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广西交流晶闸管调压模块价格

来源: 发布时间:2023年03月18日

可控硅移相触发器主要用于触发可控硅实现交流调压,包括电源、电阻、导线、大电流晶闸管、小功率双向晶闸管,现代有可控硅移相触发器的出现,缩小触发器体积与重量,节省大量的生产成本,为生产企业带来明显的经济与社会效益。下面正高带了解可控硅移相触发器的功能。CON对COM必须为正,极性相反则输出端失控,全开或全闭。当控制端CON从,交流负载上的电压从0伏到相当大值可调,对阻性负载而言。其中CON在,可靠关断模块的输出CON在,即随着控制电压的增大,导通角∝从180到0线性减小,交流负载上的电压从0伏增大到相当大值,CON在,交流负载上的电压为相当大值。移相触发器均可使用在100-420Vac,50Hz的电网上,100V以下可定制。CON对COM的输入阻抗分,G型为250欧。移相触发器模块可以触发:1000A以内可控硅,注意触发端接法。移相触发器模块本身发热很小,不需另外散热。可控硅移相触发器主要适用于交流供电的双向可控硅或反并联可控硅线路的交流相位控制。能由交流电网直接供电并无需外加同步信号、输出变压器和直流工作电源,并且能直接与与可控硅控制极直接耦合触发。具有锯齿波线性好、移相范围宽、控制方式简单、有交互保护、输出电流大等优点。淄博正高电气通过专业的知识和可靠技术为客户提供服务。广西交流晶闸管调压模块价格

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晶闸管模块是一种开关器件,在电气行业中有着较为广的应用,在设备中起着较为重要的作用,但是晶闸管模块还是有它需要注意的问题的,下面正高给您讲解一下。当触发脉冲的持续时间较短时,脉冲幅度必须相应增加,同时脉冲宽度也取决于阳极电流达到擎住电流的时间。在系统中,由于感性负载的存在,阳极电流上升率低,若不施加宽脉冲触发,则晶闸管模块往往不能维持导通状态。考虑负载是强感性的情况,本系统采用高电平触发,其缺点是晶闸管模块损耗过大。晶闸管模块在应用过程中,影响关断时间的因素有结温、通态电流及其下降率、反向恢复电流下降率、反向电压及正向dv/dt值等。其中以结温及反向电压影响大,结温愈高,关断时间愈长;反压越高,关断时间愈短。在系统中,由于感性负载的存在,在换流时,电感两端会产生很大的反电势。这个异常电压加在晶闸管模块两端,容易引起晶闸管模块损坏。为了防止这种情况,通常采用浪涌电压吸收电路。由于感性负载的存在,应考虑加大触发脉冲宽度,否则晶闸管模块在阳极电流达到擎住电流之前,触发信号减弱,可能会造成晶闸管模块不能正常导通。在关断时,感性负载也会给晶闸管模块造成一些问题。以上所述就是晶闸管模块值得注意的事项。泰安整流晶闸管调压模块价格淄博正高电气公司将以优良的产品,完善的服务与尊敬的用户携手并进!

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相信大家对于可控硅模块并不陌生了,现代在电气行业的不断发展,可控硅模块的使用范围越来越广,但是你对可控硅模块的了解有多少呢,它的主要参数有哪些你知道吗?下面为大家讲解。可控硅模块的主要参数有:1.额定通态平均电流IT在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。2.正向阻断峰值电压VPF在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅模块两端的正向峰值电压。可控硅模块承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。3.反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅模块两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。4.控制极触发电流Ig1、触发电压VGT在规定的环境温度下,阳极——阴极间加有一定电压时,可控硅模块从关断状态转为导通状态所需要的较小控制极电流和电压。5.维持电流IH在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的较小阳极正向电流。近年来,许多新型可控硅模块相继问世,如适于高频应用的快速可控硅模块,可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅模块,可以用正触发信号使其导通。

