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下面介绍的是三极管工作原理，一起来看看吧。三极管有哪三极？1、NPN型三极管的三极：NPN型三极管，由三块半导体构成，其中两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。有一个箭头的电极是发射极e，箭头朝外的是NPN型三极管。箭头方向也表示着发射极电流Ie的实际方向。2、PNP型三极管的三极：同样PNP型三极管，由三块半导体构成，由两块P型和一块N型半导体组成，N型半导体在中间，两块P型半导体在两侧。一样有一个箭头的电极是发射极e，而箭头朝内的是NPN型三极管。三极管具有电流放大、电压放大的特性。无锡复合三极管行价

对于PNP型三极管，分析方法类似，不同的地方就是电流方向跟NPN的刚好相反，因此发射极上面那个箭头方向也反了过来。电阻R1基极偏置用,电阻R2有限流作用,也是三极管集电极的负载电阻。发光二极管D指示作用,三极管T开关作用,电池E供电。三极管可以看成是2个PN结。测试其好坏只要测其PN结是否正常就行。其方法是,用电阻档测b,c极和b,e极的正反电阻,相差几十倍以上就是正常的。估算NPN型三极管的电流放大系数的简单方法：黑表笔接c极,红表笔接e极,在c,b极间接一个50-200K的电阻,查看表针的摆动情况,摆动越大,β值越高。上海硅管三极管现货直发三极管的输出电阻较低，可以提供较大的输出功率。

极限参数：a.集电极较大允许电流ICM集电极较大允许电流是指当集电极电流IC增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的IC值。所以当集电极电流超过集电极较大允许电流时，虽然不致使管子损坏，但β值明显下降，影响放大质量。b.集电极—基极击穿电压U(BR)CBO集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时，集电结的反向击穿电压。c.发射极—基极反向击穿电压U(BR)EBO发射极—基极反向击穿电压是指当集电极开路时，发射结的反向击穿电压。d.集电极—发射极击穿电压U(BR)CEO集电极—发射极击穿电压是指当基极开路时，加在集电极和发射极之间的较大允许电压，使用时如果UCE＞U(BR)CEO，管子就会被击穿。e.集电极较大允许耗散功率PCM集电极较大允许耗散功率是指管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的较大集电极耗散功率。

三极管的起源，1947年12月23日，巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士发现，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流，因而产生了放大效应，这个器件就叫晶体管。三极管的发展沿革，在晶体管电子流出端的衬底外，沉积一层对应材料，当电子流过时，需要从衬底吸入热量，这就为晶体管主要散热提供一个很好的途径，因为带走的热量会与电流的大小成正比例，业内也称为“电子血液”散热技术。晶体管促进并带来了“固态革新”，进而推动了全球范围内的半导体电子工业，由于晶体管彻底改变了电子线路的结构，集成电路以及大规模集成电路应运而生，作为主要部件，它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用，并产生了巨大的经济效益。三极管分为NPN型和PNP型，分别对应不同的工作方式和极性。

三极管工作原理：NPN型三极管的工作原理：我们以NPN型三极管为例，来讲解三极管的工作原理，如图3所示，为方便理解：以下正电子（空穴），负电子（自由电子）。（1）当NPN三极管b极没有电压输入时，由于三极管是两个背对背的PN结组成，即NP之间、PN之间建立了2个内电场，即使c极与e极之间有电压UC，但由于PN之间属于反偏，NP之间正偏却没有电流，所以c极与e之间就没有电流流过，三极管处于截止状态。（2）当基极电流到达一定程度，集电极电流不再升高。这时三极管失去电流放大作用，集电极和发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。此刻三极管处于饱和状态。三极管的封装可选择塑封、金属封装等形式，以满足不同需求。上海硅管三极管现货直发

部分三极管具有耐高温、耐辐射等性，适用于恶劣环境下的应用。无锡复合三极管行价

三极管工作原理，三极管按材料差异可以分为：锗管三极管和硅管三极管两种，每一种有NPN和PNP两种结构形式，现在市面上使用较为普遍的为：锗PNP和硅NPN两种三极管，那么什么是三极管呢？N表示在高纯度硅中加入适当磷，在电压刺激下三极管产生自由电子导电，p指的是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电。这两种三极管除电源极性存在差异外，其工作原理都是相同的，对于NPN三极管，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，集电区与基区形成的PN结称之为集电结。无锡复合三极管行价