光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统(EVG6xx和IQAligner系列)以及高度集成的涂层平台(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG所有光刻设备平台均为300mm,可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中,并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装:在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口;在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂;负侧壁,带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间;用于LIGA结构的高纵横比结构,用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果;西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上,展示了膏分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力;MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。EVG所有光刻设备平台均为300mm。山东EVG610光刻机
IQAligner工业自动化功能:盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄,弯曲,翘曲,边缘晶圆处理晶圆直径(基板尺寸):高达200毫米对准方式:上侧对准:≤±0.5µm底侧对准:≤±1,0µm红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基板材料曝光设定:真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式曝光选项:间隔曝光/洪水曝光系统控制操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR实时远程访问,诊断和故障排除产能全自动:弟一批生产量:每小时85片全自动:吞吐量对准:每小时80片湖北功率器件光刻机EVG100光刻胶处理系统可处理多种尺寸的基板,直径从2寸到300mm。
EVG®610特征:晶圆/基板尺寸从小到200mm/8顶侧和底侧对准能力高精度对准台自动楔形补偿序列电动和程序控制的曝光间隙支持蕞新的UV-LED技术蕞小化系统占地面积和设施要求分步流程指导远程技术支持多用户的概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同的用户界面语言)便捷处理和转换重组台式或带防震花岗岩台的单机版EVG®610附加功能:键对准红外对准纳米压印光刻(NIL)EVG®610技术数据:对准方式上侧对准:≤±0.5µm底面要求:≤±2,0µm红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基板材料键对准:≤±2,0µmNIL对准:≤±2,0µm
EVG®120--光刻胶自动化处理系统EVG
®120是用于当洁净室空间有限,需要生产一种紧凑的,节省成本光刻胶处理系统。
新型EVG120通用和全自动光刻胶处理工具能够处理各种形状和尺寸达200mm/8“的基板。新一代EVG120采用全新的超紧凑设计,并带有新开发的化学柜,可用于外部存储化学品,同时提供更高的通量能力,针对大批量客户需求进行了优化,并准备在大批量生产(HVM)中使用EVG120为用户提供了一套详尽的好处,这是其他任何工具所无法比拟的,并保证了ZUI高的质量各个应用领域的标准,拥有成本却非常低。 所有系统均支持原位对准验证的软件,它可以提高手动操作系统的对准精度和可重复性。
EVG®610特征:晶圆/基板尺寸从小到200mm/8''顶侧和底侧对准能力高精度对准台自动楔形补偿序列电动和程序控制的曝光间隙支持ZUI新的UV-LED技术ZUI小化系统占地面积和设施要求分步流程指导远程技术支持多用户概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同的用户界面语言)便捷处理和转换重组台式或带防震花岗岩台的单机版EVG®610附加功能:键对准红外对准纳米压印光刻(NIL)EVG®610技术数据:对准方式上侧对准:≤±0.5µm底面要求:≤±2,0µm红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基板材料键对准:≤±2,0µmNIL对准:≤±2,0µmEVG100光刻胶处理系统可以处理多种尺寸的基板,直径从2寸到300 mm。低温光刻机技术服务
HERCULES 全电动顶部和底部分离场显微镜支持实时、大间隙、晶圆平面或红外对准,在可编程位置自动定位。山东EVG610光刻机
IQAligner®■晶圆规格高达200mm/300mm■某一时间内(弟一次印刷/对准)>90wph/80wph■顶/底部对准精度达到±0.5µm/±1.0µm■接近过程100/%无触点■可选Ergoload磁盘,SMIF或者FOUP■经准的跳动补偿,实现ZUI佳的重叠对准■手动装载晶圆的功能■IR对准能力–透射或者反射IQAligner®NT■零辅助桥接工具-双基片,支持200mm和300mm规格■无以伦比的吞吐量(弟一次印刷/对准)>200wph/160wph■顶/底部对准精度达到±250nm/±500nm■接近过程100/%无触点■暗场对准能力/全场青除掩模(FCMM)■经准的跳动补偿,实现ZUI佳的重叠对准■智能过程控制和性能分析框架软件平台山东EVG610光刻机