电子陶瓷、照明陶瓷和耐磨陶瓷(又称氧化铝陶瓷):滑石瓷、七五瓷、八五瓷、九五瓷、九六瓷、九九瓷、高纯度瓷;可制作基片、基板、瓷壳、瓷座、瓷圈、瓷环、瓷棒、瓷眼、管座、电路外壳、火花塞、绝缘套、耐磨阀片...
堇青石瓷的主晶相为2MgO.2Al2O3.5SiO2,常当吸水陶瓷用,做陶瓷吸水棒陶瓷香水片微孔陶瓷片多孔陶瓷片热膨胀系数较低,热稳定性好,用于制作加热器底板、热电偶绝缘瓷件、窑炉窑具等冷热急变性要求...
经工业化应用实践证明,使用陶瓷球后磨内温度可降低20℃,磨机主机电流可下降25%以上,Φ4.2×13m磨机一般情况下主机电流可降低50A以上,水泥电耗可降低4kWh/t以上,这对水泥企业可以起到很好的...
氧化锆粉体的制备方法主要包括共沉淀法、水解沉淀法(锆盐水解沉淀和锆醇盐水解沉淀)和水热法等。共沉淀法工艺设备简单、生产成本低,但制备的粉体具有分散性差和烧结活性低等缺点,目前国内大部分氧化锆生产企业采...
设备制造商之间的一场大战正在牵引逆变器领域展开,尤其是纯电池电动汽车。一般来说,混合动力车正朝着48伏电池的方向发展。对于动力发明家来说,SiC对于混合动力车来说通常太贵了,尽管有例外。与混合动力一样...
SiC由Si原子和C原子组成,其晶体结构具有同质多型体的特点,在半导体领域常见的是具有立方闪锌矿结构的3C-SiC和六方纤锌矿结构的4H-SiC和6H-SiC。21世纪以来以Si为基本材料的微电子机械...
氧化锆陶瓷加工后存在精度的原因有哪些?氧化锆陶瓷产品在进行了陶瓷加工之后都或存在精度的误差,或者公差范围,那么它的出现原因是什么呢?小编给大家分析一下。氧化锆陶瓷研磨加工是用微小的消除工件表面切屑的一...
氧化锆陶瓷呈白色,含杂质时呈黄色或灰色,一般含有HfO2,不易分离。在常压下纯ZrO2共有三种晶态。氧化锆陶瓷的生产要求制备高纯、分散性能好、粒子超细、粒度分布窄的粉体,氧化锆超细粉末的制备方法很多,...
氧化锆陶瓷脱脂排胶 除了以干压为基础的成型技术外,其它工艺成型的产品都要进行脱脂排胶处理后方可入炉烧结,因为除干压成型外的其它工艺会在成型时在锆粉里加入一定比例的塑化剂,这些塑化剂在产品成型后就必须去...
这种成型方法的优势有利于获取性能优异的陶瓷球制品及减少后续精细加工时间。较小的加工余量减少了后加工的时间,根据球坯尺寸不同,其后加工时间可降低至25-30天左右。成型后通过等静压工艺制取的...
“破球”和“减产”是陶瓷球在通用硅酸盐水泥应用中常见的两大难题。尽管陶瓷球容重轻、运行节电、磨内发热少、磨温低,有利于提高粉磨效率和水泥产品对混凝土外加剂的适应性,倍受许多水泥企业集团青睐;但这两大难...
只有现成的设备还不足以保证氧化锆陶瓷的产品质量,还应该拥有配套的生产工艺,所以氧化锆陶瓷生产工艺是否精湛就是企业选择生产厂家时需要注意的另一个重点。只有工艺好,才能让生产出来的产品在耐磨、耐腐蚀、耐高...
大家应该还有印象,大部分的陶瓷制品基本都是白色的,氧化铝陶瓷当然也是如此。但不知是什么缘故,这些陶瓷制品经过长时间的使用之后,会从白色铸件变成淡黄色,难道是氧化铝陶瓷变色了吗?当然不是,白色的氧化铝陶...
多孔氧化铝陶瓷不仅具有氧化铝陶瓷耐高温、耐腐蚀性好,同时具有多孔材料比表面积大、热导率低等优良特点,现已应用于净化分离、固定化酶载体、吸声减震和传感器材料等众多领域,在航天航空、能源、石油等领域中也具...
