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企业商机 - 深圳安美斯科技有限公司
  • WNM6001:单N沟道、60V、0.50A功率MOSFET 产品描述: WNM6001是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的槽型技术和设计,以提供出色的RDS(...

  • 中文资料WILLSEMI韦尔ESD56161D04 发布时间:2024.04.28

    WNM2016A:N沟道增强型MOSFET场效应晶体管 产品描述: WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源...

  • 代理分销商WILLSEMI韦尔WS72042 发布时间:2024.04.28

    ESD5641DXX是一款专为保护电源接口设计的瞬态电压抑制器。它非常适合用于替代便携式电子产品中的多个离散组件。ESD5641DXX特别为USB端口设计,采用了具有更高浪涌能力的TVS二...

  • 中文资料WILLSEMI韦尔ESD5345E 发布时间:2024.04.28

    WL2803E:极低压差、500mA、CMOSLDO(低压差线性稳压器 产品描述 WL2803E系列是一款具有极低压差、低静态电流和高电源抑制比(PSRR)的CMOSLDO。...

  • AiP74LVC245TA20.TR可能是一款双向电平转换器,属于74系列逻辑电路的一部分。它可能具有以下特性和功能: 1.双向通信:AiP74LVC245TA20.TR支持双向通信...

  • 代理分销商WILLSEMI韦尔WS72142 发布时间:2024.04.28

    ESD5451X是一款双向瞬态电压抑制器(TVS)。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电气快速瞬态(EFT)和雷电引起的过应力影响。根据IE...

  • I-CORE中微爱芯AIP74HC244SA.TB 发布时间:2024.04.27

    AiP74LVC2T45TA8.TR是一款双电源转换收发器。它采用特定的封装形式,并具备一系列的性能特点。 这款收发器具有两个2路输入输出端口(nA和nB),一个方向控制输入(DIR...

  • 中文资料WILLSEMI韦尔ESD56441D 发布时间:2024.04.27

    ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器 产品描述: ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器(TVS)阵列,专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用...

  • 代理分销商WILLSEMI韦尔WNMD2176 发布时间:2024.04.27

    ESD5431Z-2/TR:电子设备的瞬态电压守护神 ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的双向瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电...

  • 规格书WILLSEMI韦尔WNM2046C 发布时间:2024.04.27

    WL2815低功耗CMOSLDO(低压差线性稳压器) 产品描述: WL2815系列是一款低压差线性稳压器,专为电池供电系统提供高性能解决方案,以实现低静态电流。这些器件为手机...

  • BL1117-33CX是一款3.3V输出的低压差线性稳压器(LDO),属于BL1117系列。 该系列稳压器提供多种固定输出电压版本,包括1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3...

  • WNM2020是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计,以在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。这款器件非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品...

  • 规格书WILLSEMI韦尔WCL120N06DN 发布时间:2024.04.26

    WS72551和WS72552系列放大器具有极低的偏移、漂移和偏置电流。其中,WS72551是单放大器,WS72552是双放大器,分别具有轨到轨的输入和输出摆动。所有放大器都保证在2.5V...

  • 中文资料WILLSEMI韦尔WPM3066 发布时间:2024.04.26

    ESD5341N:单线、单向、低电容瞬态电压抑制器 ESD5341N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它被特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子...

  • 中文资料BEILING贝岭BL7141NH 发布时间:2024.04.26

    BL1532MSOP是一种低功耗、双端口、高速、USB2.0(480Mbps)双极双掷(DPDT)模拟开关。这种开关在VCC=3V时的电阻为4.5欧姆,低电容为3.7pf。它的封装形式是MSO...

  • 代理分销商WILLSEMI韦尔WS726052 发布时间:2024.04.26

    WL2801E是一款优异的低噪声、高PSRR(电源抑制比)以及高速CMOSLDO(低压差线性稳压器)。其高精度与出色的性能,使其在手机、笔记本电脑以及其他便携式设备中表现出色,为用户提...

