靶坯是高速离子束流轰击的目标材料，属于溅射靶材的**部分，涉及高纯金属、晶粒取向调控。在溅射镀膜过程中，靶坯被离子撞击后，其表面原子被溅射飞散出来并沉积于基板上制成电子薄膜。背板主要起到固定溅射靶材的作用，涉及焊接工艺。 按材质分类，靶材可分为常规金属靶材，贵金属靶材，稀土金属靶材，非金属靶材，合金溅射靶材，陶瓷溅射靶材等。按外形尺寸分，靶材可分为圆柱形、长方形、正方形板靶和管靶。靶材的制备工艺按金属、非金属类区别，制备过程中除严格控制成分、尺寸之外，对材料的纯度、热度处理条件及成型加工方法等亦需严格控制。靶材的制备方法主要有熔炼法与粉末冶金法。包括切割、磨削、抛光等，确保靶材具有平滑的表面和...

在被溅射的靶极（阴极）与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体（通常为Ar气），永久磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。在电场的作用下，Ar气电离成正离子和电子，靶上加有一定的负高压，从靶极发出的电子受磁场的作用与工作气体的电离几率增大，在阴极附近形成高密度的等离子体，Ar离子在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面，以很高的速度轰击靶面，使靶上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向基片淀积成膜。铝靶材则广泛应用于镜面反射层的制作。海南ITO靶材用更通俗的比喻，想象你在用彩弹枪射击一个涂有多种颜色油漆的墙壁，墙壁上的油漆颗粒被...

纯度：一般在99.99%，可做4N5。纯度是影响材料电导性、磁性以及化学稳定性的重要因素。晶体结构： 通常为面心立方晶格（FCC）。有利于提供良好的机械性能和高度的热稳定性。热导率： 一般在90-100 W/mK左右。高热导率有利于在溅射过程中的热量快速分散，避免材料过热。电导率： 大约为14.3 × 10^6 S/m。这使得镍靶材在电子行业，特别是在制造导电膜层方面极具价值。磁性： 铁磁性材料，具有特定的磁性特征，其居里温度约为360°C。这一特性使得镍在磁性材料的制备中扮演着重要角色。硬度和延展性： 适中的硬度和良好的延展性。硬度保证了其在制造过程中的耐用性，而良好的延展性则使得其能够被加...

4.防潮措施：-存储区域的相对湿度应保持在40%至60%之间。可以使用干燥剂和湿度控制系统来维持适宜的湿度。5.保养和清洁：-定期检查靶材的完整性，如果发现裂纹或者其他损伤，应避免使用。-在清洁靶材时，应使用高纯度酒精或去离子水轻轻擦拭，不宜使用有机溶剂或者酸碱性强的清洁剂。6.使用前的准备：-在靶材装入溅射设备前，应在洁净室环境下进行再次清洁，确保表面无污染。-溅射前进行一段时间的预溅射，以去除靶材表面可能存在的轻微杂质。7.保养记录：-建议建立靶材使用和保养记录，详细记录每次使用情况和存储条件，以便跟踪性能变化并及时做出调整。通过遵循以上存储和保养建议，可以有效延长ITO靶材的使用寿命，确...

**常用的靶材包括氧化铝、氮化硅、氧化钛、金属铝、铜等材料。对于半导体工业而言，精密的制备和纯净的材料质量是非常关键的。靶材的影响因素主要包括靶材材料的纯度和制备工艺。高纯度的靶材材料能够保证制备出的薄膜成分纯度更高，由此得到的器件的性能也会更稳定，更有可靠性。同时，制备过程中的工艺控制也是非常关键的。控制靶材的加热温度、溅射功率等参数可以实现精密的控制制备，从而得到质量更好的薄膜。靶材的种类及制备工艺对靶材进行表面处理可以提高其性能，例如提高耐腐蚀性或改变表面的电学特性。河北靶材市场价电子行业： 在半导体制造和集成电路制作中，利用镍靶材的高纯度和良好的电导性能，可以生产高质量的导电层。建议在...

