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3D IC键合机售后服务

来源: 发布时间:2024年06月22日

EVG®850LT特征利用EVG的 LowTemp™ 等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合适用于各种熔融/分子晶圆键合应用生产系统可在高通量,高产量环境中运行盒到盒的自动操作(错误加载,SMIF或FOUP)无污染的背面处理超音速和/或刷子清洁机械平整或缺口对准的预键合先进的远程诊断技术数据晶圆直径(基板尺寸)100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作预键合室对准类型:平面到平面或凹口到凹口对准精度:X和Y:±50µm,θ:±0.1°结合力:蕞高5N键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件)EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额,并且安装的机台已经超过1500套。3D IC键合机售后服务

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EVG®850LTSOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统 用途:自动化生产键合系统,适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合,熔融了熔融的所有基本步骤-从清洁,等离子活化和对准到预键合和IR检查。因此,经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量,高产量生产工艺。3D IC键合机售后服务EVG键合机晶圆键合类型如下:阳极键合、瞬间液相键合、共熔键合、黏合剂键合、热压键合。

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EVG®850DB自动解键合机系统全自动解键合,清洁和卸载薄晶圆特色技术数据在全自动解键合机中,经过处理的临时键合晶圆叠层被分离和清洗,而易碎的设备晶圆始终在整个工具中得到支撑。支持的剥离方法包括UV激光,热剥离和机械剥离。使用所有解键合方法,都可以通过薄膜框架安装或薄晶圆处理器来支撑设备晶圆。特征在有形和无形的情况下,都能可靠地处理变薄的、弯曲和翘曲的晶片自动清洗解键合晶圆程序控制系统实时监控和记录所有相关过程参数自动化工具中完全集成的SECS/GEM界面适用于不同基板尺寸的桥接工具功能模块化的工具布局→根据特定工艺优化了产量技术数据晶圆直径(基板尺寸)高达300毫米高达12英寸的薄膜面积组态解键合模块清洁模块薄膜裱框机选件ID阅读多种输出格式高形貌的晶圆处理翘曲的晶圆处理 

半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。然而,需要晶片之间的紧密对准和覆盖精度以在键合晶片上的互连器件之间实现良好的电接触,并蕞小化键合界面处的互连面积,从而可以在晶片上腾出更多空间用于生产设备。支持组件路线图所需的间距不断减小,这推动了每一代新产品的更严格的晶圆间键合规范。imec3D系统集成兼项目总监兼EricBeyne表示:“在imec,我们相信3D技术的力量将为半导体行业创造新的机遇和可能性,并且我们将投入大量精力来改善它。“特别关注的领域是晶圆对晶圆的键合,在这一方面,我们通过与EVGroup等行业合作伙伴的合作取得了优异的成绩。去年,我们成功地缩短了芯片连接之间的距离或间距,将晶圆间的混合键合厚度减小到1.4微米,是目前业界标准间距的四倍。今年,我们正在努力将间距至少降低一半。” EVG键合机晶圆键合类型有:阳极键合、瞬间液相键合、共熔键合、黏合剂键合、热压键合等多类型。

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EVG501晶圆键合机,先进封装,TSV,微流控加工。基本功能:用于学术和工业研究的多功能手动晶圆键合系统。适用于:微流体芯片,半导体器件处理,MEMS制造,TSV制作,晶圆先进封装等。一、简介:EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统,可处理从单芯片到150mm(200mm键合室的情况下为200mm)的基片。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,如阳极,玻璃料,焊料,共晶,瞬态液相和直接键合。易于操作的键合室和工具设计,让用户能快速,轻松地重新装配不同的晶圆尺寸和工艺,转换时间小于5分钟。这种多功能性适合大学,研发机构或小批量生产。键合室的基本设计在EVG的HVM(量产)工具上是相同的,例如GEMINI,键合程序很容易转移,这样可以轻松扩大生产量。二、特征:带有150mm或200mm加热器的键合室独特的压力和温度均匀性与EVG的机械和光学对准器兼容灵活的设计和研究配置从单芯片到晶圆各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合)可选涡轮泵(<1E-5mbar)可升级阳极键合开放式腔室设计,便于转换和维护试生产需求:同类产品中比较低拥有成本开放式腔室设计,便于转换和维护ZUI小占地面积的200mm键合系统程序与EVGHVM键合系统完全兼容。三、参数:ZUI大键合力:20kN,加热器尺寸:150mm。GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3键合对准器,是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。绝缘体上的硅键合机有哪些应用

LowTemp™等离子基活模块-适用于GEMINI和GEMINI FB等离子基活,用于PAWB(等离子基活的晶圆键合)。3D IC键合机售后服务

Smart View NT键合机特征 适合于自动化和集成EVG键合系统(EVG560®,GEMINI ® 200和300mm配置) 用于3D互连,晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠 通用键合对准器(面对面,背面,红外和透明对准) 无需Z轴运动,也无需重新聚焦 基于Windows的用户界面 将键对对准并夹紧,然后再装入键合室手动或全自动配置(例如:在GEMINI系统上集成) Smart View ® NT选件 可以与EVG组合® 500系列晶圆键合系统,EVG ® 300系列清洁系统和EVG ®有带盒对盒操作完全自动化的晶圆到晶圆对准动作EVG810 LT等离子体系统 技术数据 基板/晶圆参数 尺寸:150-200、200-300毫米 厚度:0.1-5毫米 蕞/高堆叠高度:10毫米 自动对准 标准 处理系统 3个纸盒站(蕞/大200毫米)或2个FOUP加载端口(300毫米)3D IC键合机售后服务