铟锡氧化物与透明导电氧化物液晶显示器,有机发光二极管变异体,以及绝大多数平面显示器技术都依靠透明导电氧化物(TCO)来传输电流,并作每个发光元素的阳极。和任何薄膜工艺一样,了解组成显示器各层物质的厚度至关重要。对于液晶显示器而言,就需要有测量聚酰亚胺和液晶层厚度的方法,对有机发光二极管而言,则需要测量发光、电注入和封装层的厚度。在测量任何多个层次的时候,诸如光谱反射率和椭偏仪之类的光学技术需要测量或建模估算每一个层次的厚度和光学常数(反射率和k值)。不幸的是,使得氧化铟锡和其他透明导电氧化物在显示器有用的特性,同样使这些薄膜层难以测量和建模,从而使测量在它们之上的任何物质变得困难。Filmetrics的氧化铟锡解决方案Filmetrics已经开发出简便易行而经济有效的方法,利用光谱反射率精确测量氧化铟锡。将新型的氧化铟锡模式和F20-EXR,很宽的400-1700nm波长相结合,从而实现氧化铟锡可靠的“一键”分析。氧化铟锡层的特性一旦得到确定,剩余显示层分析的关键就解决了。F30测厚范围:15nm-70µm;波长:380-1050nm。Filmetrics膜厚仪应用
生物医疗设备涂层应用生物医疗器械应用中的涂层生物医疗器械的制造和准备方面会用到许多类型的涂层。有些涂层是为了保护设备免受腐蚀,而其他的则是为了预防组织损伤、敢染或者是排异反应。药物传输涂层也变得日益普通。其它生物医学器械,如血管成型球囊,具有读立的隔膜,必须具有均匀和固定的厚度才能正常工作。这些涂层厚度的测量方法各不相同,但有一件事是确定的。使用普通方法(例如,在涂层前后称某一部分的重量),无法检测到会导致器械故障的涂层不完全覆盖或涂层的不均匀。ITO膜厚仪半导体行业Filmetrics F60-t 系列就像我们的 F50产品一样测绘薄膜厚度和折射率,但它增加了许多用于生产环境的功能。
样品视频包括硬件和照相机的F20系统视频。视频实时显示精确测量点。 不包括SS-3平台。SampleCam-sXsX探头摄像机包含改装的sX探头光学配件,但不包含平台。StageBase-XY8-Manual-40mm8“×8” 样品平台,具有SS-3镜头与38mm的精密XY平移聚焦平台。能够升级成电动测绘与自动对焦。StageBase-XY10-Auto-100mm10“×10” 全电动样品平台。可以进行100mm高精度XY平移,包括自动焦距调节。SS-Microscope- UVX-1显微镜(15倍反射式物镜)及X-Y平台。 包含UV光源与照明光纤。SS-Microscope- EXR-1显微镜包含X- Y平台及照明光纤. 需另选购物镜. 通常使用显微镜内建照明。SS-Trans-Curved用于平坦或弯曲表面的透射平台,包括光纤,和 F10-AR 一起使用。 波长范围 250nm -2500nm。T-1SS-3 平台的透射测量可选件。包括光纤、平台转接器和平台支架。 用于平坦的样品。WS-300用于小于 300mm 样品的平移旋转平台。
测量有机发光显示器有机发光显示器(OLEDs)有机发光显示器正迅速从实验室转向大规模生产。明亮,超薄,动态的特性使它们成为从手机到电视显示屏的手选。组成显示屏的多层薄膜的精密测量非常重要,但不能用传统接触型的轮廓仪,因为它会破坏显示屏表面。我们的F20-UV,F40-UV,和F10-RT-UV将提供廉价,可靠,非侵入测量原型装置和全像素化显示屏。我们的光谱仪还可以测量大气敏感材料的化学变化。测量透明导电氧化膜不论是铟锡氧化物,氧化锌,还是聚合物(3,4-乙烯基),我们独有的ITO光学模型,加上可见/近红外仪器,可以测得厚度和光学常数,费用和操作难度瑾是光谱椭偏仪的一小部分。一般较短波长 (例如, F50-UV) 可用于测量较薄的薄膜,而较长波长可以测量更厚、更不平整和更不透明的薄膜。
FSM膜厚仪简单介绍:FSM128厚度以及TSV和翘曲变形测试设备:美国FrontierSemiconductor(FSM)成立于1988年,总部位于圣何塞,多年来为半导体行业等高新行业提供各式精密的测量设备,客户遍布全世界,主要产品包括:光学测量设备:三维轮廓仪、拉曼光谱、薄膜应力测量设备、红外干涉厚度测量设备、电学测量设备:高温四探针测量设备、非接触式片电阻及漏电流测量设备、金属污染分析、等效氧化层厚度分析(EOT)。请访问我们的中文官网了解更多的信息。F40测量范围;20nm-40µm;波长:400-850nm。官方授权经销商膜厚仪美元价
F40-UV范围:4nm-40µm,波长:190-1100nm。Filmetrics膜厚仪应用
FSM413SPANDFSM413C2C红外干涉测量设备适用于所有可让红外线通过的材料:硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...FSM413SP半自动机台人工取放芯片Wafer厚度3D图形FSM413C2CFullyautomatic全自动机台人工取放芯片可适配Cassette、SMIFPOD、FOUP.Filmetrics膜厚仪应用