但是靶材制作困难，这是因为氧化铟和氧化锡不容易烧结在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材，这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系极大。日本的科学家采用Bizo作为添加剂，Bi2O3在820Cr熔化，在1500℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。采川这样的靶材得到的ITO薄膜的屯阻率达到8.1×10n-cm，接近纯的ITO薄膜的电阻率。合金靶材结合了多种金属的优点，提供了改善的物理和化学性能。甘肃智能玻璃靶材生产企业靶...

在被溅射的靶极（阴极）与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体（通常为Ar气），永久磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。在电场的作用下，Ar气电离成正离子和电子，靶上加有一定的负高压，从靶极发出的电子受磁场的作用与工作气体的电离几率增大，在阴极附近形成高密度的等离子体，Ar离子在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面，以很高的速度轰击靶面，使靶上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向基片淀积成膜。在储存技术方面，高密度、大容量硬盘的发展，需要大量的巨磁阻薄膜材料。天津氧化物靶材用更通俗的比喻，想象你在用彩弹枪射击一个涂有多种颜...

基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)显示出***的商业化潜力,是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术，不过,在实现更快速地按比例缩小的道路上存在的挑战之一,便是缺乏能够生产可进一步调低复位电流的完全密闭单元。降低复位电流可降低存储器的耗电量,延长电池寿命和提高数据带宽,这对于当前以数据为中心的、高度便携式的消费设备来说都是很重要的特征。TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58，而TbFeCofFa则可以接近0.8。经过研究发现，低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度。如今开发出来的磁光盘，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构。安徽显示行业靶材4.防...

三、性能参数：纯度：高质量的ITO靶材通常要求有99.99%（4N）至99.999%（5N）的高纯度。纯度越高，杂质越少，靶材产生的薄膜缺陷也相应减少。晶体结构：ITO靶材一般具有立方晶系的结构，晶格参数通常在10.118Å左右。晶体结构的完整性会直接影响到薄膜的质量。热导率：ITO靶材的热导率大约在20-30W/(m·K)之间。较高的热导率有利于溅射过程中热量的迅速传导和分散，减少靶材损耗。电导率：ITO材料的电导率高，一般为10^3-10^4S/cm，这使其成为制作透明导电薄膜的推荐材料。磁性：纯度较高的ITO靶材通常表现出较弱的磁性，这对于靶材在溅射过程中的稳定性是有利的。靶材的平均粒径...

主要PVD方法的特点：半导体、显示面板使用溅射镀膜法（1）金属提纯：靶材纯度要求高，其中薄膜太阳能电池与平板显示器要求纯度为4N，集成电路芯片要求纯度为6N。金属提纯的主要方式有化学提纯与物理提纯，化学提纯主要分为湿法提纯与火法提纯，通过电解、热分解等方式析出主金属。物理提纯则是通过蒸发结晶、电迁移、真空熔融法等步骤提纯得到主金属。靶材通常是指用于科学研究或工业生产中的特定材料，其在特定环境或条件下会被用作目标或“靶子”。这些靶材通常具有特殊的物理、化学或其他特性，以便在实验或生产过程中被精确地测量、观察或加工。在一些领域，例如医学和能源产业，靶材被***用于生产、研究和开发新的药品、材料和技...

四、应用建议：1.触摸屏和显示器：-在制备触摸屏和液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)等显示设备的透明导电膜(TCF)时，建议使用高纯度、粒度细小的ITO靶材以获得良好的透明度和电导率。-控制溅射功率和基板温度，可以优化膜层的均匀性和附着力。2.光伏组件：-对于太阳能电池，如薄膜太阳能电池，使用ITO靶材可以增加电池的光电转换效率。-建议使用低温溅射工艺，避免高温对光伏材料的潜在损伤。3.光电器件：-在LED和激光二极管等光电器件中，ITO薄膜作为电流扩散层或者抗反射层。-为了提高器件性能，应选择电导率和透光率均衡的ITO靶材，并优化溅射参数以降低薄膜的光学损耗。4.传感器：-在气...

