Filmetrics F-HC膜厚仪样品测试

样品视频包括硬件和照相机的F20系统视频。视频实时显示精确测量点。 不包括SS-3平台。SampleCam-sXsX探头摄像机包含改装的sX探头光学配件，但不包含平台。StageBase-XY8-Manual-40mm8“×8” 样品平台，具有SS-3镜头与38mm的精密XY平移聚焦平台。能够升级成电动测绘与自动对焦。StageBase-XY10-Auto-100mm10“×10” 全电动样品平台。可以进行100mm高精度XY平移，包括自动焦距调节。SS-Microscope- UVX-1显微镜（15倍反射式物镜）及X-Y平台。 包含UV光源与照明光纤。SS-Microscope- EXR-1显微镜包含X- Y平台及照明光纤. 需另选购物镜. 通常使用显微镜内建照明。SS-Trans-Curved用于平坦或弯曲表面的透射平台，包括光纤，和 F10-AR 一起使用。 波长范围 250nm -2500nm。T-1SS-3 平台的透射测量可选件。包括光纤、平台转接器和平台支架。 用于平坦的样品。WS-300用于小于 300mm 样品的平移旋转平台。F30测厚范围：15nm-70µm；波长：380-1050nm。Filmetrics F-HC膜厚仪样品测试

F10-AR无须处理涂层背面我们探头设计能抑制1.5mm厚基板98%的背面反射，使用更厚的镜头抑制的更多。就像我们所有的台式仪器一样，F10-AR需要连接到您装有Windows计算机的USB端口上并在数分钟内即可完成设定。包含的内容：集成光谱仪/光源装置FILMeasure8软件FILMeasure独力软件(用于远程数据分析)CP-1-1.3探头BK7参考材料整平滤波器(用于高反射基板)备用灯额外的好处：每台系统內建超过130种材料库,随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助（周一-周五）网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划。有机发光膜厚仪医疗设备F20-UV测厚范围：1nm - 40µm；波长：190-1100nm。

不管您参与对显示器的基础研究还是制造，Thetametrisis都能够提供您所需要的...测量液晶层-聚酰亚胺、硬涂层、液晶、间隙测量有机发光二极管层-发光、电注入、缓冲垫、封装对于空白样品，我们建议使用FR-Scanner系列仪器。对于图案片，Thetametrisis的FR-Scanner用于测量薄膜厚度已经找到了显示器应用广范使用。测量范例此案例中，我们成功地测量了蓝宝石和硼硅玻璃基底上铟锡氧化物薄膜厚度，可以很容易地在380纳米到1700纳米内同时测量透射率和反射率以确定厚度，折射率，消光系数。由于ITO薄膜在各种基底上不同寻常的的扩散，这个扩展的波长范围是必要的。

TotalThicknessVariation(TTV)应用规格:测量方式:红外干涉(非接触式)样本尺寸:50、75、100、200、300mm，也可以订做客户需要的产品尺寸测量厚度:15—780μm(单探头)3mm(双探头总厚度测量)扫瞄方式:半自动及全自动型号,另2D/3D扫瞄(Mapping)可选衬底厚度测量:TTV、平均值、*小值、*大值、公差...可选粗糙度:20—1000Å(RMS)重复性:0.1μm(1sigma)单探头*0.8μm(1sigma)双探头*分辨率:10nm请访问我们的中文官网了解更多关于本产品的信息。F30 系列是监控薄膜沉积，蕞强有力的工具。

FSM8018VITE测试系列设备VITE技术介绍：VITE是傅里叶频域技术，利用近红外光源的相位剪切技术（Phasesheartechnology）设备介绍适用于所有可让近红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...F3-sX系列使用近红外光来测量薄膜厚度，即使有许多肉眼看来不透光(例如半导体)。液晶显示膜厚仪推荐型号

当测量斑点只有1微米（µm）时，需要用您自己的显微镜或者用我们提供的整个系统。Filmetrics F-HC膜厚仪样品测试

电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – ZUI简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0)， 而且非常接近化学计量 (就是说，硅：氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范，通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难，因为硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是，氧常常渗入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大测量难度。 但是幸运的是，我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!Filmetrics F-HC膜厚仪样品测试

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