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辽宁6寸半绝缘碳化硅衬底

来源: 发布时间:2022年08月30日

    SiC有多种同质多型体,不同的同质多型体有不同的应用范围。典型的有3C-SiC、4H-SiC和6H-SiC,它们各有不同的应用范围。其中,3C-SiC是***具有闪锌矿结构的同质多型体,其电子迁移率比较高,再加上有高热导率和高临界击穿电场,非常适合于制造高温大功率的高速器件;6H-SiC具有宽的带隙,在高温电子、光电子和抗辐射电子等方面有使用价值,使用6H-SiC制造的高频大功率器件,工作温度高,功率密度有极大的提升;而4H-SiC具有比6H-SiC更宽的带隙和较高的电子迁移率,是大功率器件材料的比较好选择。由于SiC器件在**和民用领域不可替代的地位,世界上很多国家对SiC半导体材料和器件的研究都很重视。美国的**宽禁带半导体计划、欧洲的ESCAPEE计划和日本的国家硬电子计划等,纷纷对SiC半导体材料晶体制备和外延及器件投入巨资进行研究。 碳化硅(指半绝缘型)是射频微波器件的理想衬底材料。辽宁6寸半绝缘碳化硅衬底

SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。优势体现在:1)耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;2)耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;3)耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。郑州4寸led碳化硅衬底哪家碳化硅衬底的的性价比好?

现在,SiC材料正在大举进入功率半导体领域。一些的半导体器件厂商,如罗姆(ROHM)株式会社、英飞凌科技公司、Cree、飞兆国际电子有限公司等都在开发自己的SiC功率器件。英飞凌科技公司在今年推出了第5代SiC肖特基势垒二极管,它结合了第3代产品的低容性电荷(Qc)特性与第2代产品中的低正向电压(Vf)特性,使PFC电路达到高效率水平,击穿电压则达到了650V。飞兆半导体发布了SiC BJT,实现了1 200V的耐压,传导和开关损耗相对于传统的Si器件降低了30%~50%,从而能够在相同尺寸的系统中实现高达40%的输出功率提升。

全球碳化硅衬底企业主要有CREE、II-VI、SiCrystal,国际企业相比国内企业由于起步早,在产业化经验、技术成熟度、产能规模等方面具备优势,抢占了全球碳化硅衬底绝大部分的市场份额。随着下游终端市场,新能源汽车、光伏、5G基站等领域的快速增长,为上游碳化硅衬底提供了巨大的市场活力,国内以山东天岳、天科合达、烁科晶体等为的企业纷纷跑马圈地碳化硅衬底市场,通过加强技术研发与资本投入,逐渐掌握了4英寸至6英寸,甚至8英寸的碳化硅衬造技术,缩小了与国际之间技术与产能方面的差距。什么地方需要使用 碳化硅衬底。

从 80 年代末起,SiC 材料与器件的飞速发展。由于 SiC 材料种类很多,性质各异,它的应用范围十分***。  在大功率器件方面,利用 SiC 材料可以制作的器件,其电流特性、电压特性、和高频特性等具有比 Si材料更好的性质。  在高频器件方面,SiC 高频器件输出功率更高,且耐高温和耐辐射辐射特性更好,可用于通信电子系统等。  在光电器件方面,利用 SiC 不影响红外辐射的性质,可将其用在紫外探测器上,在 350℃的温度检测红外背景下的紫外信号,功率利用率 80%左右。  在耐辐射方面,一些 SiC 器件辐射环境恶劣的条件下使用如核反应堆中应用。 高温应用方面,利用 SiC 材料制备的器件工作温度相当地高,如 SiC MOSFET和 SiC 肖特基二极管可在 900k 下工作。  从世界范围来看,高功率器件是有可能实现的,应用潜力也比较大,如图 1.2所示。SiC 作为二元化合物半导体,属于Ⅳ族元素中***的固态化合物。它 Si-C 健的能量很稳定,这也是 SiC 在各种极端环境下仍能稳定的原因。SiC 的原子化学能高达 1250KJ/mol;德拜温度达到 1200-1430K,摩尔硬度达到 9 级,比金刚石摩尔硬度低些;导热性良好,达 5W/cm.K,比其他半导体材料好很多。哪家碳化硅衬底的质量比较好。辽宁4寸sic碳化硅衬底

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    功率半导体多被用于转换器及逆变器等电力转换器进行电力控制。目前,功率半导体材料正迎来材料更新换代,这些新材料就是SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓),二者的物理特性均优于现在使用的Si(硅),作为节能***受到了电力公司、汽车厂商和电子厂商等的极大期待。将Si换成GaN或SiC等化合物半导体,可大幅提高产品效率并缩小尺寸,这是Si功率半导体元件(以下简称功率元件)无法实现的。目前,很多领域都将Si二极管、MOSFET及IGBT(绝缘栅双极晶体管)等晶体管用作功率元件,比如供电系统、电力机车、混合动力汽车、工厂内的生产设备、光伏发电系统的功率调节器、空调等白色家电、服务器及个人电脑等。这些领域利用的功率元件的材料也许不久就将被GaN和SiC所替代。 辽宁6寸半绝缘碳化硅衬底

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