SAB (SAlicide Block)：一般我们为了降低MOS的互连电容，我们会使用silicide/SAlicide制程，但是这样器件如果工作在输出端，我们的器件负载电阻变低，外界 ESD电压将会全部加载在LDD和Gate结构之间很容易击穿损伤，所以在输出级的MOS的Silicide/Salicide我们通常会用SAB(SAlicide Block)光罩挡住RPO，不要形成silicide，增加一个photo layer成本增加，但是ESD电压可以从1kV提高到4kV。串联电阻法：这种方法不用增加光罩，应该是极省钱的了，原理有点类似第三种(SAB)增加电阻法，我就故意给他串联一个电阻(比如Rs_NW，或者HiR，等)，这样也达到了SAB的方法。折叠hFE 电流放大倍数。上海百翊电子科技PCB线路板组装产品介绍
根据对象体系的功能复杂性和计算处理复杂性，提供的不同选择。对于简单的家电控制嵌入式系统，采用简单的8位单片机就足够了，价廉物美，对于手机和游戏机等，就必须采用32位的ARM和DSP等芯片了。FPGA是一种更偏向硬件的实现方式。所以要通过学习成为硬件工程师，要从单片机开始，然后学习ARM和DSP之类。单片机现在可谓是铺天盖地，种类繁多，让开发者们应接不暇，发展也是相当的迅速，从上世纪80年代，由当时的4位8位发展到现在的各种高速单片机。上海装配式PCB线路板组装开发厂家放大电路主要利用三极管或场效应管的控制作用放大微弱信号。
其强大的功能主要表现在：特性：1.内核：ARM32位Cortex-M3CPU，比较高工作频率72MHz，1.25DMIPS/MHz，单周期乘法和硬件除法2.存储器：片上集成32-512KB的Flash存储器。6-64KB的SRAM存储器3.时钟、复位和电源管理：2.0-3.6V的电源供电和I/O接口的驱动电压。POR、PDR和可编程的电压探测器(PVD)。4-16MHz的晶振。内嵌出厂前调校的8MHzRC振荡电路。内部40kHz的RC振荡电路。用于CPU时钟的PLL。带校准用于RTC的32kHz的晶振4、调试模式：串行调试(SWD)和JTAG接口。较多高达112个的快速I/O端口、较多多达11个定时器、较多多达13个通信接口使用较多的器件：STM32F103系列、STM32L1系列、STM32W系列。
PIC单片机PIC单片机系列是美国微芯公司(Microship)的产品，共分三个级别,即基本级、中级、高级，是当前市场份额增长极快的单片机之一，CPU采用RISC结构,分别有33、35、58条指令,属精简指令集，同时采用Harvard双总线结构,运行速度快,它能使程序存储器的访问和数据存储器的访问并行处理,这种指令流水线结构,在一个周期内完成两部分工作,一是执行指令,二是从程序存储器取出下一条指令,这样总的看来每条指令只需一个周期,这也是高效率运行的原因之一。PCB的发展特点表现在：此时期基板材料用的树脂、增强材料以及绝缘基板大量涌现，技术上得到初步的探索。
栅极耦合(Gate-Couple)ESD技术：我们刚刚讲过，Multi-finger的ESD设计的瓶颈是开启的均匀性，假设有10只finger，而在ESD放电发生时，这10支finger并不一定会同时导通(一般是因Breakdown而导通)，常见到只有2-3支finger会先导通，这是因布局上无法使每finger的相对位置及拉线方向完全相同所致，这2~3支finger一导通，ESD电流便集中流向这2~3支的finger，而其它的finger仍是保持关闭的，所以其ESD防护能力等效于只有2~3支finger的防护能力，而非10支finger的防护能力。这也就是为何组件尺寸已经做得很大，但ESD防护能力并未如预期般地上升的主要原因，增打面积未能预期带来ESD增强，怎么办？其实很简单，就是要降低Vt1(Trigger电压)，我们通过栅极增加电压的方式，让衬底先开启代替击穿而提前导通产生衬底电流，这时候就能够让其他finger也一起开启进入导通状态，让每个finger都来承受ESD电流，真正发挥大面积的ESD作用。但是这种GCNMOS的ESD设计有个缺点是沟道开启了产生了电流容易造成栅氧击穿，所以他不见的是一种很好的ESD设计方案，而且有源区越小则栅压的影响越大，而有源区越大则snap-back越难开启，所以很难把握。折叠PCM 较大允许耗散功率。上海特色PCB线路板组装大概价格
保证放大电路的重要器件三极管工作在放大状态，即有合适的偏置。也就是说发射结正偏，集电结反偏。上海百翊电子科技PCB线路板组装产品介绍
根据这个理论，我们需要一个单独的器件没有LDD，但是需要另外一道ESD implant，打一个比较深的N+_S/D，这样就可以让那个尖角变圆而且离表面很远，所以可以明显提高ESD击穿能力(>4kV)。但是这样的 话这个额外的MOS的Gate就必须很长防止穿通(punchthrough)，而且因为器件不一样了，所以需要单独提取器件的SPICE Model。接触孔(contact)的ESD implant：在LDD器件的N+漏极的孔下面打一个P+的硼，而且深度要超过N+漏极(drain)的深度，这样就可以让原来Drain的击穿电压降低(8V-->6V)，所以可以在LDD尖角发生击穿之前先从Drain击穿导走从而保护Drain和Gate的击穿。所以这样的设计能够保持器件尺寸不变，且MOS结构没有改变，故不需要重新提取SPICE model。当然这种智能用于non-silicide制程，否则contact你也打不进去implant。上海百翊电子科技PCB线路板组装产品介绍
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