顾名思义，标准PCB是在极标准且使用极普遍的配置中制成的。这些PCB通常由FR4基板制成，标准厚度约为1.5mm。它们具有很高的成本效益，并且具有中等耐久性。由于标准PCB的基板材料都是不良导体，因此它们具有铜层层压，阻焊膜和丝网印刷，使其导电。这些可以是单面，双面或多层板。单面的用于基本设备，例如计算器。分层的设备用于稍微复杂的设备（例如计算机）中。这样，取决于所使用的材料和层的数量，它们在许多简单和复杂的设备中得到应用。大多数FR4板的耐热性和耐高温性都不高，因此必须避免直接暴露在高温下。因此，它们具有散热片或铜填充的通孔，可防止热量进入电路。您可以避免使用标准PCB，而是在不需要高温的情况下选择铝PCB，以在极端高温环境下运行。但是，如果您的应用需求相对稳定，那么您可以很好地选择既高效又经济的玻璃纤维标准PCB。晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。专业PCB线路板组装设计
这个原理看起来简单，但是设计的精髓(know-how)是什么？怎么触发BJT？怎么维持Snap-back？怎么撑到HBM>2KVor4KV？如何触发？必须有足够大的衬底电流，所以后来发展到了现在普遍采用的多指交叉并联结构(multi-finger)。但是这种结构主要技术问题是基区宽度增加，放大系数减小，所以Snap-back不容易开启。而且随着finger数量增多，会导致每个finger之间的均匀开启变得很困难，这也是ESD设计的瓶颈所在。如果要改变这种问题，大概有两种做法(因为triger的是电压，改善电压要么是电阻要么是电流)。定制PCB线路板组装销售价格双面板 这种电路板的两面都有布线，不过要用上两面的导线，必须要在两面间有适当的电路连接才行。
如果PCB上头有某些零件，需要在制作完成后也可以拿掉或装回去，那么该零件安装时会用到插座（Socket）．由于插座是直接焊在板子上的，零件可以任意的拆装．如果要将两块PCB相互连结，一般我们都会用到俗称「金手指」的边接头（edgeconnector）．金手指上包含了许多裸露的铜垫，这些铜垫事实上也是PCB布线的一部份．通常连接时，我们将其中一片PCB上的金手指放置在另一片PCB上合适的插槽上（一般叫做扩充槽Slot）．在计算机中，像是显示卡，声卡或是其它类似的界面卡，都是借着金手指来与主机板连接的．
MSP430单片机MSP430系列单片机是德州仪器1996年开始推向市场的一种16位较低功耗的混合信号处理器，给人们留下的比较大的亮点是低功耗而且速度快,汇编语言用起来很灵活,寻址方式很多,指令很少,容易上手。主要是由于其针对实际应用需求，把许多模拟电路、数字电路和微处理器集成在一个芯片上，以提供“单片”解决方案。其迅速发展和应用范围的不断扩大，主要取决于以下的特点。特性：1.强大的处理能力，采用了精简指令集(RISC)结构，具有丰富的寻址方式(7种源操作数寻址、4种目的操作数寻址)、简洁的27条内核指令以及大量的模拟指令;大量的寄存器以及片内数据存储器都可参加多种运算;还有高效的查表处理指令;有较高的处理速度，在8MHz晶体驱动下指令周期为125ns。这些特点保证了可编制出高效率的源程序。放大电路的共射组态实际上是指放大电路中的三极管是共射组态。
栅极耦合(Gate-Couple)ESD技术：我们刚刚讲过，Multi-finger的ESD设计的瓶颈是开启的均匀性，假设有10只finger，而在ESD放电发生时，这10支finger并不一定会同时导通(一般是因Breakdown而导通)，常见到只有2-3支finger会先导通，这是因布局上无法使每finger的相对位置及拉线方向完全相同所致，这2~3支finger一导通，ESD电流便集中流向这2~3支的finger，而其它的finger仍是保持关闭的，所以其ESD防护能力等效于只有2~3支finger的防护能力，而非10支finger的防护能力。这也就是为何组件尺寸已经做得很大，但ESD防护能力并未如预期般地上升的主要原因，增打面积未能预期带来ESD增强，怎么办？其实很简单，就是要降低Vt1(Trigger电压)，我们通过栅极增加电压的方式，让衬底先开启代替击穿而提前导通产生衬底电流，这时候就能够让其他finger也一起开启进入导通状态，让每个finger都来承受ESD电流，真正发挥大面积的ESD作用。但是这种GCNMOS的ESD设计有个缺点是沟道开启了产生了电流容易造成栅氧击穿，所以他不见的是一种很好的ESD设计方案，而且有源区越小则栅压的影响越大，而有源区越大则snap-back越难开启，所以很难把握。全球PCB产业产值占电子元件产业总产值的四分之一以上，是各个电子元件细分产业中比重较大的产业。智能PCB线路板组装制作流程
因为单面板在设计线路上有许多严格的限制，所以只有早期的电路才使用这类的板子。专业PCB线路板组装设计
利用SAB(SAlicide-Block)在I/O的Drain上形成一个高阻的non-Silicide区域，使得漏极方块电阻增大，而使得ESD电流分布更均匀，从而提高泄放能力；2、增加一道P-ESD (Inner-Pickup imp，类似上面的接触孔P+ ESD imp)，在N+Drain下面打一个P+，降低Drain的雪崩击穿电压，更早有比较多的雪崩击穿电流(详见文献论文: Inner Pickup on ESD of multi-finger NMOS.pdf)。对于Snap-back的ESD有两个小小的常识要跟大家分享一下：1)NMOS我们通常都能看到比较好的Snap-back特性，但是实际上PMOS很难有snap-back特性，而且PMOS耐ESD的特性普遍比NMOS好，这个道理同HCI效应，主要是因为NMOS击穿时候产生的是电子，迁移率很大，所以Isub很大容易使得Bulk/Source正向导通，但是PMOS就难咯。专业PCB线路板组装设计
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