静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)，应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力(EOS: Electrical Over Stress)破坏的主要元凶。因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏)，所以这种损伤是毁灭性和长久性的，会造成电路直接烧毁。所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题。静电，通常都是人为产生的，如生产、组装、测试、存放、搬运等过程中都有可能使得静电累积在人体、仪器或设备中，甚至元器件本身也会累积静电，当人们在不知情的情况下使这些带电的物体接触就会形成放电路径，瞬间使得电子元件或系统遭到静电放电的损坏(这就是为什么以前修电脑都必须要配戴静电环托在工作桌上，防止人体的静电损伤芯片)，如同云层中储存的电荷瞬间击穿云层产生剧烈的闪电，会把大地劈开一样，而且通常都是在雨天来临之际，因为空气湿度大易形成导电通到。随着多层板、HDI板、柔性板的快速增长，我国的PCB产业结构正在逐步得到优化和改善。上海百翊电子科技PCB线路板组装专卖
不足之处：其特殊寄存器(SFR)并不像51系列那样都集中在一个固定的地址区间内(80～FFH),而是分散在四个地址区间内。只有5个特殊寄存器PCL、STATUS、FSR、PCLATH、INTCON在4个存储体内同时出现，但是在编程过程中,少不了要与特殊寄存器打交道,得反复地选择对应的存储体,也即对状态寄存器STATUS的第6位(RP1)和第5位(RP0)置位或清零。数据的传送和逻辑运算基本上都得通过工作寄存器W(相当于51系列的累加器A)来进行,而51系列的还可以通过寄存器相互之间直接传送,因而PIC单片机的瓶颈现象比51系列还要严重,这在编程中的朋友应该深有体会使用较多的器件：PIC16F873、PIC16F877。上海新型PCB线路板组装批发厂家集电区与基区形成的PN结称为集电结。
51单片机应用较普遍的8位单片机当然也是初学者们较容易上手学习的单片机，较早由Intel推出，由于其典型的结构和完善的总线特殊寄存器的集中管理，众多的逻辑位操作功能及面向控制的丰富的指令系统，堪称为一代“经典”，为以后的其它单片机的发展奠定了基础。特性：1.从内部的硬件到软件有一套完整的按位操作系统，称作位处理器，处理对象不是字或字节而是位。不但能对片内某些特殊功能寄存器的某位进行处理，如传送、置位、清零、测试等，还能进行位的逻辑运算，其功能十分完备，使用起来得心应手。2.同时在片内RAM区间还特别开辟了一个双重功能的地址区间，使用极为灵活，这一功能无疑给使用者提供了极大的方便，3.乘法和除法指令，这给编程也带来了便利。很多的八位单片机都不具备该项功能，作乘法时还得编上一段子程序调用，十分不便。缺点：(虽然是经典但是缺点还是很明显的)
选择适合多层PCB线路板组装制造商时，要考虑几个因素。l技术能力：此过程需要普遍的操作员培训以及特定的设备和技术，而这只能由出名的多层铜PCB制造商提供。l经验：在做出决定之前，请务必检查制造商的经验。从他们的在线个人资料中可以很容易理解这一点，或者您可以在讨论阶段进行确认。您可以具体检查制造商在您所在行业的经验以及他从事的项目类型。l定制选项：尽管一些电子设备使用标准尺寸的PCB，但许多设备也需要定制的PCB。因此，您需要检查所选的制造商是否能够提供定制规格的PCB。l特定于行业的认证：如果您属于任何关键服务行业，例如医疗，航空航天和航空业等，这将成为极重要的因素。PCB的技术发展水平，一般以印制板上的线宽，孔径，板厚/孔径比值为主。
为什么MCU、DSP和FPGA会同时存在呢?那是因为MCU、DSP的内部结构都是由IC设计人员精心设计的，在完成相同功能时功耗和价钱都比FPGA要低的多。而且FPGA的开发本身就比较复杂，完成相同功能耗费的人力财力也要多。所以三者之间各有各的长处，各有各的用武之地。但是这三者之间已经有融合的态势，ARM的M4系列里多加了一个精简的DSP核，TI的达芬奇系列本身就是ARM+DSP结构，ALTERA和XINLIX新推出的FPGA都包含了ARM的核在里面。所以三者之间的关系是越来越像三基色的三个圆了。一言以蔽之“你中有我，我中有你”。基本放大电路是放大电路中极为基本的结构，是构成复杂放大电路的基本单元。上海高科技PCB线路板组装大概价格
在PCB出现之前，电子元器件之间的互连都是依托电线直接连接完成的。上海百翊电子科技PCB线路板组装专卖
利用SAB(SAlicide-Block)在I/O的Drain上形成一个高阻的non-Silicide区域，使得漏极方块电阻增大，而使得ESD电流分布更均匀，从而提高泄放能力；2、增加一道P-ESD (Inner-Pickup imp，类似上面的接触孔P+ ESD imp)，在N+Drain下面打一个P+，降低Drain的雪崩击穿电压，更早有比较多的雪崩击穿电流(详见文献论文: Inner Pickup on ESD of multi-finger NMOS.pdf)。对于Snap-back的ESD有两个小小的常识要跟大家分享一下：1)NMOS我们通常都能看到比较好的Snap-back特性，但是实际上PMOS很难有snap-back特性，而且PMOS耐ESD的特性普遍比NMOS好，这个道理同HCI效应，主要是因为NMOS击穿时候产生的是电子，迁移率很大，所以Isub很大容易使得Bulk/Source正向导通，但是PMOS就难咯。上海百翊电子科技PCB线路板组装专卖
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