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企业商机 - ***公司
  • 四川碳化硅衬底6寸 发布时间:2023.02.25

    就SiC单晶生长来讲,美国Cree公司由于其研究,主宰着全球SiC市场,几乎85%以上的SiC衬底由Cree公司提供。此外,俄罗斯、日本和欧盟(以瑞典和德国为首)的一些公司和科研机构也在生产SiC衬底...

  • 广东碳化硅衬底6寸半绝缘 发布时间:2023.02.25

    半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层,制得碳化硅基氮化镓外延片,可进一步制成氮化镓射频器件;导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与...

  • 江西超薄氧化锆陶瓷球 发布时间:2023.02.24

    氧化锆是一种特殊的材料,增韧的方法,主要是利用氧化锆的相变才能达到的!纯净的氧化锆是白色固体,含有杂质时会显现灰色或淡黄色,添加显色剂还可显示各种其它颜色。纯氧化锆的分子量为123.22,理论密度是5...

  • 杭州精密氧化锆陶瓷垫片 发布时间:2023.02.24

    氧化锆陶瓷是由氧化锆(ZrO2)制成的工业陶瓷材料,具有化学惰性和高热膨胀性,具有很高的耐磨性和抗裂纹扩展能力。在所有高级陶瓷材料中,它在室温下具有比较高的韧性和强度。它还具有优良的隔热性和低导热性。...

  • 广东精密氧化锆陶瓷加工 发布时间:2023.02.23

    氧化锆陶瓷力学性能较好,其作为工程结构材料应用非常。氧化锆陶瓷轴承的寿命稳定性高于传统滑动和滚动轴承,更加耐磨、抗腐蚀;氧化锆陶瓷可以制作发动机气缸内衬、活塞环等零件,在降低质量的同时还可...

  • 深圳低温烧结氧化锆陶瓷板 发布时间:2023.02.23

    氧化锆陶瓷目前已经有了非常的应用,而且市场需求量也在日益增加,所以现在氧化锆陶瓷厂家也越来越多,那么应该如何选择氧化锆陶瓷生产厂家呢?下面就来为大家进行分析。1、要有高精度的设备因为氧化锆陶瓷的加工难...

  • 北京超薄氧化锆陶瓷加工 发布时间:2023.02.22

    这样一来,钼箔和镍箔就会夹放在氧化锆陶瓷件与不锈钢件之间,并且钼箔与氧化锆陶瓷件上的镍金属层相邻,镍箔与不锈钢件相邻。随后将连接模具放入一热压烧结炉中,在保护气氛下使氧化锆陶瓷件、钼箔、镍箔及不锈钢件...

  • 河南透明氧化锆陶瓷加工 发布时间:2023.02.22

    产品实际品质决定着实际体验感的高低,也会对氧化锆陶瓷厂家的口碑造成较大干扰,达到标准的氧化锆陶瓷厂家才会被纳入选购范畴,这属于业内公认的事实。而那些排除在选项之外的厂家,在质量上存在着诸多问题,无法令...

  • 江西精密氧化锆陶瓷基板 发布时间:2023.02.21

    本方式制取的彩色氧化锆陶瓷可运用于加工工艺装饰设计、时钟、数控刀片、手机壳、珠宝饰品等行业。氧化铝陶瓷归属于夹杂结构陶瓷的制取行业的彩色氧化锆陶瓷的制取方式。该方式按850-980份氧化锆...

  • 无锡精密氧化锆陶瓷板 发布时间:2023.02.21

    氧化锆陶瓷加工后存在精度的原因有哪些?氧化锆陶瓷产品在进行了陶瓷加工之后都或存在精度的误差,或者公差范围,那么它的出现原因是什么呢?小编给大家分析一下。氧化锆陶瓷研磨加工是用微小的消除工件表面切屑的一...

  • 四川透明氧化锆陶瓷球 发布时间:2023.02.20

    热门的氧化锆陶瓷的制造氧化锆系结构陶瓷做为瓷器中重要的一类原材料,是一种当代高新科技产业发展规划十分关键的基本原材料。在我国从50年代初就逐渐科学研究以氧化锆为主导的新式瓷器,于七十年代后期制备了结构...

  • 杭州超薄氧化锆陶瓷垫片 发布时间:2023.02.20

    本方式制取的彩色氧化锆陶瓷可运用于加工工艺装饰设计、时钟、数控刀片、手机壳、珠宝饰品等行业。氧化铝陶瓷归属于夹杂结构陶瓷的制取行业的彩色氧化锆陶瓷的制取方式。该方式按850-980份氧化锆...

  • 进口led碳化硅衬底6寸n型 发布时间:2023.02.20

    碳化硅(SiC)半导体器件在航空、航天探测、核能开发、卫星、石油和地热钻井勘探、汽车发动机等高温(350~500oC)和抗辐射领域具有重要应用; 高频、高功率的碳化硅(SiC)器件在...

  • 广州碳化硅衬底4寸led 发布时间:2023.02.19

    随着全球电子信息及太阳能光伏产业对硅晶片需求量的快速增长,硅晶片线切割用碳化硅微粉的需求量也正在迅速增加。以碳化硅(SiC)及GaN为**的宽禁带材料,是继Si和GaAs之后的第三代半导体。与Si及G...

