浙江EVG501键合机

EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统，可处理从单芯片到150 mm（200 mm键合室的情况下为200 mm）的基片。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，如阳极，玻璃料，焊料，共晶，瞬态液相和直接键合。易于操作的键合室和工具设计，让用户能快速，轻松地重新装配不同的晶圆尺寸和工艺，转换时间小于5分钟。这种多功能性非常适合大学，研发机构或小批量生产。键合室的基本设计在EVG的HVM（量产）工具上是相同的，例如GEMINI，键合程序很容易转移，这样可以轻松扩大生产量。我们在不需重新配置硬件的情况下，EVG键合机可以在真空下执行SOI/SDB（硅的直接键合）预键合。浙江EVG501键合机

引线键合主要用于几乎所有类型的半导体中，这是因为其成本效率高且易于应用。在ZUI佳环境中，每秒ZUI多可以创建10个键。该方法因所用每种金属的元素性质不同而略有不同。通常使用的两种引线键合是球形键合和楔形键合。尽管球形键合的ZUI佳选择是纯金，但由于铜的相对成本和可获得性，铜已成为一种流行的替代方法。此过程需要一个类似于裁缝的针状装置，以便在施加极高电压的同时将电线固定在适当的位置。沿表面的张力使熔融金属形成球形，因此得名。当铜用于球焊时，氮气以气态形式使用，以防止在引线键合过程中形成氧化铜。SUSS键合机技术支持EVG键合机键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠，用来执行随后的键合过程。

EVG320技术数据晶圆直径（基板尺寸）200、100-300毫米清洁系统开室，旋转器和清洁臂腔室：由PP或PFA制成（可选）清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成旋转：蕞高3000rpm（5秒内）超音速喷嘴频率：1MHz（3MHz选件）输出功率：30-60W去离子水流量：蕞高1.5升/分钟有效清洁区域：Ø4.0mm材质：聚四氟乙烯兆声区域传感器可选的频率：1MHz（3MHz选件）输出功率：蕞大2.5W/cm²有效面积（蕞大输出200W）去离子水流量：蕞高1.5升/分钟有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性材质：不锈钢和蓝宝石刷的参数：材质：PVA可编程参数：刷子和晶圆速度（rpm）可调参数（刷压缩，介质分配）自动化晶圆处理系统扫描区域兼容晶圆处理机器人领域EVG320，使24小时自动化盒对盒或FOUP到FOUP操作，达到蕞高吞吐量。与晶圆接触的表面不会引起任何金属离子污染。可选功能：ISO3mini-environment（根据ISO14644）

在键合过程中，将两个组件的表面弄平并彻底清洁以确保它们之间的紧密接触。然后它们被夹在两个电极之间，加热至752-932℃（华氏400-500摄氏度），和几百到千伏的电势被施加，使得负电极，这就是所谓的阴极，是在接触在玻璃中，正极（阳极）与硅接触。玻璃中带正电的钠离子变得可移动并向阴极移动，在与硅片的边界附近留下少量的正电荷，然后通过静电吸引将其保持在适当的位置。带负电的氧气来自玻璃的离子向阳极迁移，并在到达边界时与硅反应，形成二氧化硅（SiO 2）。产生的化学键将两个组件密封在一起。EVG键合机跟应用相对应，键合方法一般分类页是有或没有夹层的键合操作。

Smart View NT键合机特征 适合于自动化和集成EVG键合系统（EVG560®，GEMINI ® 200和300mm配置） 用于3D互连，晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠 通用键合对准器（面对面，背面，红外和透明对准） 无需Z轴运动，也无需重新聚焦 基于Windows的用户界面 将键对对准并夹紧，然后再装入键合室 手动或全自动配置（例如：在GEMINI系统上集成） Smart View ® NT选件 可以与EVG组合® 500系列晶圆键合系统，EVG ® 300系列清洁系统和EVG ®有带盒对盒操作完全自动化的晶圆到晶圆对准动作EVG810 LT等离子体系统 技术数据 基板/晶圆参数 尺寸：150-200、200-300毫米 厚度：0.1-5毫米 蕞/高堆叠高度：10毫米 自动对准 标准 处理系统 3个纸盒站（蕞/大200毫米）或2个FOUP加载端口（300毫米）EVG所有键合机系统都可以通过远程通信。EVG560键合机微流控应用

晶圆键合系统EVG501适用于学术界和工业研究。浙江EVG501键合机

EVG®820层压系统 将任何类型的干胶膜（胶带）自动无应力层压到晶圆上 特色 技术数据 EVG820层压站用于将任何类型的干胶膜自动，无应力地层压到载体晶片上。这项独特的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔，然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术，可以自由选择胶带的尺寸和尺寸，并且与基材无关。 特征 将任何类型的干胶膜自动，无应力和无空隙地层压到载体晶片上 在载体晶片上精确对准的层压 保护套剥离 干膜层压站可被集成到一个EVG®850TB临时键合系统 技术数据 晶圆直径（基板尺寸） 高达300毫米 组态 1个打孔单元 底侧保护衬套剥离 层压 选件 顶侧保护膜剥离 光学对准 加热层压浙江EVG501键合机