您好,欢迎访问

商机详情 -

深圳真空磁控溅射特点

来源: 发布时间:2022年11月21日

磁控溅射技术的应用:主要用于在经予处理的塑料、陶瓷等制品表面蒸镀金属薄膜、七彩膜仿金膜等,从而获得光亮、美观、价廉的塑料,陶瓷表面金属化制品。普遍应用于工艺美术、装璜装饰、灯具、家具、玩具、酒瓶盖、女式鞋后跟等领域,JTPZ多功能镀膜技术及设备,针对汽车、摩托车灯具而设计的,在一个真空室内完成蒸发镀铝和射频等离子体镀保护膜,这种镀膜后灯具具有“三防”功能。射频等离子体聚合膜还应用于光学产品、磁记录介质、**保护膜;防潮增透膜;防锈抗腐蚀;耐磨增硬膜。用户选择在灯具基体上喷底漆、镀铝膜、镀保护膜或灯具基体在真空室进行前处理、镀铝膜、镀保护膜工艺。磁控溅射又称为高速低温溅射。深圳真空磁控溅射特点

深圳真空磁控溅射特点,磁控溅射

磁控溅射体系设备的稳定性,对所生成的膜均匀性、成膜质量、镀膜速率等方面有很大的影响。磁控溅射体系设备的溅射品种有许多,按照运用的电源分,能够分为直流磁控溅射,射频磁控溅射,中频磁控溅射等等。溅射涂层开始显示出简略的直流二极管溅射。它的优点是设备简略,但直流二极管溅射堆积速率低;为了坚持自我约束的排放,它不能在低压下进行;它不能溅射绝缘材料。这样的缺陷约束了它的运用。在直流二极管溅射设备中添加热阴极和辅佐阳极可构成直流三极管溅射。由添加的热阴极和辅佐阳极发生的热电子增强了溅射气体原子的电离作用,因而即便在低压下也能够进行溅射。不然,能够下降溅射电压以进行低压溅射。在低压条件下;放电电流也会添加,并且能够不受电压影响地单独操控。在热阴极之前添加电极(网格状)以形成四极溅射装置能够稳定放电。可是,这些装置难以获得具有高浓度和低堆叠速度的等离子体区域,因而其尚未在工业中普遍运用。海南直流磁控溅射工艺物相沉积技术工艺过程简单,对环境改善,无污染,耗材少,成膜均匀致密,与基体的结合力强。

深圳真空磁控溅射特点,磁控溅射

高速率磁控溅射本质特点是产生大量的溅射粒子,导致较高的沉积速率。实验表明在较大的靶源密度在高速溅射,靶的溅射和局部蒸发同时发生,两种过程的结合保证了较大的沉积速率(几μm/min)并导致薄膜的结构发生变化。与通常的磁控溅射比较,高速溅射和自溅射的特点在于较高的靶功率密度Wt=Pd/S>50Wcm-2,(Pd为磁控靶功率,S为靶表面积)。高速溅射有一定的限制,因此在特殊的环境才能保持高速溅射,如足够高的靶源密度,靶材足够的产额和溅射气体压力,并且要获得较大气体的离化率。较大限制高速沉积薄膜的是溅射靶的冷却。

为了解决阴极溅射的缺陷,人们在20世纪70年代的时候开发出了直流磁控溅射技术,它有效地克服了阴极溅射速率低和电子使基片温度升高的弱点,因而获得了迅速发展和普遍应用。其原理是:在磁控溅射中,由于运动电子在磁场中受到洛仑兹力,它们的运动轨迹会发生弯曲甚至产生螺旋运动,其运动路径变长,因而增加了与工作气体分子碰撞的次数,使等离子体密度增大,从而磁控溅射速率得到很大的提高,而且可以在较低的溅射电压和气压下工作,降低薄膜污染的倾向;另一方面也提高了入射到衬底表面的原子的能量,因而可以在很大程度上改善薄膜的质量。同时,经过多次碰撞而丧失能量的电子到达阳极时,已变成低能电子,从而不会使基片过热。因此磁控溅射法具有“高速”、“低温”的优点。该方法的缺点是不能制备绝缘体膜,而且磁控电极中采用的不均匀磁场会使靶材产生明显的不均匀刻蚀,导致靶材利用率低,一般只为20%-30%。有些镀膜要用到射频电源,如功率大,需做好屏蔽处理。

深圳真空磁控溅射特点,磁控溅射

脉冲磁控溅射工作原理:在一个周期内存在正电压和负电压两个阶段,在负电压段,电源工作于靶材的溅射,正电压段,引入电子中和靶面累积的正电荷,并使表面清洁,裸露出金属表面。加在靶材上的脉冲电压与一般磁控溅射相同!为400~500V,电源频率在10~350KHz,在保证稳定放电的前提下,应尽可能取较低的频率#由于等离子体中的电子相对离子具有更高的能动性,因此正电压值只需要是负电压的10%~20%,就可以有效中和靶表面累积的正电荷。占空比的选择在保证溅射时靶表面累积的电荷能在正电压阶段被完全中和的前提下,尽可能提高占空,以实现电源的较大效率。在直流二极溅射装置中增加一个热阴极和阳极,就构成直流三极溅射。广州金属磁控溅射价格

不同的金属、合金、氧化物能够进行混合,同时溅射于基材上。深圳真空磁控溅射特点

真空磁控溅射镀膜技术的特点:1、基片温度低:可利用阳极导走放电时产生的电子,而不必借助基材支架接地来完成,可以有效减少电子轰击基材,因而基材的温度较低,非常适合一些不太耐高温的塑料基材镀膜。2、磁控溅射靶表面不均匀刻蚀:磁控溅射靶表面刻蚀不均是由靶磁场不均所导致,靶的局部位置刻蚀速率较大,使靶材有效利用率较低。因此,想要提高靶材利用率,需要通过一定手段将磁场分布改变,或者利用磁铁在阴极中移动,也可提高靶材利用率。深圳真空磁控溅射特点

广东省科学院半导体研究所坐落在长兴路363号,是一家专业的面向半导体光电子器件、功率电子器件、MEMS、生物芯片等前沿领域,致力于打造***的公益性、开放性、支撑性枢纽中心。平台拥有半导体制备工艺所需的整套仪器设备,建立了一条实验室研发线和一条中试线,加工尺寸覆盖2-6英寸(部分8英寸),同时形成了一支与硬件有机结合的专业人才队伍。平台当前紧抓技术创新和公共服务,面向国内外高校、科研院所以及企业提供开放共享,为技术咨询、创新研发、技术验证以及产品中试提供支持。公司。公司目前拥有较多的高技术人才,以不断增强企业重点竞争力,加快企业技术创新,实现稳健生产经营。诚实、守信是对企业的经营要求,也是我们做人的基本准则。公司致力于打造***的微纳加工技术服务,真空镀膜技术服务,紫外光刻技术服务,材料刻蚀技术服务。公司深耕微纳加工技术服务,真空镀膜技术服务,紫外光刻技术服务,材料刻蚀技术服务,正积蓄着更大的能量,向更广阔的空间、更宽泛的领域拓展。