但是靶材制作困难，这是因为氧化铟和氧化锡不容易烧结在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材，这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系极大。日本的科学家采用Bizo作为添加剂，Bi2O3在820Cr熔化，在1500℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。采川这样的靶材得到的ITO薄膜的屯阻率达到8.1×10n-cm，接近纯的ITO薄膜的电阻率。在粒子加速器实验中，特定元素的定制靶材用于产生稀有或非常规的核反应。辽宁显示行业靶材...

镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。简单说的话，靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时，会产生不同的杀伤破坏效应。例如：蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜、铝膜等。更换不同的靶材（如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58，而TbFeCofFa则可以接近0.8。陕西ITO靶材市场价a.选择适合的钨靶材规格针对不同的应用领域和设备，选择合适规格和尺寸的钨靶材至关...

基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)显示出***的商业化潜力,是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术，不过,在实现更快速地按比例缩小的道路上存在的挑战之一,便是缺乏能够生产可进一步调低复位电流的完全密闭单元。降低复位电流可降低存储器的耗电量,延长电池寿命和提高数据带宽,这对于当前以数据为中心的、高度便携式的消费设备来说都是很重要的特征。TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58，而TbFeCofFa则可以接近0.8。经过研究发现，低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度。对于某些金属靶材，熔炼和铸造是关键的制备步骤。宁夏溅射靶材一般多少钱靶材是制备半导体材料中不可或缺的重...

一、靶材的定义靶材是指用于产生粒子束并进行实验分析的材料，在物理、化学、材料学等领域中广泛应用。粒子束包括各种粒子，如电子、中子、质子、离子等。靶材通常需要具有适当的化学组成和物理性质，以便在特定的实验条件下产生粒子束。二、靶材的种类靶材种类繁多，根据不同的粒子束和实验目的需要，主要可以分为以下几类：1.离子束靶材：用于离子束实验的靶材，主要有金属、合金、半导体、陶瓷等。它们可以产生大量次级粒子，如X射线、荧光光谱等。2.中子束靶材：中子束实验靶材通常为化合物或者金属，如聚乙烯、水、锂等，可用于裂变、散裂、反应等中子实验。3.电子束靶材：电子束靶材在电子显微镜、电子探针等研究中广泛应用，主要有...

在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是**苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过去99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求，而未来的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。复合材料靶材结合了多种材料的优势。山东氧化锌靶材 ...

四、应用建议：1.触摸屏和显示器：-在制备触摸屏和液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)等显示设备的透明导电膜(TCF)时，建议使用高纯度、粒度细小的ITO靶材以获得良好的透明度和电导率。-控制溅射功率和基板温度，可以优化膜层的均匀性和附着力。2.光伏组件：-对于太阳能电池，如薄膜太阳能电池，使用ITO靶材可以增加电池的光电转换效率。-建议使用低温溅射工艺，避免高温对光伏材料的潜在损伤。3.光电器件：-在LED和激光二极管等光电器件中，ITO薄膜作为电流扩散层或者抗反射层。-为了提高器件性能，应选择电导率和透光率均衡的ITO靶材，并优化溅射参数以降低薄膜的光学损耗。4.传感器：-在气...

但是靶材制作困难，这是因为氧化铟和氧化锡不容易烧结在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材，这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系极大。日本的科学家采用Bizo作为添加剂，Bi2O3在820Cr熔化，在1500℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。采川这样的靶材得到的ITO薄膜的屯阻率达到8.1×10n-cm，接近纯的ITO薄膜的电阻率。如今开发出来的磁光盘，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构。山东...

靶材的主要种类与特点金属靶材：包括铜、铝、金等，广泛应用于电子和光学薄膜的制备。主要特点是良好的导电性和反射性，使得在制**射镜和电导膜等方面非常有效。金属靶材在高温下容易蒸发，可能对薄膜的质量和均匀性构成挑战。氧化物靶材：二氧化硅或氧化锌，靶材在制造透明导电薄膜和光电器件中扮演重要角色。主要优点是化学稳定性高，可在各种环境中保持性能。不过，在制备过程中，氧化物靶材可能需要特殊的环境控制，确保薄膜的质量和性能。陶瓷靶材：因其高熔点和良好的化学稳定性，陶瓷靶材在高温和腐蚀性环境下表现优异。这材料常用于制造耐磨薄膜和保护涂层，如在刀具和航空部件上的应用。半导体靶材：如硅和锗，这些材料在微电子和光伏...