晶闸管模块又称为可控硅模块,是硅整流装置中主要的器件,可应用于多种场合,在不同的场合、线路和负载的状态下,选择适合的晶闸管模块的重要参数,使设备运行更良好,使用寿命更长。1.选择正反向电压晶闸管模块在门极无信号,控制电流Ig为0时,在阳(A)逐一阴(K)极之间加(J2)处于反向偏置,所以,器件呈高阻抗状态,称为正向阻断状态,若增大UAK而达到一定值VBO,可控硅由阻断忽然转为导通,这个VBO值称为正向转折电压,这种导通是非正常导通,会减短器件的寿命。所以必须选择足够正向重复阻断峰值电压(VDRM)。在阳逐一阴极之间加上反向电压时,器件的一和三PN结(J1和J3)处于反向偏置,呈阻断状态。当加大反向电压达到一定值VRB时可控硅的反向从阻断忽然转变为导通状态,此时是反向击穿,器件会被损坏。而且VBO和VRB值随电压的重复施加而变小。在感性负载的情况下,如磁选设备的整流装置。在关断的时候会产生很高的电压(∈=-Ldi/dt),假如电路上未有良好的吸收回路,此电压将会损坏晶闸管模块。因此,晶闸管模块也必须有足够的反向耐压VRRM。晶闸管模块在变流器(如电机车)中工作时。必须能够以电源频率重复地经受一定的过电压而不影响其工作。淄博正高电气设备的引进更加丰富了公司的设备品种,为用户提供了更多的选择空间。

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可控硅智能模块是一种非常重要的电子配件,它的应用也非常广,它的出现解决了电路上的很多问题,下面正高电气就来介绍一下可控硅智能模块在电气控制领域中的应用。在电气控制领域的可控硅智能模块,其实就是将可控硅晶闸管主电路与移相触发电路、控制电路进行集成封装的新型模块,目前国际上通用的晶闸管智能模块的移相触发电路为全数字电路,功能电路由单片机完成,并且内置有多路电流、电压、温度传感器,通过模块上的接插件可将各种控制线引到键盘,进行各种功能和电气参数设定,并可进行LED或LCD显示。这种全新的智能可控硅晶闸管模块在体积、容量以及智能化程度方面,都与传统的装置有了明显的不同。在了解了这种可控硅模块的发展情况之后,接下来我们再来看一下这种智能可控硅模块的基础结构是怎样的。通常情况下,一个较为完整的可控硅模块一般由电力晶闸管,移相触发器,软件控制的单片机,电流、电压、温度传感器以及操作键盘,LED或LCD显示等部分组成。智能可控硅模块具有相当不错的智能水平和适应性,因此这种晶闸管模块也能够充分适应电气控制系统的应用需要。淄博正高电气企业价值观:以人为本,顾客满意,沟通合作,互惠互利。莱芜整流晶闸管调压模块

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晶闸管模块的应用非常广,大到电气行业设备中的应用,小到日常生活中的应用,但是如果有使用不当的时候就会造成晶闸管模块烧坏的情况,下面正高来介绍下晶闸管模块被烧坏的原因有哪些?晶闸管模块烧坏都是由温度过高造成的,而温度是由晶闸管模块的电特性、热特性、结构特性决定的,因此保证晶闸管模块在研制、生产过程中的质量应从三方面入手:电特性、热特性、结构特性,而且三者是紧密相连、密不可分的,所以在研制、生产晶闸管模块时应充分考虑其电应力、热应力、结构应力。烧坏晶闸管模块的原因很多,总的说来还是三者共同作用下才致使晶闸管模块烧坏的,某一单独的特性下降很难造成品闸管烧坏,因此我们在生产过程中可以充分利用这个特点,就是说如果其中的某个应力达不到要求时可以采取提高其他两个应力的办法来弥补。从晶闸管模块的各相参数看,经常发生的参数有:电压、电流、dv/dt、di/dt、漏电、开通时间、关断时间等,甚至有时控制极也可烧坏。由于晶闸管模块各参数性能的下降或线路问题会造成晶闸管模块烧损,从表面看来每个参数所造成晶闸管模块烧损的现象是不同的,因此通过解剖烧损的晶闸管模块就可以判断出是由哪个参数造成晶闸管模块烧坏的。广西交流晶闸管调压模块价格

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