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来源: 发布时间:2022年10月22日

    也可以用图4中的测试电路测试普通晶闸管的触发能力。电路中,vT为被测晶闸管,HL为6.3V指示灯(手电筒中的小电珠),GB为6V电源(可使用4节1.5V干电池或6V稳压电源),S为按钮,R为限流电阻。当按钮S未接通时,晶闸管VT处于阻断状态,指示灯HL不亮(若此时HL亮,则是vT击穿或漏电损坏)。按动一下按钮S后(使S接通一下,为晶闸管VT的门极G提供触发电压),若指示灯HL一直点亮,则说明晶闸管的触发能力良好。若指示灯亮度偏低,则表明晶闸管性能不良、导通压降大(正常时导通压降应为1v左右)。若按钮S接通时,指示灯亮,而按钮S断开时,指示灯熄灭,则说明晶闸管已损坏,触发性能不良。2.双向晶闸管的检测(1)判别各电极:用万用表R×1或R×10档分别测量双向晶闸管三个引脚间的正、反向电阻值,若测得某一管脚与其他两脚均不通,则此脚便是主电极T2。找出T2极之后,剩下的两脚便是主电极Tl和门极G3。测量这两脚之间的正、反向电阻值,会测得两个均较小的电阻值。在电阻值较小(约几十欧姆)的一次测量中,黑表笔接的是主电极T1,红表笔接的是门极G。螺栓形双向晶闸管的螺栓一端为主电极T2,较细的引线端为门极G,较粗的引线端为主电极T1。金属封装(To—3)双向晶闸管的外壳为主电极T2。调整器具有多种控制信号选择。旋转可控硅代理

可控硅有三个极----阳极(A)、阴极(C)和控制极(G),管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN 结,与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。可控硅应用时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。调压可控硅厂家在以大功率二极管或晶闸管为基础的两种基本类型的整流器中,电网的高压交流功率通过整流器变换为直流功率。

    主要应用如下:◇以镍铬、铁铬铝、远红外发热元件及硅钼棒、硅碳棒等为加热元件的温度控制。◇盐浴炉、工频感应炉、淬火炉、熔融玻璃的温度控制。◇整流变压器、电炉变压器一次侧控制。◇真空镀膜设备等◇三相力矩电动机的速度控制。◇电压、电流、功率、灯光等无级平滑调节。◇恒压、恒流、恒功率控制。■特点:*可用380V电源频率为50HZ/60HZ电**殊电压要求可定制。*采用移相式触发方式、适用于阻性负载、感性负载、变压器一次侧等各种负载类型。*能与国内外各种控制仪表、微机的输出信号直接接口。*一台仪表可以同时控制多台触发板。*具有软启动功能,减少对电网的冲击干扰,使主电路更加安全可靠。*脉冲输出对称度小于。*同步电压范围宽。恒电压反馈:电源电压波动±10%,负载阻抗变化10倍时,负荷电压保持恒定,输出电压与控制信号成线性关系恒电流反馈:电源电压波动±10%,负载阻抗变化10倍时,负荷电流保持恒定,输出电流与控制信号成线性关系恒功率反馈:电源电压波动±10%,负载阻抗变化10倍时,负荷功率保持恒定,输出功率与控制信号成线性关系■正常使用条件:*海拔不超过3000米。*工作环境温度-30℃~55℃。*空气比较大相对湿度不超过90%。

    只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止,即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压,仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关。双向可控硅***阳极A1与第二阳极A2间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制极G和***阳极A1间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态。只有当***阳极A1、第二阳极A2电流减小,小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通。单向可控硅的检测。万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。以镍铬、铁铬铝、远红外发热元件及硅钼棒、硅碳棒等为加热元件的温度控制。

    只要用万用表测出A极和G极即可。将万用表置于R×1kΩ档,两表笔任接被测晶闸管的某两个引脚(测其正、反向电阻值),若测出某对引脚为低阻值时,则黑表笔接的阳极A,而红表笔接的是门极G,另外一个引脚即是阴极K。(2)判断其好坏:用万用表R×1kΩ档测量BTG晶闸管各电极之间的正、反向电阻值。正常时,阳极A与阴极K之间的正、反向电阻均为无穷大;阳极A与门极G之间的正向电阻值(指黑表笔接A极时)为几百欧姆至几千欧姆,反向电阻值为无穷大。若测得某两极之间的正、反向电阻值均很小,则说明该晶闸管已短路损坏。(3)触发能力检测:将万用表置于R×1Ω档,黑表笔接阳极A,红表笔接阴极K,测得阻值应为无穷大。然后用手指触摸门极G,给其加一个人体感应信号,若此时A、K极之间的电阻值由无穷大变为低阻值(数欧姆),则说明晶闸管的触发能力良好。否则说明此晶闸管的性能不良。常用的半导体整流器有硅整流器和硒整流器,产品规格很多,电压从几十伏到几千伏,电流从几安到几千安。封装可控硅采购厂家

整流器是一个整流装置,简单的说就是将交流(AC)转化为直流(DC)的装置。旋转可控硅代理

    焊接场效应管是比较方便的,并且确保安全;在未关断电源时,***不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。(5)在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动,有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸5毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等。对于功率型场效应管,要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超过额定值,使器件长期稳定可靠地工作。总之,确保场效应管安全使用,要注意的事项是多种多样,采取的安全措施也是各种各样,广大的专业技术人员,特别是广大的电子爱好者,都要根据自己的实际情况出发,采取切实可行的办法,安全有效地用好场效应管。三.VMOS场效应管VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高.效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(μA左右),还具有耐压高(比较高1200V)、工作电流大(~100A)、输出功率高(1~250W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。旋转可控硅代理

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