平面显示器（FPD）这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场，亦将带动ITO靶材的技术与市场需求。如今的iTO靶材有两种．一种是采用纳米状态的氧化铟和氧化锡粉混合后烧结，一种是采用铟锡合金靶材。铟锡合金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取第一种方法生产ITO靶材，利用L}IRF反应溅射镀膜．它具有沉积速度快．且能精确控制膜厚，电导率高，薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点。钕靶材能产生特定的光学和磁性特性。黑龙江光伏行业靶材推荐厂家主要PVD方法的特点：半导体、显示面板使用溅射镀膜法（1）金...

制备薄膜：靶材作为溅射沉积技术的关键材料，可以用于制备各种半导体薄膜，如Si、Si3N4、GaAs等。利用靶材在真空条件下的放电现象，可以使得靶材材料被氩气等惰性气体离子轰击而产生丰富的高能量离子，这些离子以高速度冲击到基板表面并形成薄膜。制作电子器件：半导体薄膜沉积技术是制造计算机芯片和其他电子器件的基础。利用靶材制备出的半导体薄膜可以用于制作各种电子器件，如场效应晶体管（FET）、太阳能电池等。制备微纳米结构：靶材技术也可以用于制备微纳米结构，如纳米线、纳米棒等。其中，纳米线可以应用于生物医学、传感和光电器件等领域；靶材在半导体工业中扮演了非常重要的角色，是半导体工艺中不可或缺的材料之一。...

靶材的主要种类与特点金属靶材：包括铜、铝、金等，广泛应用于电子和光学薄膜的制备。主要特点是良好的导电性和反射性，使得在制**射镜和电导膜等方面非常有效。金属靶材在高温下容易蒸发，可能对薄膜的质量和均匀性构成挑战。氧化物靶材：二氧化硅或氧化锌，靶材在制造透明导电薄膜和光电器件中扮演重要角色。主要优点是化学稳定性高，可在各种环境中保持性能。不过，在制备过程中，氧化物靶材可能需要特殊的环境控制，确保薄膜的质量和性能。陶瓷靶材：因其高熔点和良好的化学稳定性，陶瓷靶材在高温和腐蚀性环境下表现优异。这材料常用于制造耐磨薄膜和保护涂层，如在刀具和航空部件上的应用。半导体靶材：如硅和锗，这些材料在微电子和光伏...

用更通俗的比喻，想象你在用彩弹枪射击一个涂有多种颜色油漆的墙壁，墙壁上的油漆颗粒被击中后，会飞溅到对面的一张白纸上，**终在白纸上形成了一个彩色的图案。在这个比喻中，涂有油漆的墙壁就像是靶材，白纸就是需要被镀上薄膜的材料，而彩弹***射出的彩弹则类似于高能粒子。靶材的选择对于**终的薄膜质量有着决定性的影响，因为它直接决定了薄膜的成分、纯度和性能。在制造过程中，科学家和工程师会根据所需的薄膜特性精心选择靶材的材质，这可以是金属、氧化物、硫化物或其他多种复合材料。钕靶材在激光技术和高性能磁性材料的制造中尤为重要。江西溅射靶材推荐厂家钨（元素符号W），银白色重金属，过渡金属的一员。在元素周期表中位...

适宜的存储环境：应将镍靶材存放在干燥、阴凉、通风良好的环境中。避免高湿度和极端温度，因为这些条件可能导致材料氧化或其他化学变化。防止污染：存储镍靶材时，应避免与其他化学品或污染源直接接触，以防止表面污染或化学反应。防尘措施：在存储和搬运过程中，需保持环境的洁净，避免尘埃和颗粒物沉积在靶材表面，这些颗粒可能影响其在溅射过程中的性能。包装和防护：使用原厂包装或适当的防护材料（如防静电袋）进行封装，保护镍靶材不受物理损伤或环境影响。定期检查：定期检查镍靶材的状态，特别是在长期存储后。检查是否有氧化、变色或其他形式的退化。正确搬运：在搬运镍靶材时，应小心轻放，避免跌落或撞击，因为物理损伤可能影响材料的...

