SMT线路板回流焊缺陷分析：锡珠(SolderBalls)：原因：1、丝印孔与焊盘不对位，印刷不精确，使锡膏弄脏PCB。2、锡膏在氧化环境中暴露过多、吸空气中水份太多。3、加热不精确，太慢并不均匀。4、加热速率太快并预热区间太长。5、锡膏干得太快。6、助焊剂活性不够。7、太多颗粒小的锡粉。8、回流过程中助焊剂挥发性不适当。锡球的工艺认可标准是：当焊盘或印制导线的之间距离为0.13mm时，锡珠直径不能超过0.13mm，或者在600mm平方范围内不能出现超过五个锡珠。锡桥(Bridging)：一般来说，造成锡桥的因素就是由于锡膏太稀，包括锡膏内金属或固体含量低、摇溶性低、锡膏容易榨开，锡膏颗粒太大、助焊剂表面张力太小。焊盘上太多锡膏，回流温度峰值太高等。大容量的电容往往是作滤波和存储电荷用。上海正规SMT线路板加工工序
SMT工艺流程------单面组装工艺来料检测-->丝印焊膏（点贴片胶）-->贴片-->烘干（固化）-->回流焊接-->清洗-->检测-->返修。SMT工艺流程------单面混装工艺来料检测-->PCB的A面丝印焊膏（点贴片胶）-->贴片-->烘干（固化）-->回流焊接-->清洗-->插件-->波峰焊-->清洗-->检测-->返修。SMT工艺流程------双面组装工艺A：来料检测-->PCB的A面丝印焊膏（点贴片胶）-->贴片-->烘干（固化）-->A面回流焊接-->清洗-->翻板-->PCB的B面丝印焊膏（点贴片胶）-->贴片-->烘干-->回流焊接（比较好只对B面-->清洗-->检测-->返修）此工艺适用于在PCB两面均贴装有PLCC等较大的SMD时采用。B：来料检测-->PCB的A面丝印焊膏（点贴片胶）-->贴片-->烘干（固化）-->A面回流焊接-->清洗-->翻板-->PCB的B面点贴片胶-->贴片-->固化-->B面波峰焊-->清洗-->检测-->返修）此工艺适用于在PCB的A面回流焊，B面波峰焊。在PCB的B面组装的SMD中，只有SOT或SOIC（28）引脚以下时，宜采用此工艺。上海正规SMT线路板加工工序低耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器。
PERL电池PERL（PassivatedEmitterandRearLocally-diffused）电池是钝化发射极、背面定域扩散太阳能电池的简称。1990年，新南威尔士大学的J.ZHAO在PERC电池结构和工艺的基础上，在电池背面的接触孔处采用了BBr3定域扩散制备出PERL电池。PERL电池效率达到24.7％，接近理论值。PERL电池具有高效率的原因在于：1、电池正面采用“倒金字塔”，这种结构受光效果优于绒面结构，具有很低的反射率，从而提高了电池的JSC.2、淡磷、浓磷的分区扩散。栅指电极下的浓磷扩散可以减少栅指电极接触电阻；而受光区域的淡磷扩散能满足横向电阻功耗小，且短波响应好的要求；3、背面进行定域、小面积的硼扩散P+区。这会减少背电极的接触电阻，又增加了硼背面场，蒸铝的背电极本身又是很好的背反射器，从而进一步提高了电池的转化效率；4、双面钝化。发射极的表面钝化降低表面态，同时减少了前表面的少子复合。而背面钝化使反向饱和电流密度下降，同时光谱响应也得到改善；但是这种电池的制造过程相当繁琐，其中涉及到好几道光刻工艺，所以不是一个低成本的生产工艺中。
这其中极为关键的是降低光生载流子的复合，它直接影响太阳能电池的开路电压。光生载流子的复合主要是由于高浓度的扩散层在前表面引入大量的复合中心。此外，当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时，背表面的复合速度对太阳能电池特性的影响也很明显。提高转换效率方法提高晶硅太阳能电池转换效率有如下方法：1、光陷阱结构2、减反射膜3、钝化层4、增加背场5、改善衬底材料，1、光陷阱结构一般高效单晶硅电池采用化学腐蚀制绒技术，制得绒面的反射率可达到10％以下。目前较为先进的制绒技术是反应等离子蚀刻技术（RIE），该技术的优点是和晶硅的晶向无关，适用于较薄的硅片，通常使用SF6/O2混合气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF4，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行钝化处理，形成绒面结构。目前韩国周星公司应用该技术的设备可制得绒面反射率低于在2%~20%范围。国家作为重要的市场监管部门要加强知识产权保护力度，引导制定中国的SMT产业标准，并加以积极推广和执行。
IBC电池是背电极接触(InterdigitatedBack-contact)硅太阳能电池的简称。其特点是正面无栅状电极，正负极交叉排列在背后。这种把正面金属栅极去掉的电池结构有很多优点：1、减少正面遮光损失，相当于增加了有效半导体面积；2、组件装配成本降低；3、外观好。由于光生载流子需要穿透整个电池，被电池背表面的PN节所收集，故IBC电池需要载流子寿命较高的硅晶片，一般采用N型FZ单晶硅作为衬底；正面采用二氧化硅或氧化硅/氮化硅复合膜与N+层结合作为前表面电场，并制成绒面结构以抗反射。背面利用扩散法做成P+和N+交错间隔的交叉式接面，并通过氧化硅上开金属接触孔，实现电极与发射区或基区的接触。交叉排布的发射区与基区电极几乎覆盖了背表面的大部分，十分有利于电流的引出。这种背电极的设计实现了电池正面“零遮挡”，增加了光的吸收和利用。但制作流程也十分复杂，工艺中的难点包括P+扩散、金属电极下重扩散以及激光烧结等。按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。定制SMT线路板加工批发价
在维修具有大电容的设备之前，需确认电容已经放电完毕。上海正规SMT线路板加工工序
方形扁平式封装(QFP)QFP(PlasticQuadFlatPackage)封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般在大规模或超大型集成电路中采用，其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMT表面安装技术将芯片与主板焊接起来。该封装方式具有四大特点：①适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线;②适合高频使用;③操作方便,可靠性高;④芯片面积与封装面积之间的比值较小。与PGA封装方式一样，该封装方式将芯片包裹在塑封体内，无法将芯片工作时产生的热量及时导出，制约了MOSFET性能的提升;而且塑封本身增加了器件尺寸，不符合半导体向轻、薄、短、小方向发展的要求;另外，此类封装方式是基于单颗芯片进行，存在生产效率低、封装成本高的问题。因此，QFP更适于微处理器/门陈列等数字逻辑LSI电路采用，也适于VTR信号处理、音响信号处理等模拟LSI电路产品封装。上海正规SMT线路板加工工序
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