超高真空烘箱广泛应用于航空、航天、电子、通讯等科研及生产单位。确定仪器仪表、电工产品、材料、零部件、设备等在低气压、高温单项或同时作用下的环境适应性与可靠性试验。下面为大家介绍一下超高真空烘箱的主要技术指标。1.工作室温度范围:常温~+300℃用户使用温度260℃2.温度波动度:±1.0℃(空载);3.温度偏差:常压温度试验:常温~200℃时±2℃200~300℃时±5.0℃低气压高温综合试验:≤100℃时±2.0℃,100℃~200℃时±5.0℃200℃~300℃时±7.0℃。网带炉的原理是什么?合肥真萍告诉您。江苏生产网带炉批发
超高真空烘箱被广泛应用于航空、航天、电子、通讯等科研及生产单位。确定仪器仪表、电工产品、材料、零部件、设备等在低气压、高温单项或同时作用下的环境适应性与可靠性试验。下面为大家介绍一下超高真空烘箱的降温速率。1.升温时间:①常压时:90min(常温~+260℃)②低气压0.0001pa时:180min(常温~+260℃)2.降温时间:3℃~10℃/min(260℃~120℃),1℃~5℃/min(120℃~常温℃)3.降温方式:水冷降温4.试验箱承压方式:采用内承压方式5.压力范围:常压~0.0001Pa生产网带炉代理公司合肥真萍网带炉的运用领域。
下面为大家介绍一下全自动HMDS真空烤箱的整机尺寸、真空腔体尺寸。1.内胆尺寸:650*650*650;450*450*450mm;300*300*300mm;2.载物托架:2块3.室温+10℃-250℃控温范围:温度分辨率:0.1℃温度波动度:0.5℃4.真空泵:油泵或无油真空泵。真空度:133pa,5.加热方式:腔体下部及两侧加温。加热器为外置加热板(防止一侧加热使的HMDS液进入箱体内不能完本转成气态)6.可放2寸晶圆片或4寸晶圆片;6寸晶圆片;8寸晶圆片等。7.开箱温度可以由user自行设定来降低process时间(正常工艺在50分钟-120分钟(按产品所需而定烘烤时间),为正常工作周期不含降温时间(因降温时间为常规降温)。
温湿度振动三综合试验箱,广泛应用在对电工电子、家用电器、汽摩配件、化工涂料、航天、航空、石油、化工、电子、通讯、及其它相关产品零部件及材料的高低温、恒定、交变湿热及振动冲击综合试验中,与单一因素作用相比更能真实地反映电工电子产品在运输和实际使用过程中对温湿度及振动复合环境变化的适应性,暴露产品的缺点,是新产品研制、样机试验、产品合格鉴定试验全过程必不可少的重要试验手段。三综合试验是指综合温度、湿度、振动三个环境应力的试验,具有极宽大的温湿度控制范围,可满足用户的各种需要采用独特的平衡调温调湿方式,可获得安全、精确的温湿度环境。同时可在三综合试验箱内将电振动应力按规定的周期施加到试品上,供用户对整机(或部件)、电器、仪器、材料等作温湿度、振动综合应力筛选试验,以便考核试品的适应性或对试品的行为作出评价。网带炉的原材料要求是什么?合肥真萍科技告诉您。
本篇介绍专业全自动HMDS真空烤箱,首先简单介绍一下HMDS预处理系统的必要性:在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,这造成光刻胶和硅片的黏合性较差,尤其是正胶,显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处,容易造成漂条、浮胶等,导致光刻图形转移的失败,同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后,经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水,其疏水基可很好地与光刻胶结合,起着偶联剂的作用。网带炉制作原理是什么呢?合肥真萍科技为您专业解答。生产网带炉代理公司
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超高真空烘箱广泛应用于航空、航天、电子、通讯等科研及生产单位。确定仪器仪表、电工产品、材料、零部件、设备等在低气压、高温单项或同时作用下的环境适应性与可靠性试验。下面为大家介绍一下超高真空烘箱的主要技术指标。1.工作室温度范围:常温~+300℃用户使用温度260℃2.温度波动度:±1.0℃(空载);3.温度偏差:常压温度试验:常温~200℃时±2℃200~300℃时±5.0℃低气压高温综合试验:≤100℃时±2.0℃,100℃~200℃时±5.0℃200℃~300℃时±7.0℃江苏生产网带炉批发