1，人体放电模式(HBM)：当然就是人体摩擦产生了电荷突然碰到芯片释放的电荷导致芯片烧毁击穿，秋天和别人触碰经常触电就是这个原因。业界对HBM的ESD标准也有迹可循(MIL- STD-883C method 3015.7，等效人体电容为100pF，等效人体电阻为1.5Kohm)，或者国际电子工业标准(EIA/JESD22-A114-A)也有规定，看你要follow哪一份了。如果是MIL-STD-883C method 3015.7，它规定小于<2kV的则为Class-1，在2kV~4kV的为class-2，4kV~16kV的为class-3。放大电路中三极管集电极的直流信号不随输入信号而改变，而交流信号随输入信号发生变化。大批量PCB线路板组装打样
通过这种反向的研究方法，别人需要两三年才开发出来的一款产品，我们通过PCB抄板反向研究的方式，可能只需要一个月就能学会别人花两三年研发出来的成果，这对于我们发展中国家追赶世界脚步起到了非常重要的促进作用。而且反向研究技术的发展，也对那些开发团队的技术突破起到一个促进作用，反向研究技术的大力发展同时也导致正向研究技术的不断更新。正向研究与反向研究之间就是因为有了这个竞争关系，所以这几年电子技术的发展才能日新月异，电子产品，几乎一年更新换代一次，后面电子产品更新换代的速度只会越来越快。因为PCB抄板降低了电子技术的门槛。PCB抄板使越来越多的发展中国家快速走上了高新电子技术的前沿，与发达国家一起研究电子技术。这个研究团队越大，这个世界的电子技术才能发展得越块。上海高质量PCB线路板组装销售价格PCB的设计和制造质量直接影响到整个产品的质量和成本，甚至导致商业竞争的成败。
几乎所有电子设备都有PCB。它们有绿红色，蓝色或黑色。计算机主板是PCB的完美示例。它们存在于日常电器中，如打印机，数字钟，电视，微波炉，甚至还有一些简单的物品，如灯开关。如果没有一系列可靠的PCB，我们的社会就会在PCB上运行，家庭和企业现在无法顺利运行。事实上，商业建筑通常会容纳更多的PCB，而不是其中的员工数量。印刷电路板（PCB）是方便的薄板，用于以简单，方便和经济的方式容纳互连的电气元件。它们被用作物理支撑，用于安装和连接不同的电气元件。PCB采用玻璃纤维，复合环氧树脂或任何其他复合材料制成，并带有金属涂层表面。它们具有使用金属和酸制成的蚀刻，以创建通过不同集成电路（IC）和电路板上的其他组件的电路。焊料将IC和其他元件连接到电路板表面。电路板中的铜轨道减少了短路，未对准或错位电线的可能性。这样，所有组件都牢固地固定在电路板上，无需复杂的布线系统和不必要的费用。这也简化了根据您的需求维护PCB的过程-无需处理大量电线。但是，并非所有电气应用都使用标准PCB。实际上，它们根据电子设备的尺寸，形状和功能而不同。
4、还有一种复杂的ESD保护电路:可控硅晶闸管(SCR:SiliconControlledRectifier)，它就是我们之前讲过的CMOS寄生的PNPN结构触发产生Snap-Back并且Latch-up，通过ON/OFF实现对电路的保护，大家可以回顾一下，只要把上一篇里面那些抑制LATCH-up的factor想法让其发生就可以了，不过只能适用于Layout，不能适用于Process，否则Latch-up又要fail了。结尾，ESD的设计学问太深了，我这里只是抛砖引玉给FAB的人科普一下了，基本上ESD的方案有如下几种:电阻分压、二极管、MOS、寄生BJT、SCR(PNPNstructure)等几种方法。三极管 [1](也称晶体管)在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称。
对于采用自由对流空气冷却的设备，较好是将集成电路(或其他器件)按纵长方式排列，或按横长方式排列。采用合理的走线设计实现散热由于板材中的树脂导热性差，而铜箔线路和孔是热的良导体，因此提高铜箔剩余率和增加导热孔是散热的主要手段。评价PCB的散热能力，就需要对由导热系数不同的各种材料构成的复合材料一一PCB用绝缘基板的等效导热系数(九eq)进行计算。同一块印制板上的器件应尽可能按其发热量大小及散热程度分区排列，发热量小或耐热性差的器件(如小信号晶体管、小规模集成电路、电解电容等)放在冷却气流的比较上流(入口处)，发热量大或耐热性好的器件(如功率晶体管、大规模集成电路等)放在冷却气流比较下游。放大电路的共射组态实际上是指放大电路中的三极管是共射组态。上海现代化PCB线路板组装批发厂家
数十年来，PCB高密度能够随着集成电路集成度提高和安装技术进步而发展着。大批量PCB线路板组装打样
利用SAB(SAlicide-Block)在I/O的Drain上形成一个高阻的non-Silicide区域，使得漏极方块电阻增大，而使得ESD电流分布更均匀，从而提高泄放能力；2、增加一道P-ESD (Inner-Pickup imp，类似上面的接触孔P+ ESD imp)，在N+Drain下面打一个P+，降低Drain的雪崩击穿电压，更早有比较多的雪崩击穿电流(详见文献论文: Inner Pickup on ESD of multi-finger NMOS.pdf)。对于Snap-back的ESD有两个小小的常识要跟大家分享一下：1)NMOS我们通常都能看到比较好的Snap-back特性，但是实际上PMOS很难有snap-back特性，而且PMOS耐ESD的特性普遍比NMOS好，这个道理同HCI效应，主要是因为NMOS击穿时候产生的是电子，迁移率很大，所以Isub很大容易使得Bulk/Source正向导通，但是PMOS就难咯。大批量PCB线路板组装打样
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