  • 6寸碳化硅衬底进口 发布时间:2023.02.19

    碳化硅衬备技术包括PVT法(物相传输法)、溶液法和HTCVD法(高温气相化学沉积法)等,目前国际上基本采用PVT法制备碳化硅单晶。SiC单晶生长经历3个阶段,分别是Acheson法、Lel...

  • 成都n型碳化硅衬底 发布时间:2023.02.19

    SiC电子器件是微电子器件领域的研究热点之一。SiC材料的击穿电场有4MV/cm,很适合于制造高压功率器件的有源层。而由于SiC衬底存在缺点等原因,将它直接用于器件制造时,性能不好。SiC...

  • 郑州6寸n型碳化硅衬底 发布时间:2023.02.19

    新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快...

  • 天津进口4寸led碳化硅衬底 发布时间:2023.02.19

    碳化硅衬底主要有导电型及半绝缘型两种。其中,在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片,可进一步制成碳化硅功率器件,应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域;在半绝缘型...

  • 山东6寸sic碳化硅衬底 发布时间:2023.02.19

    SiC由Si原子和C原子组成,其晶体结构具有同质多型体的特点,在半导体领域常见的是具有立方闪锌矿结构的3C-SiC和六方纤锌矿结构的4H-SiC和6H-SiC。21世纪以来以Si为基本材料的微电子机械...

  • led碳化硅衬底进口6寸n型 发布时间:2023.02.18

    SiC电子器件是微电子器件领域的研究热点之一。SiC材料的击穿电场有4MV/cm,很适合于制造高压功率器件的有源层。而由于SiC衬底存在缺点等原因,将它直接用于器件制造时,性能不好。SiC...

  • 天津进口sic碳化硅衬底 发布时间:2023.02.18

    不同的SiC多型体在半导体特性方面表现出各自的特性。利用SiC的这一特点可以制作SiC不同多型体间晶格完全匹配的异质复合结构和超晶格,从而获得性能较好的器件.其中6H-SiC结构为稳定,适用于制造光电...

  • 成都进口导电碳化硅衬底 发布时间:2023.02.18

    SiC材料具有良好的电学特性和力学特性,是一种非常理想的可适应诸多恶劣环境的半导体材料。它禁带宽度较大,具有热传导率高、耐高温、抗腐蚀、化学稳定性高等特点,以其作为器件结构材料,可以得到耐...

  • 浙江进口led碳化硅衬底 发布时间:2023.02.18

    SiC有多种同质多型体,不同的同质多型体有不同的应用范围。典型的有3C-SiC、4H-SiC和6H-SiC,它们各有不同的应用范围。其中,3C-SiC是***具有闪锌矿结构的同质多型体,其...

  • 河北碳化硅衬底4寸导电 发布时间:2023.02.18

    功率半导体多被用于转换器及逆变器等电力转换器进行电力控制。目前,功率半导体材料正迎来材料更新换代,这些新材料就是SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓),二者的物理特性均优于现在使用的Si(硅)...

  • 郑州6寸sic碳化硅衬底 发布时间:2023.02.18

    为提高生产效率并降低成本,大尺寸是碳化硅衬备技术的重要发展方向。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。在半绝缘型碳...

  • 河北进口4寸导电碳化硅衬底 发布时间:2023.02.17

    那氮化镓外延层为啥也要在碳化硅单晶衬底上长呢?理论上讲,氮化镓外延层比较好当然用本身氮化镓的单晶衬底,不过在之前的文章中也有提到,氮化镓的单晶实在是太难做了点,不仅反应过程难以控制、长得特...

  • 4寸led碳化硅衬底进口n型 发布时间:2023.02.17

    SiC材料具有良好的电学特性和力学特性,是一种非常理想的可适应诸多恶劣环境的半导体材料。它禁带宽度较大,具有热传导率高、耐高温、抗腐蚀、化学稳定性高等特点,以其作为器件结构材料,可以得到耐...

  • 河南碳化硅衬底6寸n型 发布时间:2023.02.17

    全球碳化硅衬底企业主要有CREE、II-VI、SiCrystal,国际企业相比国内企业由于起步早,在产业化经验、技术成熟度、产能规模等方面具备优势,抢占了全球碳化硅衬底绝大部分的市场份额。随着下游终端...

  • 成都碳化硅衬底进口4寸n型 发布时间:2023.02.17

    SiC有多种同质多型体,不同的同质多型体有不同的应用范围。典型的有3C-SiC、4H-SiC和6H-SiC,它们各有不同的应用范围。其中,3C-SiC是***具有闪锌矿结构的同质多型体,其...

  • 青岛半绝缘碳化硅衬底 发布时间:2023.02.17

    碳化硅被誉为下一代半导体材料,因为其具有众多优异的物理化学特性,被广泛应用于光电器件、高频大功率、高温电子器件。本文阐述了SiC研究进展及应用前景,从光学性质、电学性质、热稳定性、化学性质、硬度和耐磨...

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