高精密仪器键合机测样

EVG®520IS晶圆键合系统■拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能■200mm的单个或者双腔自动化系统■自动晶圆键合流程和晶圆替代转移■集成冷却站，实现高产量EVG®540自动键合系统■300mm单腔键合室■自动处理多达4个键合卡盘■模块化键合室■自动底侧冷却EVG®560自动晶圆键合系统■多达4个键合室，满足各种键合操作■自动装卸键合室和冷却站■远程在线诊断■自动化机器人处理系统，用于机械对准的自动盒式磁带晶圆键合■工作站式布局，适用于所有键合工艺的设备配置EVG®GEMINI®自动化生产晶圆键合系统在蕞小的占地面积上，同时利用比较/高精度的EVGSmaiewNT技术，前/列的GEMINI大批量生产系统，并结合了自动光学对准和键合操作。有关更多详/细信息，请参阅我们的GEMINI手册。EVG键合机选择上海岱美仪器。高精密仪器键合机测样

EVG®301特征使用1MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高/效清洁单面清洁刷（选件）用于晶圆清洗的稀释化学品防止从背面到正面的交叉污染完全由软件控制的清洁过程选件带有红外检查的预键合台非SEMI标准基材的工具技术数据晶圆直径（基板尺寸）：200和100-300毫米清洁系统开室，旋转器和清洁臂腔室：由PP或PFA制成（可选）清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成旋转：蕞高3000rpm（5秒内）超音速喷嘴频率：1MHz（3MHz选件）输出功率：30-60W去离子水流量：蕞高1.5升/分钟有效清洁区域：Ø4.0mm材质：聚四氟乙烯湖北键合机摩擦学应用业内主流键合机使用工艺：黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩。

EVG®820层压系统 将任何类型的干胶膜（胶带）自动无应力层压到晶圆上 特色 技术数据 EVG820层压站用于将任何类型的干胶膜自动，无应力地层压到载体晶片上。这项独特的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔，然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术，可以自由选择胶带的尺寸和尺寸，并且与基材无关。 特征 将任何类型的干胶膜自动，无应力和无空隙地层压到载体晶片上 在载体晶片上精确对准的层压 保护套剥离 干膜层压站可被集成到一个EVG®850TB临时键合系统 技术数据 晶圆直径（基板尺寸） 高达300毫米 组态 1个打孔单元 底侧保护衬套剥离 层压 选件 顶侧保护膜剥离 光学对准 加热层压

对准晶圆键合是晶圆级涂层，晶圆级封装，工程衬底zhizao，晶圆级3D集成和晶圆减薄方面很有用的技术。反过来，这些工艺也让MEMS器件，RF滤波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS图像传感器）的生产迅速增长。这些工艺也能用于制造工程衬底，例如SOI（绝缘体上硅）。 主流键合工艺为：黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩。采用哪种键合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。 键合机厂家EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验，拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。同时，EVG的GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。EVG键合机顶部和底部晶片的duli温度控制补偿了不同的热膨胀系数，实现无应力键合和出色的温度均匀性。

GEMINI®FB特征：新的SmartView®NT3面-面结合对准具有亚50纳米晶片到晶片的对准精度多达六个预处理模块，例如：清洁模块LowTemp™等离子基活模块对准验证模块解键合模块XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现ZUI高吞吐量可选功能：解键合模块热压键合模块技术数据晶圆直径（基板尺寸）200、300毫米蕞高处理模块数：6+的SmartView®NT可选功能：解键合模块热压键合模块EVG的GEMINIFBXT集成熔融键合系统，扩展了现有标准，并拥有更高的生产率，更高的对准和涂敷精度，适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统采用了新的SmartViewNT3键合对准器，该键合对准器是专门为<50nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。EVG键合机软件是基于Windows的图形用户界面的设计，注重用户友好性，可轻松引导操作员完成每个流程步骤。山东中科院键合机

EVG服务：高真空对准键合、集体D2W键合、临时键合和热、混合键合、机械或者激光剖离、黏合剂键合。高精密仪器键合机测样

半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。然而，需要晶片之间的紧密对准和覆盖精度以在键合晶片上的互连器件之间实现良好的电接触，并蕞小化键合界面处的互连面积，从而可以在晶片上腾出更多空间用于生产设备。支持组件路线图所需的间距不断减小，这推动了每一代新产品的更严格的晶圆间键合规范。imec3D系统集成兼项目总监兼EricBeyne表示：“在imec，我们相信3D技术的力量将为半导体行业创造新的机遇和可能性，并且我们将投入大量精力来改善它。“特别关注的领域是晶圆对晶圆的键合，在这一方面，我们通过与EVGroup等行业合作伙伴的合作取得了优异的成绩。去年，我们成功地缩短了芯片连接之间的距离或间距，将晶圆间的混合键合厚度减小到1.4微米，是目前业界标准间距的四倍。今年，我们正在努力将间距至少降低一半。”高精密仪器键合机测样

岱美仪器技术服务（上海）有限公司是以提供半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪为主的其他有限责任公司，公司位于金高路2216弄35号6幢306-308室，成立于2002-02-07，迄今已经成长为仪器仪表行业内同类型企业的佼佼者。岱美中国以半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪为主业，服务于仪器仪表等领域，为全国客户提供先进半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪。多年来，已经为我国仪器仪表行业生产、经济等的发展做出了重要贡献。