化学特性化学稳定性：碳化硅在多数酸性和碱性环境中都显示出极好的化学稳定性，这一特性是制造过程中重要的考量因素，确保了长期运行的可靠性和稳定性。耐腐蚀性：碳化硅能够抵抗多种化学物质的腐蚀，包括酸、碱和盐。这使得碳化硅靶材在化学蚀刻和清洁过程中，能够保持其完整性和功能性。光电特性宽带隙：碳化硅的带隙宽度约为3.26eV，比传统的硅材料大得多。宽带隙使得碳化硅器件能在更高的温度、电压和频率下工作，非常适合用于高功率和高频率的电子器件。高电子迁移率：碳化硅的电子迁移率高，这意味着电子可以在材料内部更快速地移动。这一特性提高了电子器件的性能，尤其是在功率器件和高频器件中，可以***提升效率和响应速度。在...

研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.ITO薄膜作为一种重要的透明导电氧化物半导体材料，因具有良好的导电性能及光透射率广泛应用于液晶显示、太阳能电池、静电屏蔽、电致发光等技术中，用氧化铟+氧化锡烧结体作为靶材，直流磁控反应溅射法制备ITO薄膜与用铟锡合金靶相比，具有沉积速度快，膜质优良，工艺易控等优点成为目前的主流?但是，此法成膜过程中会经常发生??靶材表面黑色化，生成黑色不规则...

a.耐腐蚀性钨靶材表现出良好的耐腐蚀性，尤其是对氧化和还原环境的抵抗能力。即便在高温和极端环境下，它也能保持稳定，不易受到化学品、酸、碱等的侵蚀。这一特性使得钨靶材在化学腐蚀性环境中有着广泛的应用。b.高纯度高纯度是钨靶材的另一***特点。在制备过程中，通过精细的工艺控制，可以实现高达99.95%以上的纯度。高纯度确保了靶材在使用过程中的性能一致性和可靠性，特别是在半导体制造和精密材料加工等要求严格的领域中。c.电学性质钨靶材具有良好的电导率，这使其在电子和微电子应用中非常重要。其稳定的电导率保证了在电子束照射或其他高能应用中的稳定性和可靠性。d.热性能钨的高熔点（3422°C）赋予了靶材优异...

研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.ITO薄膜作为一种重要的透明导电氧化物半导体材料，因具有良好的导电性能及光透射率广泛应用于液晶显示、太阳能电池、静电屏蔽、电致发光等技术中，用氧化铟+氧化锡烧结体作为靶材，直流磁控反应溅射法制备ITO薄膜与用铟锡合金靶相比，具有沉积速度快，膜质优良，工艺易控等优点成为目前的主流?但是，此法成膜过程中会经常发生??靶材表面黑色化，生成黑色不规则...

平面显示器（FPD）这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场，亦将带动ITO靶材的技术与市场需求。如今的iTO靶材有两种．一种是采用纳米状态的氧化铟和氧化锡粉混合后烧结，一种是采用铟锡合金靶材。铟锡合金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取第一种方法生产ITO靶材，利用L}IRF反应溅射镀膜．它具有沉积速度快．且能精确控制膜厚，电导率高，薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点。实现导电和阻挡的功能。河南镀膜靶材多少钱靶材的选择和使用注意事项选择靶材时的考虑因素：物理和化学属性：包括靶材的熔点、导...

镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。简单说的话，靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时，会产生不同的杀伤破坏效应。例如：蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜、铝膜等。更换不同的靶材（如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。靶材由“靶坯”和“背板”组成。河南氧化物靶材一般多少钱5.真空封装：-未使用的ITO靶材应真空封装储存，避免空气中的湿气和氧化作用影响靶材品质。6.清洁工具：-应准备**的无尘布、高纯度...