合金等金属材料。吉林智能玻璃陶瓷靶材厂家靶材的纯度越高,薄膜的性能就越好。
ITO(氧化铟锡)靶材是溅射靶材中陶瓷靶材(化合物靶材)的一种,在显示靶材中占比将近60%。ITO靶材就是将氧化铟和氧化锡粉末按一定比例混合后经过一系列的生产工艺加工成型,再高温气氛烧结(1600度,通氧气烧结)形成的黑灰色陶瓷半导体。中低端ITO靶材有玻璃镀膜靶材、发热膜和热反射膜靶材,包括汽车的显示屏、一些仪器仪表的显示。优异的ITO靶材主要用于显示器薄膜靶材、集成电路薄膜靶材以及磁记录和光记录膜靶材,尤其用于大面积、大规格的LED、OLED等领域,具备高密度、高纯度、高均匀性等特点。
氧化锌(ZnO)属于第三代半导体材料,室温下禁带宽度约为3.37eV,其激子束缚能高达60mev,比室温热离化能(26mev)大得多。第三代半导体材料是指宽禁带半导体材料,它们的发光波长短(近紫外),具有耐高温、抗辐照、制备方法多、毒性小等特点。自1997 年发现ZnO薄膜的室温紫外光发射以来,ZnO薄膜的制备技术及其光电特性成为人们研究的热点。ZnO薄膜可以在低于500C的温度下生长,比ZnSe和GaN的生长温度低得多。ZnO作为一种新型的光电材料在光波导、半导体紫外激光器、发光器件,透明电极等方面应用大面积。Zno 也是一种十分有用的压电薄膜材料,高质量的单晶或c轴择优取向的多晶ZnO薄膜具有良好的压电性质,能够用来制备高频纤维声光器件及声光调制器等压电转换器,在光电通信领域得到大面积的应用。溅射靶材开裂原因生产中使用的冷却水温度与镀膜线实际水温存在差异,导致使用过程中靶材开裂。
通常靶材变黑引起中毒的因素靶材中毒主要受反应气体和溅射气体比例的影响。在反应溅射过程中,靶材表面的溅射通道区域被反应产物覆盖或反应产物被剥离,金属表面重新暴露。如果化合物的形成速率大于化合物被剥离的速率,则化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下,参与化合物生成的反应气体量增加,化合物生成速率增加。如果反应气体量增加过多,复合覆盖面积增加,如果反应气体流量不能及时调整,复合覆盖面积增加的速度不会受到抑制,溅射通道将被化合物进一步覆盖。当溅射靶材完全被化合物覆盖时,靶材将完全中毒。靶材中毒变黑的影响a、正离子积聚:当靶材中毒时,在靶材表面形成绝缘膜。当正离子到达阴极靶表面时,由于绝缘层的阻挡,它们不能直接进入阴极靶表面。相反,它们沉积在靶材表面,很可能产生电弧放电——在冷场中产生电弧,使阴极溅射无法进行。b、阳极消失:当靶材中毒时,地面真空室壁上沉积绝缘膜,到达阳极的电子不能进入阳极,形成阳极消失现象。ITO在薄膜太阳能电池中的作用是一种透明导电层,在电池中作为透光层主要用于生成太阳能薄膜电池的背电极。云南AZO陶瓷靶材推荐厂家
ITO靶材的制备方法主要有4种,分别为热压法、热等静压法、常温烧结法、冷等静压法。冷等静压优势突出。上海智能玻璃陶瓷靶材价钱
靶材主要用于生成太阳能薄膜电池的背电极,晶体硅太阳能电池较少用到溅射靶材。太阳能电池主要包括晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池,晶体硅太阳能电池转化效率较高、性能稳定,且各个产业环节比较成熟,占据了太阳能电池市场的主导地位。而晶体硅太阳能电池按照生产工艺不同可分为硅片涂覆型太阳能电池以及PVD工艺高转化率硅片太阳能电池,其中硅片涂覆型太阳能电池的生产不使用溅射靶材,目前靶材主要用于太阳能薄膜电池领域。靶材溅射镀膜形成的太阳能薄膜电池的背电级主要有三个用途:一,它是各单体电池的负极;二,它是各自电池串联的导电通道;三,它可以增加太阳能电池对光的反射。太阳能薄膜电池用溅射靶材主要为方形板状,对纯度要求没有半导体芯片用靶材要求高,一般在99.99%以上。目前制备太阳能电池较为常用的溅射靶材包括铝靶、铜靶、钼靶、铬靶以及ITO靶、AZO靶(氧化铝锌)等。其中铝靶、铜靶用于导电层薄膜,钼靶、铬靶用于阻挡层薄膜,ITO靶、AZO靶用于透明导电层薄膜。上海智能玻璃陶瓷靶材价钱
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