场效应管检测一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。。一台仪表可以同时控制多台触发板。逆导可控硅直销
控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1基极的电流已不只是初始的Ib1，而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1*β2*Ib1）这一电流远大于Ib1，足以保持BG1的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集电极电流小于维持导通的**小值时，可控硅方可关断。当然，如果Ea极性反接，BG1、BG2由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳极电压大到超过一定值时，可控硅也会导通。通用可控硅采购厂家调整器具有恒电压、恒电流、恒功率三种反馈形式供用户选择。
焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，***不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。（5）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸５毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。总之，确保场效应管安全使用，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员，特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。三.VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高.效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（μA左右），还具有耐压高（比较高1200V）、工作电流大（～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。
塑封(TO—220)双向晶闸管的中间引脚为主电极T2，该极通常与自带小散热片相连。图5是几种双向晶闸管的引脚排列。(2)判别其好坏：用万用表R×1或R×10档测量双向晶闸管的主电极T1与主电极T2之间、主电极T2与门极G之间的正、反向电阻值，正常时均应接近无穷大。若测得电阻值均很小，则说明该晶闸管电极问已击穿或漏电短路。测量主电极T1与门极G之问的正、反向电阻值，正常时均应在几十欧姆(Ω)至一百欧姆(Ω)之间(黑表笔接T1极，红表笔接G极时，测得的正向电阻值较反向电阻值略小一些)。若测得T1极与G极之间的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该晶闸管已开路损坏。(3)触发能力检测：对于工作电流为8A以下的小功率双向晶闸管，可用万用表R×1档直接测量。测量时先将黑表笔接主电极T2，红表笔接主电极T1，然后用镊子将T2极与门极G短路，给G极加上正极性触发信号，若此时测得的电阻值由无穷大变为十几欧姆(Ω)，则说明该晶闸管已被触发导通，导通方向为T2→T1。再将黑表笔接主电极T1，红表笔接主电极T2，用镊子将T2极与门极G之间短路，给G极加上负极性触发信号时，测得的电阻值应由无穷大变为十几欧姆，则说明该晶闸管已被触发导通，导通方向为T1→T2。因为贮存时间ts过长，电路的振荡频率将下降，整机的工作电流增大易导致三极管的损坏。
其输出电压的变化是由导通角的变化来决定的。相位控制部分正是根据调整管压降的变化来改变可控硅导通角，进而改变整流滤波电路输出电压，将调整管压降维持在3V左右。该稳压电源中，采用KJ785晶闸管移相触发电路。因为作为一种电源产品，应力求在实现同样功能的前提下，器件性能好，电路简单，实现容易。该触发电路可以输出两路相差180度的触发脉冲，可在0～180度范围移相，可用于控制单相、双向晶闸管和晶体管。KJ785由同步检测寄存电路，基准电源，锯齿波形成电路，移相电压和锯齿波综合比较电路与逻辑控制功率放大等部分组成。锯齿波斜率决定于9脚外接电阻和10脚外接电容。脉冲宽度由脚外接电容决定，不接该电容时，脉冲宽度由内接电容决定，约为30μs。KJ785只需单电源工作，触发电路为负极性，即移相电压增加，导通角减小。同步电压从5脚输入，可以直接取自电网电压，降压限流电阻取电网电压×103Ω，也可采用同步变压器隔离输入。7，6脚可提供脉冲列和脉冲***的控制端。各管脚功能如表1所示。由于该稳压电源是大功率电源，有发热量较大的变压器、整流二极管、可控硅、集成稳压器等，更主要的是，调整管是大功率晶体管，发热较大。因此该稳压电源中，采用风扇送风。电压、电流、功率、灯光(高压钠灯控制必须用稳压功能配套PID控制板)等无级平滑调节。通用可控硅采购厂家
调整器主电路和控制电路一体化结构，体积小，重量轻，使用、维护十分方便。逆导可控硅直销
该充电器除可为各种镍镉电池充电外，也可为干电池充电。其充电电流可调。充电终止电压由RP1预先确定。开始充电时，电池组两端电压较低，不足以使晶体管VT导通。由RC组成的移相电路给可控硅提供触发电流。移相角度由RP2决定。负半周时可控硅截止。因此可控硅以可控半波整流方式经电池组充电。调整RP2即可调整充电电流，比较大充电电流由R1既定。指示灯串在电路中以指示充电情况和充电电流的大小。R3用以调节指示灯的亮度。当电池组电压慢慢升高，快到预定值时，三极管开始导通，可控硅的导通角减小，充电电流下降，直至完全截止，这样充电自动停止，并使电池组保持在预定电压上。因为当电压下降时，晶体管又趋向截止，可控硅重新启动，不过此时导通角很小，电流出很小，对充电电池有保护作用，防止过充。元器件选择与制作元器件清单见下表。编号名称型号数量R1电阻（需调整）1R2电阻1R3电阻根据指示灯选用1RP1电位器100K1RP2电位器2K1C涤纶电容1VD1、VD2晶体二极管2CP类2VT晶体三极管3DG类1VS单向可控硅1A/25V1元器件连接完成，检查无误，即可进行调整。调整时，将电流表串在输入回路中，先将R3短路，RP2旋至阻值**小处，调整R1。逆导可控硅直销
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