磁控溅射可改变工作气体与氩气比例从而进行反应溅射,例如使用Si靶材,通入一定比例的N2,氩气作为工作气体,而氮气作为反应气体,反应能得到SiNx薄膜。通入氧气与氮气从而获得各种材料的氧化物与氮化物薄膜,通过改变反应气体与工作气体的比例也能对溅射速率进行调整,薄膜内组分也能相应调整。但反应气体过量时可能会造成靶中毒。解决靶中毒主要有以下几种方法;1.使用射频电源进行溅射;2.采用闭环控制反应气体通入流量;3.使用孪生靶交替溅射;4.控制镀膜模式的变换:在镀膜前,采集靶中毒的迟滞效应曲线,使进气流量控制在产生靶中毒的前沿,确保工艺过程始终处于沉积速率陡降前的模式。离子镀是真空蒸发与阴极溅射技术的结合。七彩真空镀膜真空镀膜设备
利用PECVD生长的氧化硅薄膜具有以下优点:1.均匀性和重复性好,可大面积成膜,适合批量生长2.可在低温下成膜,对基底要求比较低3.台阶覆盖性比较好 4.薄膜成分和厚度容易控制,生长方法阶段 5.应用范围广,设备简单,易于产业化。评价氧化硅薄膜的质量,简单的方法是采用BOE腐蚀氧化硅薄膜,腐蚀速率越慢,薄膜质量越致密,反之,腐蚀速率越快,薄膜质量越差。另外,沉积速率的快慢也会影响到薄膜的质量,沉积速率过快,会导致氧化硅薄膜速率过快,说明薄膜质量比较差。海口真空镀膜涂料真空镀膜中离子镀清洗效果极好,能使镀层直接贴近基体。
真空镀膜:电子束蒸发法:电子束蒸发法是将蒸发材料放入水冷铜坩锅中,直接利用电子束加热,使蒸发材料气化蒸发后凝结在基板表面形成膜,是真空蒸发镀膜技术中的一种重要的加热方法和发展方向。电子束蒸发克服了一般电阻加热蒸发的许多缺点,特别适合制作熔点薄膜材料和高纯薄膜材料。激光蒸发法:采用激光束蒸发源的蒸镀技术是一种理想的薄膜制备方法。这是由于激光器是可以安装在真空室之外,这样不但简化了真空室内部的空间布置,减少了加热源的放气,而且还可完全避免了蒸发气对被镀材料的污染,达到了膜层纯洁的目的。此外,激光加热可以达到极高的温度,利用激光束加热能够对某些合金或化合物进行快速蒸发。这对于保证膜的成分,防止膜的分馏或分解也是极其有用的。激光蒸发镀的缺点是制作大功率连续式激光器的成本较高,所以它的应用范围有一定的限制,导致其在工业中的普遍应用有一定的限制。
真空镀膜:真空涂层技术的发展:真空涂层技术起步时间不长,国际上在上世纪六十年代才出现将CVD(化学气相沉积)技术应用于硬质合金刀具上。由于该技术需在高温下进行(工艺温度高于1000ºC),涂层种类单一,局限性很大,起初并未得到推广。到了上世纪七十年代末,开始出现PVD(物理的气相沉积)技术,之后在短短的二、三十年间PVD涂层技术得到迅猛发展,究其原因:其在真空密封的腔体内成膜,几乎无任何环境污染问题,有利于环保;其能得到光亮、华贵的表面,在颜色上,成熟的有七彩色、银色、透明色、金黄色、黑色、以及由金黄色到黑色之间的任何一种颜色,能够满足装饰性的各种需要;可以轻松得到其他方法难以获得的高硬度、高耐磨性的陶瓷涂层、复合涂层,应用在工装、模具上面,可以使寿命成倍提高,较好地实现了低成本、收益的效果;此外,PVD涂层技术具有低温、高能两个特点,几乎可以在任何基材上成膜,因此,应用范围十分广阔,其发展神速也就不足为奇。真空镀膜技术四五十年代开始出现工业应用。
PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等离子增强化学气相沉积,等离子体是物质分子热运动加剧,相互间的碰撞会导致气体分子产生电离,物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物。使用等离子体增强气相沉积法(PECVD)可在低温(200-350℃)沉积出良好的氧化硅薄膜,已被广泛应用于半导体器件工艺当中。在LED工艺当中,因为PECVD生长出的氧化硅薄膜具有结构致密,介电强度高、硬度大等优点,而且氧化硅薄膜对可见光波段吸收系数很小,所以氧化硅被用于芯片的绝缘层和钝化层。离子镀是真空镀膜技术的一种。攀枝花真空镀膜加工
真空镀膜有离子镀形式。七彩真空镀膜真空镀膜设备
PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激发的状态容易发生反应,以在衬底在300-350℃就可以得到良好的氧化硅或者氮化硅薄膜,可以在器件当中作为钝化绝缘层,来提高器件的可靠性。氧化硅薄膜主要用到的气体为硅烷和笑气,氮化硅薄膜主要用到的气体为氨气和硅烷。采用PECVD镀膜对器件有一定的要求,因为工艺温度比较高,所以器件需要耐高温,高温烘烤下不能变形。七彩真空镀膜真空镀膜设备
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