“嵌入式”这是个概念，准确的定义没有，各个书上都有各自的定义。但是主要思想是一样的，就是相比较PC机这种通用系统来说，嵌入式系统是个特别系统，结构精简，在硬件和软件上都只保留需要的部分，而将不需要的部分裁去。所以嵌入式系统一般都具有便携、低功耗、性能单一等特性。然后，MCU、DSP、FPGA这些都属于嵌入式系统的范畴，是为了实现某一目的而使用的工具。MCU俗称”单片机“经过这么多年的发展，早已不单单只有普林斯顿结构的51了，性能也已得到了很大的提升。因为MCU必须顺序执行程序，所以适于做控制，较多地应用于工业。而ARM本是一家专门设计MCU的公司，由于技术先进加上策略得当，这两年单片机市场份额占有率巨大。ARM的单片机有很多种类，从低端M0(小家电)到出色A8、A9(手机、平板电脑)都很吃香，所以也不是ARM的单片机一定要上系统，关键看应用场合。向高精度高密度高可靠性发展，不断缩小体积减少成本提高性能，使PCB在未来电子设备发展中仍保持生命力。上海新型PCB线路板组装制作流程
在PCB的排版设计中，元器件布设是至关重要的，PCB元器件布局应该遵循的几条原则是：元器件在整个板面上分布均匀、疏密一致。元器件不要占满板面，注意板边四周要留有一定空间。留空的大小要根据PCB的面积和固定方式来确定，位于印制电路板边上的元器件，距离PCB的边缘至少应该大于3mm。电子仪器内的PCB四周，一般每边都留有5耀10mm空间。一般，元器件应该布设在PCB的一面，并且每个元器件的引出脚要单独占用一个焊盘。元器件的布设不能上下交叉。相邻的两个元器件之间，要保持一定的间距。间距不得过小，避免相互碰接。如果相邻元器件的电位差较高，则应当保持安全距离。一般环境中的间隙安全电压是200V/mm。元器件的安装高度要尽量低，一般元器件的引线离开板面不要超过5mm，过高则承受振动和冲击的稳定性变差，容易倒伏或与相邻元器件碰接。根据PCB在整机中的安装位置及状态，确定元件的轴线方向。规则排列的元器件，应该使体积较大的元件的轴线方向在整机中处于竖立状态，可以提高元器件在板上固定的稳定性。元器件两端焊盘的跨距应该稍大于元件体的轴向尺寸。引线不要齐根弯折，弯脚时应该留出一定距离（至少2mm），以免损坏元器件。上海特色PCB线路板组装折叠PCM 较大允许耗散功率。
除了基础层的材料和刚性之外，PCB和柔性电路之间的显着差异还包括：l导电材料：由于柔性电路必须弯曲，因此制造商可能会使用更柔软的轧制退火铜代替导电铜。l制造过程：柔性PCB制造商不使用阻焊膜，而是使用称为覆盖或覆盖层的过程来保护柔性PCB的裸露电路。l典型成本：柔性电路的成本通常比刚性电路板高。但是，由于柔性电路板可以安装在紧凑的空间中，因此工程师可以缩小其产品尺寸，从而间接节省成本。刚性和柔性电路板可用于许多不同的产品，尽管某些应用可能会从一种类型的电路板中受益更多。例如，刚性PCB在较大的产品（例如电视和台式计算机）中是有意义的，而更紧凑的产品（例如智能手机和可穿戴技术）则需要柔性电路。在刚性PCB和柔性PCB之间进行选择时，请考虑您的应用需求，行业优先的电路板类型以及使用一种或另一种类型的效果可能会带来利润。
PCB（Printedcircuitboard）是一个极普遍的叫法，也可以叫做“printedwiringboards”或者“printedwiringcards”。在PCB出现之前，电路是通过点到点的接线组成的。这种方法的可靠性很低，因为随着电路的老化，线路的破裂会导致线路节点的断路或者短路。绕线技术是电路技术的一个重大进步，这种方法通过将小口径线材绕在连接点的柱子上，提升了线路的耐久性以及可更换性。当电子行业从真空管、继电器发展到硅半导体以及集成电路的时候，电子元器件的尺寸和价格也在下降。电子产品越来越频繁的出现在了消费领域，促使厂商去寻找更小以及性价比更高的方案。于是，PCB诞生了。从产量来看，中国PCB产业的主要产品已经由单面板、双面板转向多层板，且正在从4～6层向6～8层以上提升。
铜多层PCB的制造过程按以下方式进行：l选择用于内层芯，预浸料片和铜（Cu）箔的材料。l预浸料片由玻璃布和环氧树脂制成。l芯板层压板进一步用特定重量和厚度的铜（Cu）箔覆盖。l然后用光敏干膜覆盖这些叠层，使紫外线与抗蚀剂接触。通过利用紫外线，内部电路的电子数据被传输到抗蚀剂。这是一个中心层压板的制备过程，但是多层PCB是通过多层层压制造的。让我们讨论多层层压工艺，以便透彻了解多层PCB制造工艺。PCB的多层层压是一个顺序过程。基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，发射结主要是电子流。上海高标准PCB线路板组装质量
PCB线路板制造技术为覆铜板在结构组成、特性条件的确定上，起到了决定性的作用。上海新型PCB线路板组装制作流程
根据这个理论，我们需要一个单独的器件没有LDD，但是需要另外一道ESD implant，打一个比较深的N+_S/D，这样就可以让那个尖角变圆而且离表面很远，所以可以明显提高ESD击穿能力(>4kV)。但是这样的 话这个额外的MOS的Gate就必须很长防止穿通(punchthrough)，而且因为器件不一样了，所以需要单独提取器件的SPICE Model。接触孔(contact)的ESD implant：在LDD器件的N+漏极的孔下面打一个P+的硼，而且深度要超过N+漏极(drain)的深度，这样就可以让原来Drain的击穿电压降低(8V-->6V)，所以可以在LDD尖角发生击穿之前先从Drain击穿导走从而保护Drain和Gate的击穿。所以这样的设计能够保持器件尺寸不变，且MOS结构没有改变，故不需要重新提取SPICE model。当然这种智能用于non-silicide制程，否则contact你也打不进去implant。上海新型PCB线路板组装制作流程
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