随着柔性磨削工具的发展,电镀金刚石砂带对脆性材料的磨削加工具有传统金刚石磨具无法比拟的优势,但是鲜有关于电镀金刚石砂带对陶瓷材料磨削加工的报道。本文采用电镀金刚石砂带磨削加工氧化铝陶瓷,研究磨削工艺参...
热膨胀系数是考评印制电路板时常提到的数据,它的缩写是CTE,主要描述物体受热或者冷却时形变的百分率。世界上每种材料都会随着温度的变化产生膨胀或者收缩,这种变化可能并不能由人们直接看到,但确实存在。虽然...
常用的粉碎工艺有球磨粉碎、振磨粉碎、砂磨粉碎、气流粉碎等等。通过机械粉碎方法来提高粉料的比表面积,尽管是有效的,但有一定限度,通常只能使粉料的平均粒径小至1μm左右或更细一点,而且有粒径分布范围较宽,...
常用的粉碎工艺有球磨粉碎、振磨粉碎、砂磨粉碎、气流粉碎等等。通过机械粉碎方法来提高粉料的比表面积,尽管是有效的,但有一定限度,通常只能使粉料的平均粒径小至1μm左右或更细一点,而且有粒径分布范围较宽,...
氧化铝陶瓷是一种以氧化铝(Al 2O 3)为主体的陶瓷材料,用于厚膜集成电路。氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。需要注意的是需用超声波进行洗涤。氧化铝陶瓷分为高纯型与普通型两种。 高纯型氧...
氧化锆粉体的制备方法主要包括共沉淀法、水解沉淀法(锆盐水解沉淀和锆醇盐水解沉淀)和水热法等。共沉淀法工艺设备简单、生产成本低,但制备的粉体具有分散性差和烧结活性低等缺点,目前国内大部分氧化锆生产企业采...
氧化锆陶瓷球,在常温下具有高的强度和高韧性、耐磨性好、耐高温耐腐蚀、刚度高、不导磁、电绝缘。氧化锆陶瓷球在600℃时,强度、硬度几乎不变其密度为6.00g/cm3,热膨胀率接近金属热膨胀率,可与金属接...
功率半导体多被用于转换器及逆变器等电力转换器进行电力控制。目前,功率半导体材料正迎来材料更新换代,这些新材料就是SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓),二者的物理特性均优于现在使用的Si(硅)...
因此,对于牵引逆变器,从IGBT转移到SiCMOSFET是有意义的。但这并不是那么简单,因为成本在等式中起着重要作用。然而,特斯拉已经采取了冒险行动。该公司在其型号3中使用了意法半导体公司的SiCMO...
到2023年,SiC功率半导体市场预计将达到15亿美元。SiC器件的供应商包括富士、英飞凌、利特弗斯、三菱、安半导体、意法半导体、Rohm、东芝和Wolfspeed。Wolfspeed是CREE的一部...
现在,SiC材料正在大举进入功率半导体领域。一些**的半导体器件厂商,如罗姆(ROHM)株式会社、英飞凌科技公司、Cree、飞兆国际电子有限公司等都在开发自己的SiC功率器件。英飞凌科技公司在今年推出...
碳化硅sic的电学性质SiC的临界击穿电场比常用半导体Si和GaAs都大很多,这说明SiC材料制作的器件可承受很大的外加电压,具备很好的耐高特性。另外,击穿电场和热导率决定器件的最大功率传...
SiC电子器件是微电子器件领域的研究热点之一。SiC材料的击穿电场有4MV/cm,很适合于制造高压功率器件的有源层。而由于SiC衬底存在缺点等原因,将它直接用于器件制造时,性能不好。SiC衬底经过外延...
下游市场需求强劲,碳化硅衬底市场迎来黄金成长期导电型碳化硅衬底方面,受益于新能源汽车逆变器的巨大需求,将保持高速增长态势,根据中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟的数据显示,预计2020-2...
为提高生产效率并降低成本,大尺寸是碳化硅衬备技术的重要发展方向。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。在半绝缘型碳...
碳化硅衬备技术包括PVT法(物相传输法)、溶液法和HTCVD法(高温气相化学沉积法)等,目前国际上基本采用PVT法制备碳化硅单晶。SiC单晶生长经历3个阶段,分别是Acheson法、Lel...