光干涉膜厚仪芯片行业

集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具备特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度监测控制生产过程中移动薄膜厚度。高达100 Hz的采样率可以在多个测量位置得到。光干涉膜厚仪芯片行业

电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – ZUI简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0)， 而且非常接近化学计量 (就是说，硅：氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范，通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难，因为硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是，氧常常渗入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大测量难度。 但是幸运的是，我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!工艺薄膜膜厚仪半导体行业F3-sX 系列测厚范围：10µm - 3mm；波长：960-1580nm。

铟锡氧化物与透明导电氧化物液晶显示器，有机发光二极管变异体，以及绝大多数平面显示器技术都依靠透明导电氧化物(TCO)来传输电流，并作每个发光元素的阳极。和任何薄膜工艺一样，了解组成显示器各层物质的厚度至关重要。对于液晶显示器而言，就需要有测量聚酰亚胺和液晶层厚度的方法，对有机发光二极管而言，则需要测量发光、电注入和封装层的厚度。在测量任何多个层次的时候，诸如光谱反射率和椭偏仪之类的光学技术需要测量或建模估算每一个层次的厚度和光学常数(反射率和k值)。不幸的是，使得氧化铟锡和其他透明导电氧化物在显示器有用的特性，同样使这些薄膜层难以测量和建模，从而使测量在它们之上的任何物质变得困难。Filmetrics的氧化铟锡解决方案Filmetrics已经开发出简便易行而经济有效的方法，利用光谱反射率精确测量氧化铟锡。将新型的氧化铟锡模式和F20-EXR,很宽的400-1700nm波长相结合，从而实现氧化铟锡可靠的“一键”分析。氧化铟锡层的特性一旦得到确定，剩余显示层分析的关键就解决了。

F60系列生产环境的自动测绘FilmetricsF60-t系列就像我们的F50产品一样测绘薄膜厚度和折射率，但它增加了许多用于生产环境的功能。这些功能包括凹槽自动检测、自动基准确定、全封闭测量平台、预装软件的工业计算机，以及升级到全自動化晶圆传输的机型。不同的F60-t仪器根据波长范围加以区分。较短的波长(例如，F60-t-UV)一般用于测量较薄的薄膜，而较长的波长则可以用来测量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。包含的内容：集成平台/光谱仪/光源装置（不含平台）4",6"and200mm参考晶圆TS-SiO2-4-7200厚度标准真空泵备用灯F30-UV测厚范围：3nm-40µm；波长：190-1100nm。

光纤紫外线、可见光谱和近红外备用光纤。接触探头是相当坚固的，但是光纤不能经常被抽屉碰撞或者被椅子压过。该套件包括指令，以及简单的维修工具，新的和旧风格的探头。FO-PAT-SMA-SMA-200-22米长，直径200um的光纤，两端配备SMA接头。米长，分叉反射探头。通用附件携带箱等。手提电脑手提电脑预装FILMeasure软件、XP和Microsoft办公软件。电脑提箱用于携带F10、F20、F30和F40系统的提箱。ConflatFeedthrough真空穿通，"conflat、双出入孔SMA并通过泄漏测试。LensPaper-CenterHole中间开孔镜头纸，用于保护面朝下的样品，5本各100张。基板材料: 如果薄膜位于粗糙基板 (大多数金属) 上的话，一般不能测量薄膜的折射率。单层膜膜厚仪应用

以真空镀膜为设计目标，F10-RT 只要单击鼠标即可获得反射和透射光谱。光干涉膜厚仪芯片行业

FSM413SPANDFSM413C2C红外干涉测量设备适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...FSM413SP半自动机台人工取放芯片Wafer厚度3D图形FSM413C2CFullyautomatic全自动机台人工取放芯片可适配Cassette、SMIFPOD、FOUP.光干涉膜厚仪芯片行业