  • I-CORE中微爱芯AiP31033E 发布时间:2024.04.26

    AiP74ALVC164245TA48.TB是一款双向电平转换器,用于在5VTTL和3.3VLVCMOS电平之间进行转换。这种转换器通常用于混合电压系统中,以便在不同电压级别的逻辑电路之间传输...

  • BL1551B是一款模拟开关,具体地说:它是一个单通道、高带宽的单刀双掷(SPDT)模拟开关。这种开关特别适用于数据和音频信号的切换。 以下是BL1551B的主要特性和优势: ...

  • 中文资料BEILING贝岭BL1082 发布时间:2024.04.26

    BLM3400是一款n通道增强模式电源MOSFET管,采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。它适用于电池保护和其他开关应用程序。 BL...

  • 中文资料BEILING贝岭BL8039CB5TR 发布时间:2024.04.26

    BL3085N(I56)是一款半双工、自适应总线极性的RS-485收发器,由上海贝岭(Belling)公司生产。这款芯片内部包含一路驱动器和一路接收器,具有集成总线极性判断电路,能够在由RS-...

  • 代理分销商BEILING贝岭BL8071G 发布时间:2024.04.26

    BL24C256A-PARC是一款由上海贝岭(BELLING)生产的存储器IC,具体为EEPROM(可擦除可编程只读存储器)类型。其容量为256Kb(即32Kx8),采用SOP-8L封装形式。...

  • 规格书BEILING贝岭BLL2310C 发布时间:2024.04.26

    BL24C16F-PARC是一款由上海贝岭(Belling)公司生产的EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory,电可擦除可编...

  • 代理分销商ST先科ESD5Z6V0 发布时间:2024.04.26

    ZM4742A是一款稳压二极管,具有特定的电压稳定特性,广泛应用于各种需要稳定电压的电路设计中。从规格参数来看,ZM4742A的功率耗散(**大值)为1W,这意味着在正常工作条件下,该二极管能够承受的**...

  • 规格书WILLSEMI韦尔WD1042E 发布时间:2024.04.26

    WS3202E:过压和过流保护IC 产品描述: WS3202E是一款集过压保护(OVP)和过流保护(OCP)功能于一体的保护设备。当输入电压或输入电流超过阈值时,该设备会关闭内部MOS...

  • 中文资料BEILING贝岭BL7122AL 发布时间:2024.04.25

    BL24C512A-SFRC是一款EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory,电可擦写可编程只读存储器)芯片,由上海贝岭(Be...

  • 代理分销商ST先科ESD3Z5V0 发布时间:2024.04.25

    MMBT5401是中国台湾方晶科技生产的一款PNP型三极管,封装形式为SOT-23。该三极管具有体积小、性能稳定、耗电低等特点,并广泛应用于电子放大器、振荡器、信号处理器等电子电路中,为电路的稳定工作...

  • 规格书WILLSEMI韦尔ESD5374D 发布时间:2024.04.25

    WL2803E:极低压差、500mA、CMOSLDO(低压差线性稳压器 产品描述 WL2803E系列是一款具有极低压差、低静态电流和高电源抑制比(PSRR)的CMOSLDO。...

  • 规格书WILLSEMI韦尔ESD63091CN 发布时间:2024.04.25

    WS4612:60mΩ电流限制型电源分配开关 产品描述 WS4612是一款具有高侧开关和极低导通电阻的P-MOSFET。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电...

  • 中文资料I-CORE中微爱芯AiP3358 发布时间:2024.04.25

    AIP74LVC1GU04GB235.TR是一款由中微爱芯推出的逻辑门电路芯片,具体为四输入或非门(NORGate)集成电路。或非门是一种基本的逻辑门电路,它执行或非逻辑运算。这意味着只有当所...

  • 规格书WILLSEMI韦尔ESD5471S 发布时间:2024.04.25

    WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升压转换器 产品描述: WD3133是一款高效率、高功率的峰值电流模式升压转换器。内部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET,至小...

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