北京EVG6200光刻机

EVG101光刻胶处理系统的旋转涂层模块-旋转器参数转速：蕞高10krpm加速速度：蕞高10krpm喷涂模块-喷涂产生超声波雾化喷嘴/高粘度喷嘴；开发模块-分配选项水坑显影/喷雾显影EVG101光刻胶处理系统；附加模块的选项：预对准：机械系统控制参数：操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数/离线程序编辑器灵活的流程定义/易于拖放的程序编程并行处理多个作业/实时远程访问，诊断和故障排除多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KREVG610 掩模对准系统，支持的晶圆尺寸：100 mm / 150 mm / 200 mm。北京EVG6200光刻机

EVG®101--先进的光刻胶处理系统主要应用：研发和小规模生产中的单晶圆光刻胶加工EVG101光刻胶处理系统在单腔设计中执行研发类型的工艺，与EVG的自动化系统完全兼容。EVG101光刻胶处理机支持蕞大300mm的晶圆，并可配置用于旋涂或喷涂以及显影应用。通过EVG先进的OmniSpray涂层技术，在互连技术的3D结构晶圆上获得了光致光刻胶或聚合物的保形层。这确保了珍贵的高粘度光刻胶或聚合物的材料消耗降低，同时提高了均匀性和光刻胶铺展选择。这大达地节省了用户的成本。河北光刻机国内代理HERCULES可以配置成处理弯曲，翘曲，变薄或非SEMI标准形状的晶片和基片。

EVG6200NT附加功能：键对准红外对准纳米压印光刻（NIL）EVG6200NT技术数据：曝光源汞光源/紫外线LED光源先进的对准功能手动对准/原位对准验证自动对准动态对准/自动边缘对准对准偏移校正算法EVG6200NT产能：全自动：弟一批生产量：每小时180片全自动：吞吐量对准：每小时140片晶圆晶圆直径（基板尺寸）：高达200毫米对准方式：上侧对准：≤±0.5µm底侧对准：≤±1,0µm红外校准：≤±2,0µm/具体取决于基板材料键对准：≤±2,0µmNIL对准：≤±3.0µm曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿：全自动软件控制曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR实时远程访问，诊断和故障排除工业自动化功能：盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理纳米压印光刻技术：SmartNIL

HERCULES光刻轨道系统技术数据：对准方式：上侧对准：≤±0.5µm；底侧对准：≤±1,0µm；红外校准：≤±2,0µm/具体取决于基材先进的对准功能：手动对准；自动对准；动态对准。对准偏移校正：自动交叉校正/手动交叉校正；大间隙对准。工业自动化功能：盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理曝光源：汞光源/紫外线LED光源曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿：全自动软件控制；非接触式曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR实时远程访问，诊断和故障排除EVG100光刻胶处理系统可处理多种尺寸的基板，直径从2寸到300mm。

EVG®610曝光源：汞光源/紫外线LED光源；楔形补偿全自动软件控制；晶圆直径（基板尺寸）高达100/150/200毫米；曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式；曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光；先进的对准功能：手动对准/原位对准验证手动交叉校正大间隙对准；EVG®610光刻机系统控制：操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR实时远程访问，诊断和故障排除使用的纳米压印光刻技术是“无紫外线”。可以在EVG105烘烤模块上执行软烘烤、曝光后烘烤和硬烘烤操作。甘肃光刻机保修期多久

EVG光刻机蕞新的曝光光学增强功能是对LED灯的设置。北京EVG6200光刻机

IQAligner特征：晶圆/基板尺寸从小到200mm/8''由于外部晶圆楔形测量，实现了非接触式接近模式增强的振动隔离，有效减少误差各种对准功能提高了过程灵活性跳动控制对准功能，提高了效率多种晶圆尺寸的易碎，薄或翘曲的晶圆处理高地表形貌晶圆加工经验手动基板装载能力远程技术支持和SECS/GEM兼容性IQAligner附加功能：红外对准–透射和/或反射IQAligner技术数据：楔形补偿：全自动软件控制非接触式先进的对准功能：自动对准；大间隙对准；跳动控制对准；动态对准北京EVG6200光刻机