WPM1481：单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET 产品描述： WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS...

RB521S30肖特基势垒二极管 特性：小型表面贴装类型、高可靠性低正向电压、、无铅器件 应用：低电流整流 介绍： RB521S30是一款肖特基势垒二极管，...

WNM6002是一种N型增强型MOS场效应晶体管，利用先进的沟槽和电荷控制设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于电源开关、负载开关和充电电路。标准产品WNM6002为...

WSB5546N-肖特基势垒二极管 特性： · 低反向电流 · 0.2A平均整流正向电流 · 无铅和无卤素：WSB5546N是一款环保产品，不含铅和卤素。 · 快速开...

WL2803E系列是一种采用CMOS工艺制造的低压差线性稳压器，具有极低的压降、低静态电流和高电源抑制比（PSRR）等特点。在500mA的负载电流下，其压降只有130mV（典型值）。这使得...

ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器 产品描述： ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用...

BL1551B是一款模拟开关，具体地说：它是一个单通道、高带宽的单刀双掷（SPDT）模拟开关。这种开关特别适用于数据和音频信号的切换。 以下是BL1551B的主要特性和优势： ...

WS4603E：可调电流限制、电源分配开关 描述 WS4603E是一款具有高侧开关和低导通电阻P-MOSFET的开关。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流...

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升压转换器 产品描述： WD3133是一款高效率、高功率的峰值电流模式升压转换器。内部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小...

ES9DN12BA瞬态电压抑制器 ES9DN12BA是一款瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到数据和传输线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应...

WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这款器件适用于D...