设计上的ESD：这就完全靠设计者的功夫了，有些公司在设计规则就已经提供给客户solution了，客户只要照着画就行了，有些没有的则只能靠客户自己的designer了，很多设计规则都是写着这个只是guideline/reference，不是guarantee的。一般都是把Gate/Source/Bulk短接在一起，把Drain结在I/O端承受ESD的浪涌(surge)电压，NMOS称之为GGNMOS (Gate-Grounded NMOS)，PMOS称之为GDPMOS (Gate-to-Drain PMOS)。以NMOS为例，原理都是Gate关闭状态，Source/Bulk的PN结本来是短接0偏的，当I/O端有大电压时，则Drain/Bulk PN结雪崩击穿，瞬间bulk有大电流与衬底电阻形成压差导致Bulk/Source的PN正偏，所以这个MOS的寄生横向NPN管进入放大区(发射结正偏,集电结反偏)，所以呈现Snap-Back特性，起到保护作用。PMOS同理推导。当f= fT时，三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。云南PCBPCB线路板组装电阻
51单片机应用较普遍的8位单片机当然也是初学者们较容易上手学习的单片机，较早由Intel推出，由于其典型的结构和完善的总线特殊寄存器的集中管理，众多的逻辑位操作功能及面向控制的丰富的指令系统，堪称为一代“经典”，为以后的其它单片机的发展奠定了基础。特性：1.从内部的硬件到软件有一套完整的按位操作系统，称作位处理器，处理对象不是字或字节而是位。不但能对片内某些特殊功能寄存器的某位进行处理，如传送、置位、清零、测试等，还能进行位的逻辑运算，其功能十分完备，使用起来得心应手。2.同时在片内RAM区间还特别开辟了一个双重功能的地址区间，使用极为灵活，这一功能无疑给使用者提供了极大的方便，3.乘法和除法指令，这给编程也带来了便利。很多的八位单片机都不具备该项功能，作乘法时还得编上一段子程序调用，十分不便。缺点：(虽然是经典但是缺点还是很明显的)云南PCBPCB线路板组装电阻当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态。
STM32单片机由ST厂商推出的STM32系列单片机，行业的朋友都知道，这是一款性价比超高的系列单片机，应该没有之一，功能及其强大。其基于专为要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式应用专门设计的ARMCortex-M内核，同时具有前列的外设：1μs的双12位ADC，4兆位/秒的UART，18兆位/秒的SPI等等，在功耗和集成度方面也有不俗的表现，当然和MSP430的功耗比起来是稍微逊色的一些，但这并不影响工程师们对它的热捧程度，由于其简单的结构和易用的工具再配合其强大的功能在行业中赫赫有名。
静电放电保护可以从FAB端的Process解决，也可以从IC设计端的Layout来设计，所以你会看到Prcess有一个ESD的option layer，或者Design rule里面有ESD的设计规则可供客户选择等等。当然有些客户也会自己根据SPICE model的电性通过layout来设计ESD。制程上的ESD：要么改变PN结，要么改变PN结的负载电阻，而改变PN结只能靠ESD_IMP了，而改变与PN结的负载电阻，就是用non-silicide或者串联电阻的方法了。Source/Drain的ESD implant：因为我们的LDD结构在gate poly两边很容易形成两个浅结，而这个浅结的尖角电场比较集中，而且因为是浅结，所以它与Gate比较近，所以受Gate的末端电场影响比较大，所以这样的LDD尖角在耐ESD放电的能力是比较差的(<1kV)，所以如果这样的Device用在I/O端口，很容造成ESD损伤。折叠VCEO 集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。
如何防止静电放电损伤呢？当外界有静电的时候我们的电子元器件或系统能够自我保护避免被静电损坏(其实就是安装一个避雷 针)。这也是很多IC设计和制造业者的头号难题，很多公司有专门设计ESD的团队，从基本的理论讲起逐步讲解ESD保护的原理及注意点， 你会发现前面讲的PN结/二极管、三极管、MOS管、snap-back全都用上了。以前的专题讲解PN结二极管理论的时候，就讲过二极管有一个特性：正向导通反向截止(不记得就去翻前面的课程)，而且反偏电压继续增加会发生雪崩击穿(Avalanche Breakdown)而导通，我们称之为钳位二极管(Clamp)。锗管和硅管，每一种有NPN和PNP两种结构形式，但使用极多的是硅NPN和锗PNP两种三极管。新疆SMTPCB线路板组装二极管
折叠PCM 较大允许耗散功率。云南PCBPCB线路板组装电阻
其强大的功能主要表现在：特性：1.内核：ARM32位Cortex-M3CPU，比较高工作频率72MHz，1.25DMIPS/MHz，单周期乘法和硬件除法2.存储器：片上集成32-512KB的Flash存储器。6-64KB的SRAM存储器3.时钟、复位和电源管理：2.0-3.6V的电源供电和I/O接口的驱动电压。POR、PDR和可编程的电压探测器(PVD)。4-16MHz的晶振。内嵌出厂前调校的8MHzRC振荡电路。内部40kHz的RC振荡电路。用于CPU时钟的PLL。带校准用于RTC的32kHz的晶振4、调试模式：串行调试(SWD)和JTAG接口。较多高达112个的快速I/O端口、较多多达11个定时器、较多多达13个通信接口使用较多的器件：STM32F103系列、STM32L1系列、STM32W系列。云南PCBPCB线路板组装电阻
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